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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-12-12 10:38 编辑 _( U8 \; U0 \$ ~5 E
+ x* z" d' r9 ?6 j9 m采用高性能为内核为M0的32位微控制器,5V输出的LDO稳压器、三组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。mcu的工作频率最高可达72兆赫兹,内置SRAM高速存储器,丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32SPIN160C产品包含1个12位的ADC、1个比较器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器。还包含标准的通信接口:1个I2C接口、1个SPI接口和1个UART接口。MM32SPIN160C产品提供QFN32封装形式,该产品适合于三相永磁无刷电机和电动工具等多种应用场合。- y$ W: P5 y' B. ^1 N5 M, C
MM32SPIN160C特征
% n6 s" v! K% s' _( I•内核与系统
4 B% I# Q" o' d' e& f1 `7 X–32位ARM®Cortex®-M0处理器内核
, J/ E4 t( f5 u1 M( Q+ G–最高工作频率可达72MHz7 g5 E+ ]0 [# o3 [( Q
–单指令周期32位硬件乘法器,
! b* \' a" F, B" O7 P–硬件除法器(32Bit)9 F# {/ g3 K+ n) W
–单指令周期32位硬件乘法器
$ R4 i4 h- V0 O0 x•存储器; [8 t1 B8 @( I6 K* P: M& d" }. S' U! b7 S5 s
–高达32K字节的闪存程序存储器( Y$ [) ^$ Y) T! o+ U2 g
–高达4K字节的SRAM!- g# {; ~1 W2 y" ~; S
–2.0V~5.5V供电
: K4 g8 T/ ]0 I4 P& i' w7 K–上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器' V, b& _" ? Z- M2 l; ~
–外部2~24MHz高速晶体振荡器8/ a; f5 G! }7 C9 G6 g
–内嵌经出厂调校的48/72MHz高速振荡器
& k& q- {* ?8 ?3 P- X7 y, G, o–内嵌40KHz低速振荡器
9 ]( Z/ h! H: y% u; O6 n+ N2 I•低功耗, M; c" f$ `- }, X: N9 ?
–睡眠、停机和待机模式
: O7 e: v7 @( A- F, ]4 C0 w' Q• 5V LDO 稳压器( ?: c4 \' x8 ~% ~. E
– 输入电压最高13.5V
7 z+ J+ l) |, i( K• 三组N 型半桥式栅极驱动器(GATE-DRIVER)
* Z- g" h% F3 q3 e, U1 i _– 三相栅极驱动器1 W& ~/ Y, n* Y" E( y8 Y( P `
– 支持电压UVLO 保护
6 W$ w, d4 |7 p; M' h+ ^– 1A/1A SINK/SOURCE 三相栅极驱动电流
/ K: U9 z$ _4 s T1 T• 96 位的芯片唯一ID(UID)- ^, A3 H" B: Q4 _. X% y
• 采用QFN32 封装
; c. X4 w+ D- {0 K+ J
& r1 U) k$ x; j1 K/ }$ S hMM32SPIN160C引脚- S7 N# J$ m/ }7 |7 D
, ~3 h: C+ p% t5 ]1 y9 z0 k
( a8 i) x% R4 y4 l2 V% P$ V/ P内置的SRAM
) b ^& E' g. P' {! \内置最大可到4K字节的静态SRAM。$ u7 D* G$ Q, {( O/ K
它可以以字节(8位)、半字(16位)或字(32位)进行访问。SRAM起始地址为0x20000000。
7 P) d3 t3 p: s h, b \•数据总线上最大可到2K字节的SRAM。可以被CPU或者DMA用最快的系统时钟且不
' B: l" [; o1 Y! t/ Q! u3 h. o) Y! {插入任何等待进行访问
' T- x3 }' Y K
4 w) c/ j" J1 W" L! H6 w- p闪存主要特性
4 L* Q& Q9 n* U! H* r( c+ @•高达32K字节闪存存储器$ D1 Y& J& _2 A$ w6 K) |. K
闪存接口的特性为:
! S! Z# t# s& t1 _6 \+ ~3 q•带预取缓冲器的数据接口(2×64位)
& J% [; C- w! U. V0 |; q•选择字节加载器. |! U' H# K% ]1 c5 K
•闪存编程/擦除操作
; H. v# V( I0 F/ |•访问/写保护
3 @! ~6 `7 a. V2 L* R) A•低功耗模式
- H( r R1 J& \$ x* m( @5 w C; f' l. G! ]6 N. S' K
FLASH读操作; [; U' q8 ^4 i5 p) | R
嵌入式flash模块可以像普遍存储空间一样直接寻址访问。任何对Flash模块内容的读操作都须经过专门的判断过程。% D4 T- V! v! [ h& f6 t
取指令和取数据都是通过AHB总线读取访问,能够按照Flash访问控制寄存器(FLASH_ACR)中得选项所指定的方式执行:
9 `6 J8 Y) A2 d: }•取指:预取值缓冲区使能后可提高CPU运行速度
) M3 L) o3 B8 K) V- d# x4 I: g# T•潜伏期:等待位的个数,保证正确的读取。4 `5 F G2 h0 V, q/ Y
- b6 p. y f! ~3 p5 o |
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