赛普拉斯代理256Kbit串行FRAM存储芯片FM25V02A

英尚微电子

功能概述
FM25V02A是使用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM相同，它能够执行读和写操作。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。赛普拉斯代理英尚微电子提供技术相关支持。

与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A以总线速度执行写操作。不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。FM25V02A能够支持1014次读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。

由于具有这些特性，因此FM25V02A适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用的范围包括从数据采集（其中写周期数量是非常重要的）到苛刻的工业控制（其中串行闪存或EEPROM的较长写时间会使数据丢失）。
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* e- Q% o/ Y! V" V作为硬件替代时，FM25V02A为串行EEPROM或闪存的用户提供大量便利。FM25V02A使用高速的SPI总线，从而可以增强FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，通过该ID，主机可以确定制造商、产品容量和产品版本。在–40℃到+85℃的工业级温度范围内，该设备规范得到保证。
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" ^* e# v# i- ]特性
■256Kbit铁电性随机存储器（FRAM）被逻辑组织为32K×8
❐高耐久性：100万亿（1014）次的读/写操作
) r9 r  m# J" A' R/ o❐151年的数据保留时间
0 m9 ]# p. E7 t5 x❐NoDelay™写操作
/ @2 r. E4 m1 Z  }% x❐高级高可靠性的铁电工艺
■非常快的串行外设接口（SPI）
❐频率高达40MHz
/ r& Z8 w. u2 j7 [❐串行闪存和EEPROM的硬件直接替代
❐支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
■精密的写入保护方案
❐使用写保护（WP）引脚提供硬件保护
❐使用写禁用指令提供软件保护
❐可为1/4、1/2或整个阵列提供软件模块保护
- ~. z7 L( O7 e4 a9 S■设备ID
❐制造商ID和产品ID
1 D/ `* W3 l$ L5 j# \& e2 {3 K7 c; m3 c■低功耗
* X9 P* \7 K% ?+ U, b❐频率为40MHz时，有效电流为2.5mA
❐待机电流为150mA
❐睡眠模式电流为8mA
1 C* I  {/ E' H* g: o■工作电压较低：VDD=2.0V到3.6V
  B' ?6 B/ x# j■工业温度范围：–40℃~+85℃
2 y1 v2 M: Z& p- c# Z# J■封装
; ~5 X7 j' f$ f" V# v❐8引脚小外型集成电路（SOIC）封装
❐8引脚扁平无引脚（DFN）封装
/ S' K5 O# [. O% z  g■符合有害物质限制（RoHS）

0 E2 k6 K/ [# r封装引脚

, B. A. ?4 A( ]- a! y& X2 g( yFM25V02A是一种采用先进铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的，执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
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与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A以总线速度执行写操作。不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。FM25V02A能够支持1014次读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。