中国光刻机明年可以达到世界较为先进的水平吗

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中国光刻机明年可以达到世界较为先进的水平吗
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asml 先进半导体材料光刻技术公司，1984年成立于荷兰，起点豪华，由飞利浦和asm合资成立，实际上并不像asml在公司自传中描述的那么凄惨，它继承了飞利浦光刻机部门最核心的对准技术，在很大程度上依靠此技术在90年代竞争中脱颖而出，初期得到两大股东和政府的资金支持，并保持和卡尔蔡司三十年的紧密合作，同时在30多年的发展中，得到了包括美国政府，顶级半导体公司以及全世界最先进产业链的支持，从来没有一天，为哪怕一颗螺丝钉被别人卡脖子而劳过神。 相比之下，日本光刻机良好的发展势头被美国政府毫不保留地，全面地扼杀在树苗期，完全退出高端光刻机。更不用说中国，在种子时期，土壤就被撒了毒药，期间还出现汉芯这种雪上加霜的事情，好不容易雨水稀释了一些，正要发芽的时候，又有人想把土壤都给挖走。这根本就是金汤匙和窝窝头的对比。
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在光刻技术的发展历程中，科研人员们不断地在探索更短曝光波长的可能性。上世纪80年代至90年代初期，光刻主要采用高压放电汞灯产生的波长436 nm(G线)和365  nm(I线)作为光源。汞灯普遍应用于步进曝光机，从而实现0．35um的特征尺寸b J。自上世纪90年代中期后，深紫外光刻技术(Deep Ultraviolet lithography，DUVL)开始逐渐占据光刻技术的主导地位。工业上开始使用深紫外波段(DUV Ultraviolet，DUV)248 nm的KrF和193 nm的ArF准分子激光器作为曝光光源M。随后，当光源发展为157 nm的F2准分子激光器时，由于光刻胶和掩模材料的局限，使得157 nm光刻技术受到了很大的限制。研究人员们发现充人浸没液后，193 nm光源等效波长小于157 nm。另外193 nm光刻机技术相对成熟，开发者只需重点解决浸没技术相关的问题，因而采用浸没技术的193 nm光源逐渐取代157 am光源继续成为主流技术"J。目前，荷兰AdvancedSemiconductor Material Lithography(ASML)公司于2018年生产的NXT：2000i(采用193 nm光源)产品为现有最高水平的DUV光刻机，其分辨率为38 nm。NXT：2000i结合多次曝光套刻技术可将线宽缩小至7—5 nm。此外，NXT：2000i是ASML旗下套刻精度(Overlay)最高的DUV光刻机产品，其数值可达1．9 nm5 am节点要求Overlay至少为2．4 nm，7 nm节点要求Overlay至少为3．5 nm。但是由于多次曝光套刻技术过于复杂，使得生产成本大幅增加，而器件的产量却大幅降低。可以看出，DUVL技术已经达到极限，研究人员们很难再将其所得到的线宽缩至更小的范围。