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光晶体管

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发表于 2021-5-26 13:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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光晶体管5 E$ U& s. b9 F. I6 p& L
光晶体管(phototransistor)由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收,产生光生载流子,通过内部电放大机构,产生光电流增益。光晶体管三端工作,故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是砷化镓(CaAs),主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。双极型光晶体管通常增益很高,但速度不太快,对于GaAs-GaAlAs,放大系数可大于1000,响应时间大于纳秒,常用于光探测器,也可用于光放大。场效应光晶体管响应速度快(约为50皮秒),但缺点是光敏面积小,增益小(放大系数可大于10),常用作极高速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器件,其特点均是速度快(响应时间几十皮秒)、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用。  m: P- i3 d+ y1 |

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发表于 2021-5-26 13:55 | 只看该作者
光在这类器件的有源区内被吸收,产生光生载流子,通过内部电放大机构,产生光电流增益

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发表于 2021-5-26 13:57 | 只看该作者
双极型光晶体管通常增益很高

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发表于 2021-5-26 13:59 | 只看该作者
场效应光晶体管响应速度快(约为50皮秒)
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