电子元器件FMEA的常见失效

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电子元器件的失效是引发电子电路或系统故障的主要因素。
& z' @) S% e3 m& `电子元器件的失效周期随时间的变化大致分为三个阶段：早期失效期、偶然失效期、耗损失效期。
早期失效期，此阶段的特点：失效率高、可靠性低，但随工作时间的增加而失效率迅速下降。产生早期失效的原因：一 元器件在设计制造工艺上的缺陷；二 元器件本身材料、结构上的缺陷；

+ N1 Q( |2 @2 d0 a% W7 G偶然失效期，是电子元器件的正常工作期，其特点是失效率比早期失效率低且稳定。这一时期的失效由偶然不确定因素引起，失效时间也是随机的。


8 {3 x/ r2 k  ]/ ~" w9 g, F耗损失效期，与早期失效期相反，失效率随工作时间增加而上升。此阶段由于元器件长期使用而产生的损耗、磨损、老化、疲劳等有原因引起。


电子元器件的可靠性与规定的条件是分不开的，规定条件是由使用时的工作条件、环境条件或储存条件等组成。工作条件指使用时的电压、电流和功率等，环境条件或储存条件是指所处的温度、湿度和气压等。


根据经验，电子元器件故障的原因主要有两个：一是不正常的电气条件；二是不正常的工作环境。优良的电气条件取决于电路的正确设计。如果元件能够在额定状态下工作，其寿命就会较长。如果过载使用，寿命就会缩短。其次，环境条件中如高温、高湿、空气中的尘埃和腐蚀性化学物质、ESD等都会影响元器件的寿命。
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4 m! n2 e  [! V; \' a7 L( {& i. m6 }而按照导致的原因可将失效机理分为以下六种:
1、设计问题引起的劣化
指版图、电路和结构等方面的设计缺陷;
( Z. _3 p( c. a2、体内劣化机理
' _& |7 d+ I! x, d9 `4 v; r  `2 |指二次击穿、CMOS 闭锁效应、中子辐射损伤、重金属玷污和材料缺陷引起的结构性能退化、瞬间功率过载等;
+ c4 ~) J3 F- P! D. {0 n% Q0 R% }" q3、表面劣化机理
指钠离子玷污引起沟道漏电、γ辐射损伤、表面击穿( 蠕变) 、表面复合引起小电流增益减小等;
4、金属化系统劣化机理
- P1 Y) |- `) o9 R指铝电迁移、铝腐蚀、铝化伤、铝缺口、台阶断铝、过电应力烧毁等;
  {3 l+ K" w5 n* ?* m5、封装劣化机理
指管腿腐蚀、漏气、壳内有外来物引起漏电或短路等;
% m  ~2 e  [5 R2 q4 J6、使用问题引起的损坏
$ u7 j0 r7 `$ U2 X8 V指静电损伤、电浪涌损伤、机械损伤、过高温度引起的破坏、干扰信号引起的故障、焊剂腐蚀管脚等。
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somethingabc

都是干货

starskyuu

早期失效期、偶然失效期、耗损失效期

starskyuu

耗损失效算是完成使命了

oewqe

一 元器件在设计制造工艺上的缺陷；二 元器件本身材料、结构上的缺陷；