国产7纳米ArF光刻胶已小规模投产，先进光刻机国产化该提速

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国产7纳米ARF光刻胶已小规模投产，先进光刻机国产化该提速

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南大光电发布的公告，其承担的国家科技重大专项（02 专项）已通过专家组验收。其中就包括极大规模集成电路制造装备及成熟工艺、先进7纳米光刻胶产品开发与光刻胶供给链产业化。
经专家组评定，通过项目的实施，宁波南大光电掌握了ArF干式和浸没式系列光刻胶产品的原材料制备、配胶、分析检测、应用验证等关键技术，在知识产权和人才培养等方面取得重要进展，完成了任务合同书规定的主要考核指标

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ArF光刻胶材料是集成电路制造领域的关键材料，可以用于90nm - 7nm技术节点的集成电路制造工艺，主要应用于高端芯片制造。而目前我国在ArF、KrF光刻胶领域市场份额很小，全球光刻胶市场还是被美国、日本垄断。
$ X7 Z' ^7 x1 ^* ?+ D尽管南大光电的7纳米ArF光刻胶目前只是小规模投产，在稳定量产阶段仍然存在工艺上的风险，还需要持续的工艺改进和完善。但毕竟关键技术已经攻克，相信量产以及在国内市场的替代将很快实现。
对于目前中国芯片制造及整个半导体产业来说，最大的卡脖子项目一是光刻机及检测等关键设备，二就是以光刻胶为代表的尖端原材料。

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华为麒麟处理器被断供，显示出中国芯片制造业的突出短板，就目前来看，中国芯片国产化的最大的障碍就是先进光刻机，但先进的光刻胶也是不可或缺。现在光刻胶有望很快攻克7nm级别，是一个很大的进步。
但国产光刻机目前水平仍在93nm以上，上海微电子的28nm光刻机还在攻关中。因光刻机设计的技术领域太多了，我们的差距又都很大，攻克难关还需多方投入、推进，以及必要的时间。关键的光源系统、镜头及光路系统、精密工作台等技术都还在攻关中，可以说距离拿下先进光刻机这座山头，还有太多难点。
不过再难也得继续硬上，否则我们就会被美国一直制约着，一个华为已在先进芯片上被打压住，更多的中国高科技企业也将难以顺利发展。而7nm光刻胶关键技术的突破，给中国半导体产业的独立自主发展带了个好头。7nm光刻胶拿下了，5nm、3nm还会很远吗？只要保持持续努力，光刻胶很快就不会再是我们的障碍