新书《基于SiP技术的微系统》介绍及技术答疑帖！

li_suny

近期，我出版了一本新书《基于SiP技术的微系统》。
发这个帖子的目的是为了宣传一下这本书，另外，也通过这个机会和对SiP与先进封装技术感兴趣的工程师进行技术交流。
: O5 Z0 [$ B' i+ U4 ?0 k
' a! F( k% W. _1 Z8 H这本书共分为三大部分：概念和技术，设计和仿真，项目和案例，共30章内容。

! G* I$ `" Z9 t* [" F7 B第一部分针对SiP及先进封装技术的发展，以及作者多年经验积累和深入思考，提出了功能密度定律、Si3P和4D集成等原创概念，介绍了SiP和先进封装的最新技术，包含5章内容。
第二部分依据最新EDA软件平台，阐述了SiP及HDAP的设计仿真验证方法，涵盖了Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP设计，多版图项目及多人协同设计等热点技术，以及SiP和HDAP的各种仿真，电气验证和物理验证，包含16章内容。
8 R! P9 c. S! @9 P0 D* i4 z- |第三部分介绍了不同类型SiP实际项目案例的设计仿真和实现方法，包含9章内容。
, l' g" ~- q: h$ J1 [本书通过原创概念、热点技术、实际案例的结合，讲述了SiP从构思到实现的整个流程，并使读者从中获益。
本书适合SiP用户、先进封装用户，PCB高级用户，对SiP和先进封装感兴趣的设计者和课题领导者，以及寻求系统小型化、低功耗、高性能、高可靠的科技工作者。
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1 f- @. l$ M! q3 K新书详细介绍文章

0 a" ]+ r) g7 P8 c8 \

无论是对本书中的内容，还是对SiP和先进封装设计过程中有疑问，都可以跟帖提问，我也会尽可能及时给予回复！



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今天参加SiP大会（上海站），会议现场600+人，在线观众6000+，真是一场行业盛会！

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8 G. G1 [. Y! a9 X4 R# H4 z
  B1 Q0 y: {  K; j% P! z6 Z( f大会主办方专门从电子工业出版社订购了一批新书，作为送给嘉宾的礼品！
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li_suny

《基于SiP技术的微系统》目 录  

, u7 |7 @& {' X) Z0 Z; D2 p第1部分　概念和技术
第1章 从摩尔定律到功能密度定律 3
" {+ F4 O$ J1 i9 S4 Z" @# u1．1 摩尔定律 3
4 F/ @* g/ z6 a; L3 [1．2 摩尔定律面临的两个问题 4
  a! q7 b$ }5 N$ L/ D0 _1．2．1 微观尺度的缩小 4
" W2 D* g, X; }$ N2 U7 x1．2．2 宏观资源的消耗 6
7 H! H0 L; T' g6 X" p0 `1．3 功能密度定律 10
1．3．1 功能密度定律的描述 10
2 K! v" M) V( R, H+ _) ]: h+ s8 T1．3．2 电子系统6级分类法 11
1 G. k# v7 e* Y$ h! ?$ F: P1．3．3 摩尔定律和功能密度定律的比较 13
1．3．4 功能密度定律的应用 14
1．3．5 功能密度定律的扩展 17
1．4 广义功能密度定律 17
) s3 ?& s: e$ Q3 c9 v; Y1．4．1 系统空间定义 18
1．4．2 地球空间和人类宇宙空间 18
, P# P; @8 G) N0 P& ^' W; E  A1．4．3 广义功能密度定律 20
第2章 从SiP到Si3P 21
2．1 概念深入：从SiP到Si3P 21
8 Y0 i, E) X* w* W2．2 Si3P之integration 23
2．2．1 IC层面集成 23
/ m7 K) S* ], f0 y2．2．2 PCB层面集成 26
2．2．3 封装层面集成 28
2．2．4 集成（Integration）小结 30
2．3 Si3P之interconnection 31
2．3．1 电磁互联 31
/ f( K& c, i/ N( t; V  `! ^% j6 ]. h2．3．2 热互联 36
2．3．3 力互联 37
0 k, j6 w) s) T2．3．4 互联（interconnection）小结 39
8 T- v8 x4 T$ p' x7 ^2．4 Si3P之intelligence 39
( g9 q& g; S8 a7 @2．4．1 系统功能定义 40
2．4．2 产品应用场景 41
' M" Z  d) C5 S, v2．4．3 测试和调试 41
' d) ]2 U. ^& @+ {$ f, f; |2．4．4 软件和算法 42
% D4 B7 W# l9 c3 G$ ^2．4．5 智能（intelligence）小结 44
3 s, J, h$ \# g2．5 Si3P总结 44
+ k8 l! j7 |- \1 u. I2．5．1 历史回顾 44
' d3 d6 H- d$ `/ {6 U( m2．5．2 联想比喻 45
2．5．3 前景预测 46
第3章 SiP技术与微系统 47
3．1 SiP技术 47
3．1．1 SiP技术的定义 47
( b9 I- m, a* b" R; z, j3．1．2 SiP及其相关技术 48
* |. j# h5 ~2 w" c3．1．3 SiP还是SOP 50
( J. `/ ^' C& P0 r& P; s3．1．4 SiP技术的应用领域 51
3．1．5 SiP工艺和材料的选择 55
7 b2 }$ I$ ~: U0 Q6 |, C* C+ P& Y3．2 微系统 57
3．2．1 自然系统和人造系统 57
3．2．2 系统的定义和特征 58
3．2．3 微系统的新定义 59
( s: a8 y: T/ ~第4章 从2D到4D集成技术 61
6 @) ]% \1 C# i4．1 集成技术的发展 61
* H: P' b$ \" {) T7 x- ~8 M4．1．1 集成的尺度 61
; k! ?. |1 T( C4．1．2 一步集成和两步集成 62
% Y5 ~- l1 W$ S0 N7 Y* c5 [4．1．3 封装内集成的分类命名 63
4 O  D+ }9 _% e# }! ?# X' Y1 O4 G! g4．2 2D集成技术 64
, |$ L: z( ]4 p! _4．2．1 2D集成的定义 64
- p0 N9 Z6 o1 O2 ?& Y# N) N4．2．2 2D集成的应用 64
. M+ S" Y1 B- V1 r4．3 2D+集成技术 65
4．3．1 2D+集成的定义 65
& _8 o" C9 O9 L4 U1 |4．3．2 2D+集成的应用 66
: e1 E& ?  U) a) S4．4 2．5D集成技术 67
# `& m0 S, g+ ]2 y  `4．4．1 2．5D集成的定义 67
5 B* O- P8 b6 n: F5 W4．4．2 2．5D集成的应用 67
8 v7 V: c" r8 k8 E. g$ a4．5 3D集成技术 68
4．5．1 3D集成的定义 68
) [7 N9 f& N& ]8 E, S1 Z- A4．5．2 3D集成的应用 69
. ~  a9 ~7 b& x/ i6 k' r, ^4 e3 |4．6 4D集成技术 70
$ u7 X8 I: Q* z  F3 L2 Z" q+ R& F4．6．1 4D集成的定义 70
1 X: ~4 _& k0 [+ q4．6．2 4D集成的应用 71
4．6．3 4D集成的意义 73
- M6 {* `$ x& G( i. v! [  @: C4．7 腔体集成技术 73
$ e( d) t. h4 j' s6 n7 ~4．7．1 腔体集成的定义 73
# p: \8 P9 [+ B/ |0 h4．7．2 腔体集成的应用 74
% }, Q/ {0 [! S0 k) C- [7 ]- [4．8 平面集成技术 76
4．8．1 平面集成技术的定义 76
, e7 x  C, T! h0 R/ C$ g4．8．2 平面集成技术的应用 76
4．9 集成技术总结 78
9 `2 u0 U8 [' q2 W: U0 N第5章 SiP与先进封装技术 80
5．1 SiP基板与封装 80
  Z! P9 \) b: x/ r; Z5．1．1 有机基板 80
9 ?2 V! u; U4 g& X5．1．2 陶瓷基板 82
: A+ J! y+ y/ l$ m9 D& M5．1．3 硅基板 85
7 ^1 }+ G2 w4 O) _5．2 与先进封装相关的技术 85
5．2．1 TSV技术 86
; p! X* s. P! I( y7 y! t8 r5．2．2 RDL技术 87
3 k8 I0 W) j2 O8 V2 Q5．2．3 IPD技术 88
. W/ J9 z, {7 Q! l, O  e5．2．4 Chiplet技术 89
5．3 先进封装技术 92
5．3．1 基于XY平面延伸的先进封装技术 93
5．3．2 基于Z轴延伸的先进封装技术 96
5．3．3 先进封装技术总结 103
5．3．4 先进封装的四要素：RDL、TSV、Bump和Wafer 104
& q5 @: K3 c% B5．4 先进封装的特点和SiP设计需求 105
, k# n* o$ _; X" \5 U) R5．4．1 先进封装的特点 105
# j; g2 ~1 `. a' M5．4．2 先进封装与SiP的关系 106
; x0 m9 }8 o4 V5．4．3 先进封装和SiP设计需求 107
第1部分参考资料及说明 108
  ^/ C' j  d; p* `. q( G! F+ M1 }
第2部分 设计和仿真
$ k4 e; w- ^$ Q# r第6章 SiP设计仿真验证平台 111
$ D, p1 M* ]! \$ T6．1 SiP设计技术的发展 111
$ m( Q$ D( M; ~6．2 SiP设计的两套流程 112
6．3 通用SiP设计流程 112
# W1 e8 B# ?. N1 Q( p, x6．3．1 原理图设计输入 112
0 O% z5 h# q" ~0 A6．3．2 多版图协同设计 112
& v+ S; ]( N! ~6 k6 D' N6 e9 q6．3．3 SiP版图设计9大功能 113
* }0 c  ]5 I% M8 n5 b0 ~7 D5 T6．4 基于先进封装HDAP的SiP设计流程 118
+ R5 C1 T9 {' \$ y/ T5 P# E3 }6．4．1 设计整合及网络优化工具XSI 119
6．4．2 先进封装版图设计工具XPD 120
6．5 设计师如何选择设计流程 121
3 h" n# C; o) a6．6 SiP仿真验证流程 122
6．6．1 电磁仿真 122
; |/ x, z2 I. t. A5 f6．6．2 热学仿真 124
9 F& j& V. O  J; g9 d6．6．3 力学仿真 125
6．6．4 设计验证 125
6．7 SiP设计仿真验证平台的先进性 127
第7章 中心库的建立和管理 129
3 Y! F& p* b1 d6 W+ ]* T# e7．1 中心库的结构 129
7．2 Dashboard介绍 130
4 X& q( x7 \% n/ Q  m5 ^7．3 原理图符号（Symbol）库的建立 131
7．4 版图单元（Cell）库的建立 136
9 C8 Z5 J9 f; H8 O5 w7．4．1 裸芯片Cell库的建立 136
/ K3 X5 b9 E3 C  x8 a6 D' n* |) f7．4．2 SiP封装Cell库的建立 141
7．5 Part库的建立和应用 145
  ]& R8 k; ~: r& L& x7．5．1 映射Part库 145
7．5．2 通过Part创建Cell库 147
7．6 中心库的维护和管理 148
7．6．1 中心库常用设置项 149
7．6．2 中心库数据导入导出 149
第8章 SiP原理图设计输入 152
8．1 网表输入 152
8．2 原理图设计输入 154
: b; r; N. G: N# m; ^4 w; k8．2．1 原理图工具介绍 154
% b* z# [$ `, w# O% o) G8．2．2 创建原理图项目 162
8．2．3 原理图基本操作 163
  x7 Q" C1 A4 {0 o' J4 n1 w* U8．2．4 原理图设计检查 167
" r! L% v0 ?% {& X8．2．5 设计打包Package 169
6 G$ X6 u% p6 |0 Z0 y) Y8．2．6 输出元器件列表Partlist 172
8．2．7 原理图中文菜单和中文输入 173
8．3 基于DataBook的原理图输入 175
8．3．1 DataBook介绍 175
+ ?) b, O. j; `" U3 P* i7 C8．3．2 DataBook使用方法 176
5 ?. b4 J5 b2 ?8 ?& L2 H( w8．3．3 元器件属性的校验和更新 178
8．4 文件输入/输出 179
8．4．1 通用输入/输出 179
0 {! ^7 J% I" X* h; o$ n1 x1 I: r0 D8．4．2 输出到仿真工具 181
第9章 版图的创建与设置 183
/ Y- Q- q8 v/ d$ ~  A- j. k& p9．1 创建版图模板 183
5 u2 Z9 F0 y* e+ N' {5 z9．1．1 版图模板定义 183
9．1．2 创建SiP版图模板 184
8 j! }4 Q0 @! z! w8 p9．2 创建版图项目 194
- Q$ W9 Q5 [+ c6 g  P( l2 e3 u* V9．2．1 创建新的SiP项目 194
9．2．2 进入版图设计环境 195
: \- C, j& J  r+ J5 P9．3 版图相关设置与操作 196
, g4 _1 Z1 |' D; u9．3．1 版图License控制介绍 196
3 G+ j% a) j% v/ f9．3．2 鼠标操作方法 197
- N+ r4 Y% x6 S9．3．3 四种常用操作模式 199
3 L7 l' z) }' x: d- E" K9．3．4 显示控制（Display Control） 202
9．3．5 编辑控制（Editor Control） 207
2 b; p/ R( ^% O0 |. I6 Q9．3．6 智能光标提示 213
/ q& e3 N, P4 a" B9 m* x9 q# U9．4 版图布局 213
9．4．1 元器件布局 213
9．4．2 查看原理图 217
7 s. D; e- Y4 i9．5 封装引脚定义优化 218
9．6 版图中文输入 218
第10章 约束规则管理 221
10．1 约束管理器（Constraint Manager） 221
( u0 l5 }. y" \3 K9 P' i9 P10．2 方案（Scheme） 222
10．2．1 创建方案 223
10．2．2 在版图设计中应用Scheme 223
10．3 网络类规则（Net Class） 224
10．3．1 创建网络类并指定网络到网络类 224
8 Y' a3 ~- S2 N# l: @& H, k2 S. o10．3．2 定义网络类规则 225
10．4 间距规则（Clearance） 226
10．4．1 间距规则的创建与设置 226
1 l( u! ~; ~* A" l  e- h10．4．2 通用间距规则 227
+ E" E" S# @6 }; j8 a10．4．3 网络类到网络类间距规则 228
10．5 约束类（Constraint Class） 229
10．5．1 新建约束类并指定网络到约束类 229
. v4 k; b% R% A$ r' c1 ^- m/ s10．5．2 电气约束分类 230
; `2 L" k3 I9 \2 g5 R: M, w" _10．5．3 编辑约束组 231
10．6 Constraint Manager和版图数据交互 232
10．6．1 更新版图数据 232
1 t8 _  Y$ X0 l9 [) j10．6．2 与版图数据交互 233
; D3 s8 n& p! _: ^! ^& [0 v+ j10．7 规则设置实例 233
10．7．1 等长约束设置 233
6 |' s' u7 v# e% ?" s! n; s& K10．7．2 差分约束设置 236
10．7．3 Z轴间距设置 237
第11章 Wire Bonding设计详解 239
11．1 Wire Bonding概述 239
5 d/ d. I% ~" _11．2 Bond Wire 模型 240
' T) }$ ?" S0 U: {! t) V5 I9 e' S11．2．1 Bond Wire模型定义 241
11．2．2 Bond Wire模型参数 245
( M6 W( [6 z# r( x11．3 Wire Bonding工具栏及其应用 246
11．3．1 手动添加Bond Wire 246
11．3．2 移动、推挤及旋转Bond Finger 247
8 p- H5 ~$ U' d11．3．3 自动生成Bond Wire 248
11．3．4 通过导引线添加Bond Wire 249
11．3．5 添加Power Ring 251
11．4 Bond Wire规则设置 252
# M% T- p- J' v1 _. q/ L& E) _11．4．1 针对Component的设置 253
11．4．2 针对Die Pin的设置 256
11．4．3 在Die Pin和Bond Finger之间添加多根Bond Wire 258
11．4．4 从单个Die Pin扇出多根Bond Wire到多个Bond Finger 258
' u! |5 @) L; E$ w3 [11．4．5 多个Die Pin同时键合到一个Bond Finger上 259
11．4．6 Die to Die Bonding 259
11．5 Wire Model Editor和Wire Instance Editor 261
第12章 腔体、芯片堆叠及TSV设计 265
" g$ L3 E% D  k/ D12．1 腔体设计 265
12．1．1 腔体的定义 265
12．1．2 腔体的创建 267
$ h; ~& X6 y5 d9 n12．1．3 将芯片放置到腔体中 269
12．1．4 在腔体中键合 270
12．1．5 通过腔体将分立式元器件埋入基板 271
12．1．6 在Die Cell中添加腔体实现元器件埋入 273
% u2 `7 ^+ b) \% x, i12．2 芯片堆叠设计 275
12．2．1 芯片堆叠的概念 275
12．2．2 芯片堆叠的创建 276
12．2．3 并排堆叠芯片 277
- q+ R! `4 J1 \) j3 q9 t/ E12．2．4 芯片堆叠的调整及键合 278
12．2．5 芯片和腔体组合设计 279
12．3 2．5D TSV的概念和设计 281
12．4 3D TSV的概念和设计 281
12．4．1 3D TSV的概念 281
0 W/ v" t) L3 u% N: c4 s' M; O( Q12．4．2 3D TSV Cell创建 283
12．4．3 芯片堆叠间引脚对齐原则 284
12．4．4 3D TSV堆叠并互联 284
12．4．5 3D 引脚模型的设置 286
12．4．6 网络优化并布线 287
12．4．7 DRC检查并完成3D TSV设计 289
  W8 @) n; X8 V. b2 m第13章 RDL及Flip Chip设计 291
4 ]; J1 V- s; |4 v: I0 M# A# ~13．1 RDL的概念和应用 291
1 ~6 z- \" n/ O1 n+ G13．1．1 Fan-In型RDL 292
13．1．2 Fan-Out型RDL 293
8 x5 ], t' a$ A7 e' ]# ~13．2 Flip Chip的概念及特点 294
13．3 RDL设计 295
" K3 Z2 f( \& P% T7 m13．3．1 Bare Die及RDL库的建立 295
13．3．2 RDL原理图设计 297
& N; ]  ^0 m7 C% w: ?' j13．3．3 RDL版图设计 297
9 j/ R9 I- D- f6 m/ S- ^. V  L5 F6 w13．4 Flip Chip设计 301
8 l% _6 e/ g/ @( M% f6 u5 S13．4．1 Flip Chip原理图设计 301
13．4．2 Flip Chip版图设计 302
2 d1 @/ b( }$ }! J第14章 版图布线与敷铜 307
: `0 H; A5 s1 l" u0 m; V8 K14．1 版图布线 307
14．1．1 布线综述 307
14．1．2 手工布线 307
" @3 L7 m! K, m14．1．3 半自动布线 312
14．1．4 自动布线 315
14．1．5 差分对布线 316
0 l) u  R1 m6 I$ \- D" ]# d14．1．6 长度控制布线 319
% b5 ?* J/ I. V14．1．7 电路复制 323
14．2 版图敷铜 325
  a& A5 O+ H" l" H5 a2 u  z" ]14．2．1 敷铜定义 325
14．2．2 敷铜设置 325
14．2．3 绘制并生成敷铜数据 328
& L+ V- X# O' h: s6 {9 R* D, h14．2．4 生成敷铜排气孔 331
14．2．5 检查敷铜数据 333
+ E; k8 \- B; n第15章 埋入式无源器件设计 334
15．1 埋入式元器件技术的发展 334
15．1．1 分立式埋入技术 334
15．1．2 平面埋入式技术 336
" ?" ]4 y" D' l  y2 E* f15．2 埋入式无源器件的工艺和材料 336
15．2．1 埋入工艺Processes 337
15．2．2 埋入材料Materials 342
) W8 }  x* l: Y. E6 m15．2．3 电阻材料的非线性特征 346
15．3 无源器件自动综合 347
15．3．1 自动综合前的准备 347
15．3．2 电阻自动综合 349
8 Y; j+ y$ U  T* h+ Q5 _$ l/ p15．3．3 电容自动综合 353
15．3．4 自动综合后版图原理图同步 357
* C8 ]7 @% O  W, V7 z/ p6 z7 L. s第16章 RF电路设计 359
/ N4 s2 v  f; s. W* R& G. E16．1 RF SiP技术 359
16．2 RF设计流程 360
16．3 RF元器件库的配置 360
) E! \( N" i4 r% S) g16．3．1 导入RF符号到设计中心库 360
& J0 K6 @0 J7 ]2 [16．3．2 中心库分区搜索路径设置 361
7 a/ y( d) D3 c% Q8 D# f16．4 RF原理图设计 362
16．4．1 RF原理图工具栏 362
16．4．2 RF原理图输入 364
16．5 原理图与版图RF参数的相互传递 365
; O. a+ M, x2 ?- j' {16．6 RF版图设计 368
0 j  o: R1 V3 J: o. b- t6 y5 M' x16．6．1 RF版图工具箱 368
16．6．2 RF单元的3种类型 369
16．6．3 Meander的绘制及编辑 370
8 ~5 `1 M/ `: O# w, `: X0 P16．6．4 创建用户自定义的RF单元 372
16．6．5 Via添加功能 374
16．6．6 RF Group介绍 376
5 J3 j* m- Q0 k6 x* n- x' U16．6．7 Auto Arrange功能 377
& t- F- n& [7 H8 t1 |; c* s% r" \' c$ A16．6．8 通过键合线连接RF单元 377
1 s, N' {/ s' o' ~# s5 D6 ]$ M16．7 与RF仿真工具连接并传递数据 378
16．7．1 连接RF仿真工具 378
/ j9 B1 H& `2 c  E4 G  n! ]16．7．2 原理图RF数据传递 380
16．7．3 版图RF数据传递 381
第17章 刚柔电路和4D SiP设计 383
17．1 刚柔电路介绍 383
9 z  R+ c# O7 X8 z3 M17．2 刚柔电路设计 384
1 W. K- @$ O0 d9 Y2 V8 U; ?17．2．1 刚柔电路设计流程 384
2 G$ T6 J- K$ J* m2 s/ M& F17．2．2 刚柔电路特有的层类型 384
17．2．3 刚柔电路设计步骤 385
17．3 复杂基板技术 394
" G. U4 x" y+ ^/ p1 q7 g1 W% ^2 o17．3．1 复杂基板的定义 394
17．3．2 复杂基板的应用 394
2 q1 I- `+ e  R1 \* i17．4 基于4D集成的SiP设计 395
17．4．1 4D集成SiP基板定义 395
5 I6 E5 x: h$ X: x) }( b$ Z0 t17．4．2 4D集成SiP设计流程 396
$ {# J- }  @1 D6 g  |17．5 4D SiP设计的意义 400
第18章 多版图项目与多人协同设计 401
18．1 多版图项目 401
, E  V6 E6 N' Z18．1．1 多版图项目设计需求 401
9 S- V3 K$ A: |; r- i& g18．1．2 多版图项目设计流程 402
9 ~& ?: m% r3 y0 B2 v6 b18．2 原理图多人协同设计 405
18．2．1 原理图协同设计的思路 405
18．2．2 原理图协同设计的操作方法 406
! f4 ~+ R2 D( S! a* i2 o18．3 版图多人实时协同设计 409
9 U6 |. Q! G( P" z; {# F; Z18．3．1 版图实时协同软件的配置 411
18．3．2 启动并应用版图实时协同设计 412
  P7 m1 D  `, R% y9 |第19章 基于先进封装（HDAP）的SiP设计流程 415
7 m8 x0 R. H* l* P) V8 ^19．1 先进封装设计流程介绍 415
) v" ~# X: r: Y' d5 g2 ?19．1．1 HDAP设计环境需要的技术指标 415
19．1．2 HDAP设计流程 416
19．1．3 设计任务HBM（3D+2．5D） 417
19．2 XSI设计环境 418
5 e7 n4 ~& }5 y( N! B* `19．2．1 设计数据准备 418
19．2．2 XSI常用工作窗口介绍 419
4 a9 ]9 O$ ^0 n6 N2 `9 v, k19．2．3 创建项目和设计并添加元器件 420
2 P& b1 B8 s) O% M$ q3 B2 X0 v19．2．4 通过XSI优化网络连接 428
19．2．5 版图模板选择 429
19．2．6 设计传递 431
% Y2 Y3 C/ D0 H8 v19．3 XPD设计环境 432
+ y8 J) U$ h5 `  P$ g6 E19．3．1 Interposer数据同步检查 432
3 G  ?  C0 e& b% [19．3．2 Interposer布局布线 433
19．3．3 Substrate数据同步检查 434
4 i* h+ H6 E7 H1 O8 ^19．3．4 Substrate布局布线 435
" m. ~5 `' ~3 ]$ M+ h6 a19．4 3D数字化样机模拟 436
19．4．1 数字化样机的概念 436
19．4．2 3D View环境介绍 437
: f" o/ v1 [7 Z' g- ~19．4．3 构建HDAP数字化样机模型 438
8 K# \9 D$ v/ _' Q3 \第20章 设计检查和生产数据输出 444
20．1 Online DRC 444
20．2 Batch DRC 445
20．2．1 DRC Settings选项卡 445
20．2．2 Connectivity and Special Rules选项卡 447
20．2．3 Batch DRC方案 448
20．3 Hazard Explorer介绍 449
; k0 n0 n! y4 G20．4 设计库检查 453
20．5 生产数据输出类型 453
( ]/ {4 s' Q8 _* s; a; J$ Q20．6 Gerber和钻孔数据输出 454
9 ?  s$ U) o3 k2 r/ D1 _' i20．6．1 输出钻孔数据 454
3 O( ?& ?, K) l7 ~20．6．2 设置Gerber文件格式 457
20．6．3 输出Gerber文件 458
20．6．4 导入并检查Gerber文件 460
( v% q2 y3 G9 Z% `0 H, m20．7 GDS文件和Color Map输出 461
' \  ?* W6 Z  M20．7．1 GDS文件输出 461
20．7．2 Color Map输出 462
20．8 其他生产数据输出 463
20．8．1 元器件及Bond Wire坐标文件输出 463
2 X9 w$ V5 H  ]20．8．2 DXF文件输出 465
# l; \: E  m6 ], N& k# y( y20．8．3 版图设计状态输出 465
- T* l8 d8 O6 [: M. W20．8．4 BOM输出 466
第21章 SiP仿真验证技术 468
$ M% V* ^: n+ ^9 b& `; I; v21．1 SiP仿真验证技术概述 468
, \2 t0 E0 x) u4 M) H, B5 m6 b7 V/ M21．2 信号完整性（SI）仿真 469
21．2．1 HyperLynx SI 信号完整性仿真工具介绍 469
21．2．2 HyperLynx SI 信号完整性仿真实例分析 471
21．3 电源完整性（PI）仿真 476
! {. e8 \; O+ h6 }! J21．3．1 HyperLynx PI 电源完整性仿真工具介绍 477
21．3．2 HyperLynx PI 电源完整性仿真实例分析 478
21．4 热分析（Thermal）仿真 483
, a# y- u) N3 A21．4．1 HyperLynx Thermal热分析软件介绍 484
21．4．2 HyperLynx Thermal热仿真实例分析 484
) D3 v3 H/ \4 R. W0 i4 a$ p21．4．3 FloTHERM软件介绍 488
2 G0 Z8 ^# E- O0 p* E9 ^; G9 v+ e21．4．4 T3Ster热测试设备介绍 489
21．5 先进3D解算器 491
21．5．1 全波解算器（Full-Wave Solver）介绍 491
21．5．2 快速3D解算器（Fast 3D Solver）介绍 491
: e0 A+ |9 z- [21．6 数/模混合电路仿真 492
! \5 U& c: y0 m21．7 电气规则验证 493
: U" Z3 n$ ~) {/ Q21．7．1 HyperLynx DRC工具介绍 493
! o9 E! O! P  p9 ]) w21．7．2 电气规则验证实例 494
21．8 HDAP物理验证 499
5 B, ^  r7 s  x2 H' L, c" R$ N21．8．1 Calibre 3DSTACK工具介绍 499
4 _4 x3 R4 m( ~/ {, F. G21．8．2 HDAP物理验证实例 500
第2部分参考资料及说明 506
, u; [- S  w9 ~3 b, q7 ^( w
第3部分 项目和案例
+ m0 z0 _% c3 n8 i% V第22章 基于SiP技术的大容量存储芯片设计案例 509
  K0 m) y6 S" m: y/ ^7 z6 c22．1 大容量存储器在航天产品中的应用现状 509
: F5 J* m0 O& a6 n22．2 SiP技术应用的可行性分析 510
7 l" ?; q) j( ~/ X22．2．1 裸芯片选型 510
+ W1 h: N2 t% m8 O4 C+ k" a22．2．2 设计仿真工具选型 512
22．2．3 生产测试厂家选择 512
22．3 基于SiP技术的大容量存储芯片设计 513
22．3．1 方案设计 513
22．3．2 详细设计 514
8 Y& I2 B0 p' k7 y2 d& y22．4 大容量存储芯片封装和测试 519
* T; P% r1 w! v5 z7 V22．4．1 芯片封装 519
$ \  l* ~& v9 q3 x( A& h" z3 Y% C22．4．2 机台测试 522
22．4．3 系统测试 523
% G7 X! H5 ^! l) d. x22．4．4 后续测试及成本比例 523
7 d  W9 j# W( Y+ E22．5 新旧产品技术参数比较 525
% K! D0 g( {% C8 r# Z; o第23章 SiP项目规划及设计案例 526
( ]8 Q) e! v3 a1 I23．1 SiP项目规划 526
23．1．1 SiP的特点和适用性 526
23．1．2 SiP项目需要明确的因素 529
% ?9 @2 _9 y* U8 e2 T$ m) p9 h% R23．2 设计规则导入 530
8 R9 V6 M2 Z' w, \" o5 Y% I23．2．1 项目要求及方案分析 530
23．2．2 SiP实现方案 532
23．3 SiP产品设计 534
23．3．1 符号及单元库设计 534
" b/ r& v0 E2 g23．3．2 原理设计 535
( U6 E* K2 P' B% ^$ c# e23．3．3 版图设计 535
23．3．4 产品封装测试 538
第24章 2．5D TSV技术及设计案例 539
24．1 2．5D集成的需求 539
6 g" R3 @; `: P% \* T( g24．2 传统封装工艺与2．5D集成的对比 539
1 G5 b( @8 ]9 b; `24．2．1 倒装焊（Flip Chip）工艺 539
8 U; w/ s- ]: f, _. L0 T6 ?24．2．2 引线键合（Wire Bonding）工艺 540
' i7 R" d3 n9 F4 D3 ~* H  |' m24．2．3 传统工艺与2．5D集成的优劣势分析 541
24．3 2．5D TSV转接板设计 542
% H8 V8 Y* E& J( b$ M24．3．1 2．5D TSV转接板封装结构 542
- ~- x5 S0 t2 Q( F7 V  Y24．3．2 2．5D转接板封装设计实现 543
1 W+ L+ }& C- n- N% P1 o% ?24．4 转接板、有机基板工艺流程比较 544
24．4．1 硅基转接板 544
' g0 o' f+ ?# W" T# x8 ~24．4．2 玻璃基转接板 545
! _) ^% h1 B( M! k% v24．4．3 有机材料基板 546
24．4．4 两种转接板及有机基板工艺能力比较 546
24．5 掩模版工艺流程简介 546
. [' e. G8 c& z0 y! }24．6 2．5D硅转接板设计、仿真、制造案例 547
: x$ L( ?& J" ^# V# }24．6．1 封装结构设计 547
1 g. Y7 T4 N* R2 B+ q3 s! ^24．6．2 封装布线、信号及结构仿真 549
1 H& z) Q$ P5 i' r$ \9 m+ X& l) o24．6．3 生产数据Tape Out及掩模版准备 552
& {' C8 I- J/ {( A- L0 p  d. B1 _24．6．4 转接板的加工及整体组装 553
1 t2 o" z/ v2 j, Q% H! w第25章 数字T/R组件SiP设计案例 554
25．1 雷达系统简介 554
4 D6 v$ q- }1 [3 |25．2 SiP技术的采用 555
25．3 数字T/R组件电路设计 556
25．3．1 数字T/R组件的功能简介 556
; o, V$ N/ S2 t' U: i7 O25．3．2 数字T/R组件的结构及原理设计 557
5 W6 S( t/ F# J25．3．3 数字T/R组件的SiP版图设计 559
25．4 金属壳体及一体化封装设计 560
第26章 MEMS验证SiP设计案例 563
26．1 项目介绍 563
26．2 SiP方案设计 563
26．3 SiP电路设计 564
26．3．1 建库及原理图设计 565
: A; Y0 z* u( i) ^26．3．2 SiP版图设计 566
0 `  j/ p6 P& \5 t. X26．4 产品组装及测试 571
第27章 基于刚柔基板的SiP设计案例 572
" p: \: `- f1 [27．1 刚柔基板技术概述 572
27．2 射频前端系统架构和RF SiP方案 573
; a0 h% H; B: s$ u6 {: N2 W27．2．1 微基站系统射频前端架构 573
27．2．2 RF SiP封装选型 574
27．2．3 RF SiP基板层叠设计 575
27．3 基于刚柔基板RF SiP电学设计仿真 576
& N% O& Q7 O6 i  B3 J' w, a27．3．1 信号完整性设计和仿真 576
+ u- g) r2 d6 I  t( D. w27．3．2 电源完整性设计与仿真 579
27．4 基于刚柔基板RF SiP的热设计仿真 581
27．4．1 封装结构的热阻网络分析 581
. i% r8 ~0 X8 H27．4．2 RF SiP的热性能仿真研究 583
7 t, F! v% B' z$ N7 u  b27．5 基于刚柔基板RF SiP的工艺组装实现 587
3 y7 p& I# H4 V9 A6 [2 S第28章 射频系统集成SiP设计案例 589
/ W# ~' p8 [: v* Y0 C6 L9 q7 Z28．1 射频系统集成技术 589
5 r) e; S4 r, G28．1．1 射频系统简介 589
28．1．2 射频系统集成的小型化趋势 590
3 M5 V# D2 G  {  L3 Q  C9 N+ A28．1．3 RF SiP和RF SoC 592
5 [# L, X3 g/ N# o% G28．2 射频系统集成SiP的设计与仿真 594
28．2．1 RF SiP封装结构设计 594
28．2．2 RF SiP电学互连设计与仿真 595
8 v& T  m# J/ P28．2．3 RF SiP的散热管理与仿真 597
28．4 射频系统集成SiP的组装与测试 598
28．4．1 RF SiP的组装 598
28．4．2 RF SiP的测试 599
# }$ O2 H" m  [$ u% ~0 w; m, |; |第29章 基于PoP的RF SiP设计案例 602
% w3 r: z3 J' t+ E) l* d3 z29．1 PoP技术简介 602
29．2 射频系统架构与指标 603
29．3 RF SiP结构与基板设计 606
, n, J! ]8 z6 W/ d: s, \/ X- K5 m29．3．1 结构设计 606
29．3．2 基板设计 607
29．4 RF SiP信号完整性与电源完整性仿真 610
9 U8 T1 ?- u* Y! l. g29．4．1 信号完整性（SI）仿真 610
29．4．2 电源完整性（PI）仿真 610
29．5 RF SiP热设计仿真 612
29．6 RF SiP组装与测试 613
第30章 SiP基板生产数据处理案例 616
/ N# |1 O  W- N0 F6 h5 l30．1 LTCC、厚膜及异质异构集成技术介绍 616
30．1．1 LTCC技术 616
30．1．2 厚膜技术 617
30．1．3 异质异构集成技术 617
30．2 Gerber数据和钻孔数据 618
30．2．1 Gerber数据的生成及检查 618
30．2．2 钻孔数据的生成及比较 621
30．3 版图拼版 622
! e, d  c/ W7 H  e  N30．4 多种掩模生成 624
30．4．1 掩模生成器 624
30．4．2 掩模生成实例 626
3 W0 ?! V. w9 f/ b第3部分参考资料 630
9 `0 h$ C5 F" n后记和致谢 632
* K. s  z+ x4 ~& G- ]. o

APP_338522

李总应该把书上的例子放上来让大家练习

li_suny

APP_338522 发表于 2021-7-2 14:22
李总应该把书上的例子放上来让大家练习

; R7 w+ m/ c2 t9 z- f) n谢谢建议，我找一个合适的例子！

ytmgadw

书看了，非常不错

wenspig

你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

li_suny

ytmgadw 发表于 2021-7-7 21:49
书看了，非常不错

% N" y' }6 o: \2 Z7 j/ a谢谢评价！
& q6 D) E6 w! z& V5 L( j% I

li_suny

wenspig 发表于 2021-7-28 10:00
. Q+ E, h1 a& M" F( v- Y$ q" ~6 w! R你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

第一部分概念和技术，第三部分项目和案例均和软件无关；第二部分设计和仿真，用的是Mentor，现在称为Siemens EDA。