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芯片国产化之路 ICMAX存储器能否成为突破口

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发表于 2021-8-6 13:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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从原始的结绳记事,到现在的存储器,记录变得越来越简便,生活瞬间在一次次的记录中成为永恒,而更多的记录,便意味着需要更多的存储空间。回首十多年的存储器技术发展,从磁带到现在的Flash,从传统闪存到如今的DRAM,短短几年时间,我们就从GB走到了TB,一条完整的产业链也正在形成,存储芯片国产化离我们还有多远?
6 p0 B1 A) u" E: m# H/ I
& w- E3 k$ j2 e6 S8 u" N9 Y0 V国内存储市场
( ^: t: z( v  X5 G& a4 [6 D4 y6 u+ @* d! c* R& E
据数据显示,2018年我国进口芯片数量为4175.7亿件,金额达到3120.58亿美元,其中存储芯片市场规模达到880亿美元,市场比重超过四分之一,规模超过CPU、手机基带等热门芯片。目前,我国存储芯片几乎完全依靠进口,而存储芯片模组中的存储控制芯片作为确保产品可靠性、稳定性和安全性的功能核心芯片,自主研发势在必行。1 w& Y6 Y  z) y  {8 @
" q4 w, o; S' c' @3 ^' O' A# q
从知识产权角度来看,未来国产存储产业发展壮大,须自主创新,获取产业专利权,这样打入国际市场才有话语权,如果一味地靠获取外资专利授权,从长远利益角度考虑,是不可取的。美国的一纸禁令,让我们更深刻的认识到关键核心技术是无法依靠外部力量,十八大以来,核心技术发展已经已经成为了我国的重要国策,我国自主可控的道路任重而道远。7 T. y; _1 V; h) e

, v( S  _) `* w8 I& z" l半导体产业转移历史" I! S% G! k7 \0 V8 _; G- x

; h! y7 }" J) r2 m. N& ~  g半导体产业起源地为美国,美国迄今仍在IDM模式及产品设计环节占据绝对主导地位,而存储器、晶圆代工及封测等重资产、附加值相对低的环节陆续外迁。
% m" P$ c, G7 o) V! Z4 e( w
* n3 G& O5 _# w# z2 a20世纪70年代,半导体产业从美国转移到了日本,造就了富士通、日立、东芝、NEC 等世界顶级的半导体企业;20世纪80年代中后期,韩国、中国台湾成为集成电路产业的主力军,三星、台积电等企业诞生。由于半导体属于技术及资本高度密集型行业,只有下游终端需求换代等重大机遇来临时,新兴地区通过技术引进、劳动力成本优势才有机会实现超越,推动产业链迁移。
0 t2 [7 |* u9 W( O( i. u/ e2 I# d9 X0 t7 s' W4 P
现如今,中国是全球最大的半导体消费市场,IC设计、晶圆代工及封装测试产业占据全球产业链相应环节的22%、10%、17%。中国半导体产业在国家政策资金重点扶持下,通过技术积累、与提前布局,具备能力把握潜在需求换代机遇,成为半导体产业第三次迁移地。. @. h( k9 k3 e
" \" A& ?: ^; i9 I: u2 l7 f
我们能做什么: o! V) l. T# o5 s- C5 E

# X% O- {( e4 a, z8 Z中国作为集成电路消费和生产大国,国产存储芯片投产在一定时间内可提高市场占有率,但短期还无法撼动韩日巨头市场地位,宏旺半导体ICMAX LPDDR4X 8GB DRAM芯片的量产可以有效摆脱对海外的依赖。ICMAX拥有一支以Memory开发设计人才为班底打造的专家团队,在自主研发方面重金投入,成果显著。
, ?! z: q7 d8 O
* o9 _9 c4 l5 d: ?1 i" `0 s2 {现在也有越来越多的电子设备制造厂商选择国产存储品牌替代国外品牌,对于没有核心元器件生产能力的中国芯片而言,我们更应该给国产民族存储品牌机会,扶持本土Memory企业,增强自主存储品牌的供应能力,保证供应链的稳定性。只有上游下游渠道打通,达成共识,国产芯片产业才能蓬勃发展。4 K! G9 ]! z2 T7 \8 h
% N* B0 `& @" ^& d  s; g
尽管国家现在大力支持国产芯片发展,但存储模块目前基本上还是被国际大厂垄断,所以需要更多具有竞争力的国产品牌,随着这次中美贸易战的到来,中国芯的重要性更加凸显。
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发表于 2021-8-6 15:53 | 只看该作者
尽管国家现在大力支持国产芯片发展,但存储模块目前基本上还是被国际大厂垄断,所以需要更多具有竞争力的国产品牌,随着这次中美贸易战的到来,中国芯的重要性更加凸显。
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发表于 2021-8-6 16:03 | 只看该作者
中国半导体产业在国家政策资金重点扶持下,通过技术积累、与提前布局,具备能力把握潜在需求换代机遇,成为半导体产业第三次迁移地+ P+ u+ P9 a: Z6 A: r& X/ D
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