找回密码
 注册
查看: 2307|回复: 9
打印 上一主题 下一主题

新书《基于SiP技术的微系统》介绍及技术答疑帖!

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2021-5-20 17:05 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 22:34 编辑 3 n  s: c( e: s( ]% X5 r* i
2 e1 U# |: U. ]- O) e4 d3 q' }% m
近期,我出版了一本新书《基于SiP技术的微系统》。; c/ d$ Z- w( J' Q
发这个帖子的目的是为了宣传一下这本书,另外,也通过这个机会和对SiP与先进封装技术感兴趣的工程师进行技术交流。- {  C9 P% i' Y% x( A
9 E" d1 K& {" G3 {1 n. X. d
这本书共分为三大部分:概念和技术,设计和仿真,项目和案例,共30章内容。
/ w4 b, ~, |. i" c/ _1 L% F+ p2 }( W) \6 ~) x- e
第一部分针对SiP及先进封装技术的发展,以及作者多年经验积累和深入思考,提出了功能密度定律、Si3P和4D集成等原创概念,介绍了SiP和先进封装的最新技术,包含5章内容。
; v% x. p' ]- q2 W8 q/ P4 |第二部分依据最新EDA软件平台,阐述了SiP及HDAP的设计仿真验证方法,涵盖了Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP设计,多版图项目及多人协同设计等热点技术,以及SiP和HDAP的各种仿真,电气验证和物理验证,包含16章内容。/ d$ O: R9 ]/ Y! m! _, |) w
第三部分介绍了不同类型SiP实际项目案例的设计仿真和实现方法,包含9章内容。
* v" u4 i! u. i+ u) P本书通过原创概念、热点技术、实际案例的结合,讲述了SiP从构思到实现的整个流程,并使读者从中获益。$ F+ x. m1 j( }4 Z8 H
本书适合SiP用户、先进封装用户,PCB高级用户,对SiP和先进封装感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能、高可靠的科技工作者。
0 k+ w2 m1 c& C  |% v3 K1 J( k7 x
新书详细介绍文章8 X! Y7 [9 C( j  {
# @; s6 z* W, }5 F: J

  Z# ~1 K5 D& W" o' j/ M+ {3 C! Y
' w9 _2 M3 _6 N9 U6 j4 J& ?6 q
无论是对本书中的内容,还是对SiP和先进封装设计过程中有疑问,都可以跟帖提问,我也会尽可能及时给予回复!& \# y/ j' V* @6 J( w3 f) B) T
8 F% w7 A/ T+ j' D5 ?* I

# q5 O% J" d2 ?% r7 s: d4 Z  \1 }8 r3 B* W: S& i  d5 P7 Z

该用户从未签到

2#
 楼主| 发表于 2021-5-21 20:26 | 只看该作者
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 22:25 编辑
# v7 J% o% p0 i/ t  d- A2 J, Y9 w) ^" \! C. r7 z
今天参加SiP大会(上海站),会议现场600+人,在线观众6000+,真是一场行业盛会!* B' W1 z2 O" H6 K
' q4 f* s& F3 A+ J+ K- Q9 N

( s2 |# ?3 ]/ t% K8 h& H
0 L4 ^, x* p, R* f' C9 |4 M# k) `8 N7 K0 U, D+ r' s3 `

9 |* X' Z* d" Y' o6 i

该用户从未签到

3#
 楼主| 发表于 2021-5-21 20:34 | 只看该作者
本帖最后由 li_suny 于 2021-6-21 17:39 编辑
7 P, W: |; q& q& m! t+ c9 |
5 O+ F) e- m# e6 E大会主办方专门从电子工业出版社订购了一批新书,作为送给嘉宾的礼品!
: j' l6 c( t' M1 b: o  f/ O) O# {% a  ?7 f) b+ m4 S5 d' k# ], J8 L1 b% `
; G! S3 O2 p; l9 Z. i) x' ?/ P

; z" x8 x; H) P
8 G/ R! a* A" k: W% A* f
+ t5 z. Q% \  F& E
6 N5 F$ g$ I& q1 s  {0 N$ I! Z, L

该用户从未签到

4#
 楼主| 发表于 2021-6-21 22:34 | 只看该作者
《基于SiP技术的微系统》目 录  ! k( g1 ]/ E! {/ e8 w

% ]8 N) D4 a2 V: |
第1部分 概念和技术
" S, p( e1 C: R7 {
第1章 从摩尔定律到功能密度定律 3
* _3 g+ W$ v" B7 S& b1.1 摩尔定律 3
1 t1 Z3 ^  X* T2 E' w2 R1.2 摩尔定律面临的两个问题 4% Q- A7 W7 Y! a% S
1.2.1 微观尺度的缩小 4
9 \# u: b, c% F8 r1.2.2 宏观资源的消耗 6
8 M* X$ c" `  z2 l$ H1.3 功能密度定律 10. K6 y+ e! p$ c; P$ w; n: B1 @3 |/ ~
1.3.1 功能密度定律的描述 10
" M7 ], ]: I. |1.3.2 电子系统6级分类法 11$ D6 H  U  ]* A2 [/ N! _8 T9 K% k8 [. Q
1.3.3 摩尔定律和功能密度定律的比较 132 B5 Y8 c* s, p& D
1.3.4 功能密度定律的应用 14' f  ^8 {* V: B# g  J3 ~$ k
1.3.5 功能密度定律的扩展 17
4 `9 j" J% B' b' [1.4 广义功能密度定律 17- f) U: C- Z4 O% g+ {% Y
1.4.1 系统空间定义 180 Z/ n% b* v/ @. V# [
1.4.2 地球空间和人类宇宙空间 18
; w2 Q3 m1 M7 g1.4.3 广义功能密度定律 206 Q5 H& [0 Z+ }- i/ f+ w, y4 S% v
第2章 从SiP到Si3P 21
" J7 G6 b- {# v" i! T) N5 i* o2.1 概念深入:从SiP到Si3P 21
7 g9 G( `2 z1 F9 B4 a9 _6 B( W2.2 Si3P之integration 23
0 ^3 @) H. h) v! R0 Y" o7 n2.2.1 IC层面集成 23
8 {# Q% P" T$ q; {$ F) w  ^. [9 u2.2.2 PCB层面集成 26
5 e/ Z8 e0 _: L- U6 h2.2.3 封装层面集成 287 G, t' |% `  c2 a
2.2.4 集成(Integration)小结 30
4 k' ?4 z# y3 `7 f% B2.3 Si3P之interconnection 31
4 s) g) j. d, p* Q2.3.1 电磁互联 312 ~  a5 W) T$ k* H7 m% _
2.3.2 热互联 36
) P' ]1 H0 |0 S& C6 M1 b2.3.3 力互联 378 }" M. {" s' p9 G
2.3.4 互联(interconnection)小结 39
: o# w. _# m6 e+ ~% n2.4 Si3P之intelligence 39
5 b2 X; H/ p/ x+ ~2.4.1 系统功能定义 40
6 q1 y( m5 c8 f: u! I8 h/ d2.4.2 产品应用场景 416 o% @# u4 `9 d
2.4.3 测试和调试 413 a8 A. ?6 C+ ^( Y' ?7 [
2.4.4 软件和算法 42
% I2 s$ @8 ?1 Q+ G8 M) j2.4.5 智能(intelligence)小结 44
: _+ O( O6 c/ t; O2.5 Si3P总结 44( S0 i; P0 r% `6 k7 m/ z
2.5.1 历史回顾 44
2 `  l1 q, T& J9 K2.5.2 联想比喻 45
: i1 ?$ r1 z' U( Y$ T2.5.3 前景预测 46
6 l2 B  ^' V+ j5 O第3章 SiP技术与微系统 47
3 u8 n- |1 R) [" E3 o3.1 SiP技术 47
- ^& e8 X7 V: B% ?6 f' X* U3.1.1 SiP技术的定义 47
+ k- Q  V0 R1 ]5 Z3.1.2 SiP及其相关技术 48
2 _1 P7 s% x' c; D+ ^/ A0 d3.1.3 SiP还是SOP 50
- {5 A6 }0 W2 ~' I3.1.4 SiP技术的应用领域 515 z% L; Y% D4 |& {8 t* R$ t
3.1.5 SiP工艺和材料的选择 55
! o8 p; h; e% C) ]8 C/ J# }$ A3.2 微系统 57
4 R& p1 @7 v) m8 a7 Y) O3.2.1 自然系统和人造系统 570 o+ U: [8 t3 F, p2 ?
3.2.2 系统的定义和特征 58( N- e; [1 q4 Q9 @: y: W+ V
3.2.3 微系统的新定义 59/ L2 _% e5 k( P$ Z* ~
第4章 从2D到4D集成技术 61* n+ P+ T) A1 q; H7 v
4.1 集成技术的发展 61
- ?+ c; F/ z0 V% @4.1.1 集成的尺度 61- }( u) ^6 m2 s* o3 K  R  w
4.1.2 一步集成和两步集成 62
1 d2 ]5 W- e4 C4.1.3 封装内集成的分类命名 63
4 O" h: D/ D! B0 g4.2 2D集成技术 64, Y% G+ @  m# m
4.2.1 2D集成的定义 64# j# E! n" U4 k
4.2.2 2D集成的应用 64
1 i, s( t( e( j, i+ d2 ^4.3 2D+集成技术 657 c/ e+ |) L" Z2 }
4.3.1 2D+集成的定义 659 u+ k) w* d/ v2 X
4.3.2 2D+集成的应用 664 j& J$ |$ F. H9 ]" V, W0 o. W
4.4 2.5D集成技术 67. o; P# u, g! c$ P. ^$ w7 `& o
4.4.1 2.5D集成的定义 67' G6 C. f6 h8 S; h. l& H: T
4.4.2 2.5D集成的应用 67
* x1 I9 x5 p; i% P0 o4.5 3D集成技术 68
! G# n% I2 v( j- O( k0 N: f8 t3 Z, q! b: F4.5.1 3D集成的定义 68
0 p' m  k; _9 M& S2 _4.5.2 3D集成的应用 697 i$ Q) _9 Z( l& E
4.6 4D集成技术 70
; {. U5 q$ ^0 k# |4.6.1 4D集成的定义 70
. l& C" y' X- z" u& T4.6.2 4D集成的应用 71
, H' u+ [% Y- Z# R. ]* a  |6 u4.6.3 4D集成的意义 73
4 O9 }% l5 O3 t4.7 腔体集成技术 737 w+ H7 }9 B) G) t% r2 U7 Y
4.7.1 腔体集成的定义 73
1 R8 A# Q8 i( s; g$ n: S4.7.2 腔体集成的应用 74, O* F( S# E* V  X; L; w+ m5 l
4.8 平面集成技术 767 a7 r# g& q4 p, N& G+ q( J2 I) S( p
4.8.1 平面集成技术的定义 76" c4 p6 u4 ]$ n: o
4.8.2 平面集成技术的应用 76
, C  n+ {) L7 [0 f3 u2 l4.9 集成技术总结 78
! M1 Y( p/ h1 h第5章 SiP与先进封装技术 80$ Q* t( J, b1 U+ ?
5.1 SiP基板与封装 80) Q* n/ E. V% ~: n+ C1 @* G& V0 E
5.1.1 有机基板 80
: n, V$ {- U2 ^5.1.2 陶瓷基板 82. e+ @. Q- J: {0 A: k1 y6 F
5.1.3 硅基板 854 x  M5 N" b1 c1 M: U6 c
5.2 与先进封装相关的技术 85
& W7 ]% u+ Y4 m5.2.1 TSV技术 86
3 V! i& [" m' W# L; U5.2.2 RDL技术 87
" i8 h2 y* o: l3 E0 E5 L5.2.3 IPD技术 883 B0 X/ ^& D' s: G2 ^
5.2.4 Chiplet技术 89
" c" l" e+ u3 _  l: B9 z; c5.3 先进封装技术 92* A' k3 I1 @+ n  d4 O
5.3.1 基于XY平面延伸的先进封装技术 93
" ?. y& c* u7 e% {# ]( n5.3.2 基于Z轴延伸的先进封装技术 96
! ^4 {8 q. h* V3 a6 v- X5.3.3 先进封装技术总结 103
" A1 h2 U% Q, f$ }6 F4 \9 n# b) [5.3.4 先进封装的四要素:RDL、TSV、Bump和Wafer 104( V+ k/ i6 Y" Z0 t% y" V" `8 L
5.4 先进封装的特点和SiP设计需求 105
/ ~$ w0 J$ x$ B5.4.1 先进封装的特点 105" Z% k& j. k5 v: E3 q: L0 T
5.4.2 先进封装与SiP的关系 106
9 x9 G7 D/ M& k  q& O( F5.4.3 先进封装和SiP设计需求 107
; M* k- g) u; `第1部分参考资料及说明 108
$ U3 G6 ], N+ ]. N
* e1 l: c1 P6 B
第2部分 设计和仿真5 v) L- K" d# h7 m3 m: L
第6章 SiP设计仿真验证平台 111. t% m8 l% N2 K+ g& ^% k, O1 C6 C
6.1 SiP设计技术的发展 111
0 C& S3 b; K0 r" y2 }) X% o6.2 SiP设计的两套流程 112
; _7 I- D# D! Q/ K+ T6.3 通用SiP设计流程 112' i1 m, F% Y# l! T8 {- X% V
6.3.1 原理图设计输入 112
5 A" E! ^) p  c# X, O8 `4 J" q6.3.2 多版图协同设计 112
6 @6 p0 f$ P- e  {/ W0 M6.3.3 SiP版图设计9大功能 113
  Q' D: z6 `$ J" h# {" P* @6.4 基于先进封装HDAP的SiP设计流程 118& f$ {8 [  H) \3 j0 `9 `5 |
6.4.1 设计整合及网络优化工具XSI 119, A' b% v7 A( d: `  g& Q
6.4.2 先进封装版图设计工具XPD 1208 z) A0 ^5 ]# n! _5 `
6.5 设计师如何选择设计流程 121
; t5 _* ?. N5 M8 b6.6 SiP仿真验证流程 122
7 j6 N; Q4 b, P5 r2 B3 A, l6.6.1 电磁仿真 1224 p, y* r( u' b# O
6.6.2 热学仿真 124' s( s! N! |4 r  S. V' E
6.6.3 力学仿真 125& e7 j0 t. w6 u; X  h
6.6.4 设计验证 125
5 q1 A( ^* Y, m- e6.7 SiP设计仿真验证平台的先进性 127  p; J- x1 ?, n8 l6 y8 s) q+ C
第7章 中心库的建立和管理 129& R: B- z( x: }9 w
7.1 中心库的结构 129
0 d3 ]* h5 d8 p7 y7.2 Dashboard介绍 130
9 E6 o7 r7 k, N2 Q3 j7.3 原理图符号(Symbol)库的建立 1310 S. ]6 }; d5 L1 a5 O' I
7.4 版图单元(Cell)库的建立 1363 g% [+ ~$ `% X. G
7.4.1 裸芯片Cell库的建立 136
; z& {  U  n+ r, B3 d% m7.4.2 SiP封装Cell库的建立 141( ]" p2 l0 m0 T0 y
7.5 Part库的建立和应用 1451 m# @0 Y) `, h5 s& j
7.5.1 映射Part库 145
; a( f6 j. k4 H% s) h. ]% G7.5.2 通过Part创建Cell库 147
3 Q5 ]! s7 x' ?$ g& u9 `9 D7.6 中心库的维护和管理 148
! G$ Z  q- H- S5 R6 g7.6.1 中心库常用设置项 149
1 c+ [, m' m+ |" C1 x4 l1 r7 P7.6.2 中心库数据导入导出 149
1 v' y2 q# @+ E1 _8 n' c& i. x第8章 SiP原理图设计输入 152
9 T* Y, k9 _' ]6 Z6 F5 h% a% W  l8.1 网表输入 1521 \& r8 \( p  ^/ \
8.2 原理图设计输入 154+ e5 |- }: Y) ^2 S
8.2.1 原理图工具介绍 1541 j# T: c) h: M; b1 @) F
8.2.2 创建原理图项目 162; ^4 |- |/ ]( @, k
8.2.3 原理图基本操作 163
6 o7 R+ M' q# ~# |8.2.4 原理图设计检查 167$ N0 e7 W* M" {& Y* |
8.2.5 设计打包Package 1699 f0 A" M5 l& o; p/ g& K) g
8.2.6 输出元器件列表Partlist 172
0 e8 I* V1 I% G  B8.2.7 原理图中文菜单和中文输入 173
% m( v2 Q+ X0 z8 ^. X$ o" j8.3 基于DataBook的原理图输入 175
8 R7 f( Y: _: A/ |7 j8.3.1 DataBook介绍 1750 l6 Y9 y% p( d- G/ U; l5 q
8.3.2 DataBook使用方法 176
" y& p! N+ B5 L! e( n- ^+ O6 U1 A8.3.3 元器件属性的校验和更新 178# ^) F8 `  u: W- h  N
8.4 文件输入/输出 179* l% ?! l( a' p6 j/ O, S' c
8.4.1 通用输入/输出 179* Y; o3 A5 F9 r3 ^5 J. G" F
8.4.2 输出到仿真工具 1819 g8 O; a+ L# O6 Z9 v4 W, c
第9章 版图的创建与设置 1837 F6 O6 n: J3 x) y8 k
9.1 创建版图模板 183
$ V& ?; `  I; y0 R$ B9.1.1 版图模板定义 183
' G) m3 N% W/ t% \9.1.2 创建SiP版图模板 184- `2 D' r" Z* H' W! {
9.2 创建版图项目 194* _( n* m  w1 a* e5 B! p
9.2.1 创建新的SiP项目 194# b0 a0 I0 Q  A- L. V
9.2.2 进入版图设计环境 195
  \2 L# P. _0 t9 y  x* p5 O, Y5 l. |, F9.3 版图相关设置与操作 196
, c9 [, ?5 l5 B: e; V6 @9.3.1 版图License控制介绍 196
) }: i$ o  Z  W1 {, M( Z9.3.2 鼠标操作方法 197+ r" ]) B; o% Z* P9 D! c
9.3.3 四种常用操作模式 199
, @9 }+ j/ ~  q" ^2 S7 J9 g9.3.4 显示控制(Display Control) 202
" y# w) u7 H" a  ]8 Q; P1 T9.3.5 编辑控制(Editor Control) 207# ^# e7 h! M6 f7 t, W7 d
9.3.6 智能光标提示 213( X" l* q1 f/ z9 I3 I$ Z0 h1 j
9.4 版图布局 213! R: x) Z( v+ f) J' T8 e
9.4.1 元器件布局 213
2 \5 m# h1 {" e& E7 p& j- H9.4.2 查看原理图 217
2 h; r: h6 O/ ^0 J" A, F+ n0 J9 ]9.5 封装引脚定义优化 2181 |# x# ^3 M* n7 r( P0 c
9.6 版图中文输入 2181 `7 L* \) Z* v: [- K
第10章 约束规则管理 221
# `- R, s& g, v$ F" z/ F! E10.1 约束管理器(Constraint Manager) 221  h% m8 ~& E; H# F9 e# H4 ]7 O
10.2 方案(Scheme) 222
  V$ I! M8 [) P: z! Y# x4 c10.2.1 创建方案 223* P3 a, q6 E5 o: J: H
10.2.2 在版图设计中应用Scheme 223& B0 R. A% m/ G$ _
10.3 网络类规则(Net Class) 2249 C7 @( D( b" x: b$ q
10.3.1 创建网络类并指定网络到网络类 224) ]" Y# F- o4 a3 S7 u' n4 l
10.3.2 定义网络类规则 225
2 X/ n' p7 i" @6 O# P7 u( D* U% N2 j10.4 间距规则(Clearance) 226$ J8 b: F; P  s# V/ w' t: [
10.4.1 间距规则的创建与设置 2266 W3 Q9 _+ f1 D2 d7 P- I
10.4.2 通用间距规则 227
/ D/ ?2 E* b' r# Z2 W# P0 E" n10.4.3 网络类到网络类间距规则 228% d0 j7 ?$ t, d8 k$ e
10.5 约束类(Constraint Class) 229
5 |" R/ Q, Z; U& y$ J" h10.5.1 新建约束类并指定网络到约束类 229
$ O* C, V8 X6 s  v) o( f8 j10.5.2 电气约束分类 2307 @1 a' a' b  ~3 D
10.5.3 编辑约束组 231* u! g" I8 }# z, S- q: ^  T# a
10.6 Constraint Manager和版图数据交互 2323 q& W/ M4 B5 k( x! Q! e: o8 h9 A1 @7 W
10.6.1 更新版图数据 232
6 c( H- m" X# Y10.6.2 与版图数据交互 233
. C7 l- f! l4 }10.7 规则设置实例 2330 \) G- v1 i* L" }( a& c
10.7.1 等长约束设置 2334 O  z( z, n) q8 `" n( M. ^+ x* u
10.7.2 差分约束设置 236. C# b4 l2 E1 p. m+ r* f" f
10.7.3 Z轴间距设置 237
6 a5 X3 H7 t- l( b( f% e2 m9 t第11章 Wire Bonding设计详解 239" E$ ^* G# ?" Z) L
11.1 Wire Bonding概述 2398 X; H' O/ j  u4 ?2 d1 _
11.2 Bond Wire 模型 2404 @4 @& F- t! \3 U8 Y
11.2.1 Bond Wire模型定义 241  [/ z- i) E4 H2 Q
11.2.2 Bond Wire模型参数 245
! n3 Z" U" d) x0 Q$ E, \! U11.3 Wire Bonding工具栏及其应用 246# L/ Z0 l) l4 Z' f) d
11.3.1 手动添加Bond Wire 246: t; x- n9 L# k. Q7 Q
11.3.2 移动、推挤及旋转Bond Finger 247
, c7 Y2 }, T$ i4 ~  `11.3.3 自动生成Bond Wire 248
7 r: r6 L4 c0 u8 A3 U11.3.4 通过导引线添加Bond Wire 249
& y7 p7 y- ~  _4 P6 S11.3.5 添加Power Ring 2510 R; i, ?& e, O6 V" z
11.4 Bond Wire规则设置 252
& s6 A# W- G% j* z11.4.1 针对Component的设置 253
- T/ U& J: N! f& T( @11.4.2 针对Die Pin的设置 256% V9 g' v) ~4 }
11.4.3 在Die Pin和Bond Finger之间添加多根Bond Wire 258
) w; |2 G! f  U& ]( T. N% y. t11.4.4 从单个Die Pin扇出多根Bond Wire到多个Bond Finger 2581 O2 ~" X- b2 W2 y1 A
11.4.5 多个Die Pin同时键合到一个Bond Finger上 259: l6 X* c  i' o& L+ q
11.4.6 Die to Die Bonding 259
& X) h4 k3 v; H; ]7 P! C9 q11.5 Wire Model Editor和Wire Instance Editor 261  z6 X2 v% ?& @# w: B
第12章 腔体、芯片堆叠及TSV设计 265; U" E6 @/ m, V; H+ Y/ U3 o
12.1 腔体设计 265
* @- p2 V, V# }( t4 J" G12.1.1 腔体的定义 265  x2 C/ a5 X9 L/ G5 }
12.1.2 腔体的创建 2679 m0 K7 h8 Y. }3 T7 A
12.1.3 将芯片放置到腔体中 2693 {4 X' w" i( t
12.1.4 在腔体中键合 270
6 h* y$ U; o  Q8 m, \12.1.5 通过腔体将分立式元器件埋入基板 2714 x! j) Y8 z! A2 `7 x* ?/ u7 K
12.1.6 在Die Cell中添加腔体实现元器件埋入 273
: B! }4 v0 @- m1 N# q12.2 芯片堆叠设计 275" H8 {, O' [/ G+ a% U" V% @1 F5 A
12.2.1 芯片堆叠的概念 275, Y# T# L& m! V5 [
12.2.2 芯片堆叠的创建 276
6 ]8 i2 c6 i& u1 u7 u. R12.2.3 并排堆叠芯片 277
+ o0 _4 f; e4 Z% p6 g! |12.2.4 芯片堆叠的调整及键合 278( y9 ~/ P, s# U7 r' }( I7 s
12.2.5 芯片和腔体组合设计 2798 L; n4 U' K+ X- }
12.3 2.5D TSV的概念和设计 281
: ?& ]2 V6 k+ x- J% ]! `& v; \2 J/ I12.4 3D TSV的概念和设计 281$ A' t# p, `  O- @1 R
12.4.1 3D TSV的概念 281+ P5 e# \7 i- e5 U5 }+ g" }6 h
12.4.2 3D TSV Cell创建 283
# Q, z( g# g, ]. f0 U12.4.3 芯片堆叠间引脚对齐原则 284
9 H4 t5 i; j& L$ g! o# C12.4.4 3D TSV堆叠并互联 284& j; F3 b2 h2 P, n1 \
12.4.5 3D 引脚模型的设置 286; _6 N+ `. T* y. a# d4 \2 p* f
12.4.6 网络优化并布线 287
! X( b7 j5 v! |$ J2 D2 m; V/ f6 c12.4.7 DRC检查并完成3D TSV设计 289& g7 L6 R! e7 X( E# r
第13章 RDL及Flip Chip设计 291
8 ^$ i- }8 M8 r5 q% r13.1 RDL的概念和应用 291
5 `" t5 c; a0 M7 E% \3 ^" f5 G13.1.1 Fan-In型RDL 292
3 ]5 R( I+ ]9 L13.1.2 Fan-Out型RDL 2935 w4 p) D4 T# M8 Z
13.2 Flip Chip的概念及特点 294
+ y7 Q" G+ b: Y* H* K( v6 L2 a13.3 RDL设计 2958 f- d* x* }. @& o8 @
13.3.1 Bare Die及RDL库的建立 295
, f. Z5 A! [# k1 Z( P13.3.2 RDL原理图设计 297% N" ~1 j; K; O, F/ _
13.3.3 RDL版图设计 297
) C1 ^9 K) F3 J8 w2 P/ S  `13.4 Flip Chip设计 301
1 Z2 q  ?/ ?% L! i% ?( n# s13.4.1 Flip Chip原理图设计 301
  M0 ?' M/ ^, w9 |9 l; N5 Z; {; e13.4.2 Flip Chip版图设计 302
( E* j' y5 N. n7 M7 g) m! W第14章 版图布线与敷铜 307
$ M4 Z8 @  K0 K& S' u% E14.1 版图布线 307* p& c+ g5 v; r7 v
14.1.1 布线综述 307) N$ ?- v5 ~0 W( Q3 W
14.1.2 手工布线 307
$ O0 _3 N, _  @+ \1 C2 T& Q- s14.1.3 半自动布线 312: ?7 F" P0 [7 [4 S- L
14.1.4 自动布线 3156 A6 _0 |9 W. u# E) u' a
14.1.5 差分对布线 3163 j5 |% C( {; e& y% |! r8 }( Z
14.1.6 长度控制布线 319
, l/ `" L' l8 A6 h) @$ B14.1.7 电路复制 323
5 g7 G9 s/ D( U* t1 {7 p1 _& o14.2 版图敷铜 325& Z3 x% \/ m: ?
14.2.1 敷铜定义 325! v2 e$ y4 {# ]$ f2 n% Y0 x: P
14.2.2 敷铜设置 325  d! u1 s# R  K4 w, F1 B& M  M9 M
14.2.3 绘制并生成敷铜数据 328
$ P: ?0 [1 m+ w, K- M2 _3 @14.2.4 生成敷铜排气孔 331
' b  _3 C1 ?" E+ j! ]$ r14.2.5 检查敷铜数据 333
& M" i9 ^& ^; u) w6 A/ b. |6 c第15章 埋入式无源器件设计 3341 [' X6 T2 I2 R5 b6 e4 A
15.1 埋入式元器件技术的发展 334. g# {0 ~% C, g' q
15.1.1 分立式埋入技术 334
9 f* l' n4 a. n( ]6 y2 m15.1.2 平面埋入式技术 336$ R; O9 Y! V. d; L
15.2 埋入式无源器件的工艺和材料 336
4 \, e5 h9 L5 b/ T7 t3 X  J1 r15.2.1 埋入工艺Processes 337
6 Y8 w) |+ s2 Z* w+ Y# m3 D# p15.2.2 埋入材料Materials 342
4 A' ]& v% s( A) y15.2.3 电阻材料的非线性特征 346% r* I. A1 |4 V4 X1 L
15.3 无源器件自动综合 347
/ }. d" ~3 Y: a* C15.3.1 自动综合前的准备 3470 B" U8 K& W( y% r* H( Y
15.3.2 电阻自动综合 349
# m, W" b. d5 t# \$ k5 p8 i6 p15.3.3 电容自动综合 353
9 T5 d# q, m1 k: L; W1 ~15.3.4 自动综合后版图原理图同步 357
' ?5 j9 D% Y9 _% p* ^- s9 ~第16章 RF电路设计 359( y7 k* n, t  l
16.1 RF SiP技术 359! z* Y, N, p9 {3 N
16.2 RF设计流程 3603 [  K/ F/ }& f3 g9 `# z1 \! I+ A$ m
16.3 RF元器件库的配置 360! |- w8 e0 M% L6 q
16.3.1 导入RF符号到设计中心库 360
/ i2 Q: b2 b& Y; N16.3.2 中心库分区搜索路径设置 361! ~& B7 G$ m7 v. i
16.4 RF原理图设计 362) v, V6 k' N6 h4 c; }5 W6 X4 H
16.4.1 RF原理图工具栏 362
/ v+ {8 X6 P6 E( T- \% q16.4.2 RF原理图输入 364
0 ^/ `$ i8 ~1 b' ], f) ]16.5 原理图与版图RF参数的相互传递 365
) L' K1 i$ i. K9 T" e16.6 RF版图设计 368
& A+ h2 B: U  \2 p# y: c5 v5 F16.6.1 RF版图工具箱 368+ ]! h: [* a9 O. s: _7 D/ ~
16.6.2 RF单元的3种类型 369# K: y' c+ o3 L1 x
16.6.3 Meander的绘制及编辑 370; Z% h0 ~% c* B" A; s' d
16.6.4 创建用户自定义的RF单元 3721 u1 [) `* n! \9 v6 `. o
16.6.5 Via添加功能 374
0 t  c" p8 Z, _1 {% V  D0 ?16.6.6 RF Group介绍 376
7 S; }& M9 `% b, p  }% ?16.6.7 Auto Arrange功能 377, D( F3 m' C( b% b8 C
16.6.8 通过键合线连接RF单元 377
4 c1 }( x1 z( a5 R* S16.7 与RF仿真工具连接并传递数据 378" |% d7 i* g1 i+ y
16.7.1 连接RF仿真工具 378" T# }) `$ P( E" t/ |6 s; ]+ k! J. }
16.7.2 原理图RF数据传递 380
& I" Q/ v: T  I6 R( N% D16.7.3 版图RF数据传递 381
4 `: t, A) ?' l第17章 刚柔电路和4D SiP设计 383
6 F) t: P4 p' A/ [% g2 H) |17.1 刚柔电路介绍 383; u) y% N+ s; B; \
17.2 刚柔电路设计 3846 z8 ?8 _  s3 ]# A' T8 p
17.2.1 刚柔电路设计流程 3841 ?' |1 p0 W* K2 L: D4 K
17.2.2 刚柔电路特有的层类型 384
! f7 ?! v, k. H9 u" F: B, |  S; Y17.2.3 刚柔电路设计步骤 385
( f5 S& I7 h( V* G3 b: B17.3 复杂基板技术 394
" t; v8 M! y. P9 ?0 o17.3.1 复杂基板的定义 394% d) v2 g2 m% v/ H6 h
17.3.2 复杂基板的应用 394
% Y2 n& V5 u1 Y/ e' [- ^17.4 基于4D集成的SiP设计 395& a1 s" s% m% u+ W) c
17.4.1 4D集成SiP基板定义 3953 K  e- y1 b% J3 J
17.4.2 4D集成SiP设计流程 396
( e* z* N) d+ C+ j  D! V6 [17.5 4D SiP设计的意义 4004 M; v# {1 l! x% t, B
第18章 多版图项目与多人协同设计 401
& Z% J' s& a. q# j" q18.1 多版图项目 401
3 a& C% Q  C& F. p18.1.1 多版图项目设计需求 401
2 z9 z( z: E. i& t& d6 z9 P0 [9 M* D18.1.2 多版图项目设计流程 402& j5 Y. t( O* K" a; \, Z4 G) v
18.2 原理图多人协同设计 405
; J% t. _5 o8 o18.2.1 原理图协同设计的思路 405& ~' a1 p: ]$ w
18.2.2 原理图协同设计的操作方法 4065 C7 n5 l( v$ X4 p- Z2 x( m
18.3 版图多人实时协同设计 409
9 R7 ^7 B- h# m5 G0 Y1 I$ y( a7 e* S18.3.1 版图实时协同软件的配置 411& `/ C" ?+ K( F/ E  Z4 G2 T; f
18.3.2 启动并应用版图实时协同设计 412
) E1 k' k2 f+ T/ f% r3 v' X第19章 基于先进封装(HDAP)的SiP设计流程 415
* N$ t5 E6 R6 A2 b6 L( U2 p$ v) _  `19.1 先进封装设计流程介绍 415
/ r0 u, a: }' D19.1.1 HDAP设计环境需要的技术指标 415
8 J/ o' w" R! X) D; g. T; w3 P19.1.2 HDAP设计流程 416
) a5 g. {$ ?7 V/ \: n19.1.3 设计任务HBM(3D+2.5D) 417
4 e1 }! q" W8 m0 ?' H3 b: L* d19.2 XSI设计环境 418# S: l2 W' M' V4 l' C2 U( @
19.2.1 设计数据准备 4189 `6 c8 t; F% g: L4 Q, u; C
19.2.2 XSI常用工作窗口介绍 419
& x/ H( g: v2 x7 N19.2.3 创建项目和设计并添加元器件 4204 n: d% v8 B2 G% [) z1 \' U: M
19.2.4 通过XSI优化网络连接 4285 M" J8 V0 b7 Q  N4 Q. y" i
19.2.5 版图模板选择 429
" @; ~1 e% F5 g0 z3 E19.2.6 设计传递 431* P) i4 h, T& j- C3 P% A+ r) \
19.3 XPD设计环境 4325 ~4 i# w2 V* b( y2 @, [+ N6 `2 s* S
19.3.1 Interposer数据同步检查 432! i% B  l5 B& E; p. p% D& @2 z
19.3.2 Interposer布局布线 433
& Y, F# m. l$ `& R4 W0 j19.3.3 Substrate数据同步检查 434, P" D9 `4 q: x7 ]
19.3.4 Substrate布局布线 435; D" e3 c5 {4 U5 V
19.4 3D数字化样机模拟 436
/ Z# q3 c. I$ H$ L0 Z) u2 {3 t19.4.1 数字化样机的概念 436' [8 M" h6 X: r/ H2 W6 V
19.4.2 3D View环境介绍 437: U' f$ `# B3 G8 ]9 \/ T" m% t
19.4.3 构建HDAP数字化样机模型 438
. S8 a! i( e: K, N% X# e! I第20章 设计检查和生产数据输出 444
* B" T+ y6 J, K& e# m20.1 Online DRC 444
% N$ E/ _, _& @! T$ A20.2 Batch DRC 445
& m+ h2 r2 y  B9 W$ W) L20.2.1 DRC Settings选项卡 445
% `1 Y/ [0 Y/ C( A1 N) p20.2.2 Connectivity and Special Rules选项卡 447
7 x  V) `. |* m) |% ~20.2.3 Batch DRC方案 4488 v* {( Y9 M+ ]9 j$ p! x
20.3 Hazard Explorer介绍 449
# k" ?7 C% o1 m: }, D20.4 设计库检查 4533 ?* S% b4 K' P; W% v, L0 H: R( f1 ?
20.5 生产数据输出类型 453
. {# [3 r7 M1 C) n20.6 Gerber和钻孔数据输出 454/ S( z9 y  D+ @* f) b/ r
20.6.1 输出钻孔数据 454' p) \( h; i1 p5 K0 z0 H8 \
20.6.2 设置Gerber文件格式 457" L  ?& ]8 |( T
20.6.3 输出Gerber文件 458* A6 Y" X  X/ Y5 m# Y' ]
20.6.4 导入并检查Gerber文件 460
  N& Z7 f8 r4 m) C) [20.7 GDS文件和Color Map输出 461
/ K# d4 u, ~  e+ o20.7.1 GDS文件输出 461
, o( o  k4 l7 k/ Z& A6 j20.7.2 Color Map输出 462
) \* s/ F' i3 S20.8 其他生产数据输出 463
3 I  \- U" [' A+ J2 H20.8.1 元器件及Bond Wire坐标文件输出 463
: Q8 ~6 Q. D. }20.8.2 DXF文件输出 465# {! p* b$ w! L1 U+ o3 x5 p
20.8.3 版图设计状态输出 465, b. F# e8 G( U7 t. v4 @1 A
20.8.4 BOM输出 466  {% k. B+ m6 n( x" W. X" [& L9 k
第21章 SiP仿真验证技术 468) H  y6 \3 ]0 L3 s1 `# M, b/ z
21.1 SiP仿真验证技术概述 468/ I/ Y( w# k7 \, g/ F
21.2 信号完整性(SI)仿真 469$ C0 V/ k2 }: w! p* ~' u
21.2.1 HyperLynx SI 信号完整性仿真工具介绍 469
$ ^. ~6 p, Z0 n7 v  N21.2.2 HyperLynx SI 信号完整性仿真实例分析 471, `9 F: j& x" T! F
21.3 电源完整性(PI)仿真 476* C0 H* P% p4 T% s
21.3.1 HyperLynx PI 电源完整性仿真工具介绍 4776 J/ I! D5 L. \* _! ?
21.3.2 HyperLynx PI 电源完整性仿真实例分析 4787 I" z- z8 S' K3 [
21.4 热分析(Thermal)仿真 483
/ Q' |- g+ e! f' Y* Q. Z7 Q21.4.1 HyperLynx Thermal热分析软件介绍 484
8 b' D& m3 ~% N: ^* l21.4.2 HyperLynx Thermal热仿真实例分析 484
1 U9 a8 l0 b1 m3 R# [: V21.4.3 FloTHERM软件介绍 4884 B; p3 j5 @6 z$ L1 X; o
21.4.4 T3Ster热测试设备介绍 489; ~+ T" i& L  X4 C
21.5 先进3D解算器 491
9 Z9 Z9 H0 T& A. ]2 E/ A, E21.5.1 全波解算器(Full-Wave Solver)介绍 4912 j2 N* [  H( i$ g1 o# P  L
21.5.2 快速3D解算器(Fast 3D Solver)介绍 491
- l. w; V  \& B4 h" ^; v" n* o21.6 数/模混合电路仿真 492& D! G$ r& y; i& K4 [. Y% S. F1 {
21.7 电气规则验证 493
: _$ l) m& m9 \! |. q; C21.7.1 HyperLynx DRC工具介绍 493# U9 R& z% y2 D: }! ?
21.7.2 电气规则验证实例 494
+ J! w9 s2 ?7 U/ Z* d0 L) M21.8 HDAP物理验证 499: x4 s1 g  |* [  w
21.8.1 Calibre 3DSTACK工具介绍 499
/ M% b9 k5 m0 ~+ F21.8.2 HDAP物理验证实例 5000 _# x9 H! [# I+ X5 I
第2部分参考资料及说明 506% i" c( F3 g: p# m5 S0 w! t( A
0 u% n# t- o; B
第3部分 项目和案例
3 L4 Z/ @* G& a- U  U! q0 |+ D
第22章 基于SiP技术的大容量存储芯片设计案例 509, E( A4 e; C6 r3 s+ O
22.1 大容量存储器在航天产品中的应用现状 509. `; g& c" D' n
22.2 SiP技术应用的可行性分析 510& {9 E7 {- V" s" k! f& }
22.2.1 裸芯片选型 5100 Y9 |0 G' k- X5 g! ^
22.2.2 设计仿真工具选型 512% w0 w* n3 f7 P7 ]
22.2.3 生产测试厂家选择 5125 ?8 K2 O8 T2 B' w# E. m( a
22.3 基于SiP技术的大容量存储芯片设计 513
8 b3 J0 z: [  m22.3.1 方案设计 513
2 ?1 w4 |, u" I/ U' n+ b22.3.2 详细设计 514# F. t2 X. z$ Q+ c' |
22.4 大容量存储芯片封装和测试 5191 u# b& `. Q3 K% o% Y/ @& n
22.4.1 芯片封装 519
. ?- w9 a. Z( v) z22.4.2 机台测试 522
, a: ?( m) {; C7 f9 P* s# C% p7 I' ^& Z22.4.3 系统测试 523
8 ?4 d3 ?* b) h+ E( S22.4.4 后续测试及成本比例 5239 Y& y( A7 m5 H& {, l5 j: N
22.5 新旧产品技术参数比较 525
& r# z* j# U3 C' G9 ]% P" V第23章 SiP项目规划及设计案例 526- a1 Q9 y: X; M* o4 Y
23.1 SiP项目规划 526+ y: q* K7 @* x2 \
23.1.1 SiP的特点和适用性 526& r# P" j: L3 x7 C$ H2 p" l4 A
23.1.2 SiP项目需要明确的因素 529
3 S0 h5 R, G) N- l+ j( e23.2 设计规则导入 5300 h. B" a7 m8 u8 {( M
23.2.1 项目要求及方案分析 530
/ F$ [9 G1 B$ p) y23.2.2 SiP实现方案 5324 {. N8 ?5 b) c1 R& w2 n
23.3 SiP产品设计 534( _$ n) ], f3 b+ R6 J( L
23.3.1 符号及单元库设计 534
" ]9 }7 d4 j0 l9 ?. l5 \23.3.2 原理设计 535
& Y/ K/ @* A, K4 r" o23.3.3 版图设计 5350 G/ E5 @$ s( l0 V9 U5 n
23.3.4 产品封装测试 538, X1 R/ X7 n, ~! {' o5 ?7 U" m
第24章 2.5D TSV技术及设计案例 539. n1 t* c1 m$ w" }: g! f
24.1 2.5D集成的需求 539- z0 v& p1 y2 N- Q( g( r6 L
24.2 传统封装工艺与2.5D集成的对比 539
- v* H" \% S2 B7 }1 q24.2.1 倒装焊(Flip Chip)工艺 539* {8 k8 ~$ A; ]+ Z' A. v0 K" `! q
24.2.2 引线键合(Wire Bonding)工艺 540
1 W9 [1 P0 r8 B- q- E0 V9 d! N24.2.3 传统工艺与2.5D集成的优劣势分析 5413 U8 H" A( y$ x9 b6 L4 j7 c
24.3 2.5D TSV转接板设计 542
9 Z# Z3 C) F0 M0 K0 @24.3.1 2.5D TSV转接板封装结构 542
9 C" Y; D+ f. s8 o% @. ^( ~# [24.3.2 2.5D转接板封装设计实现 543, K$ h" J5 B$ Z$ x( B; R
24.4 转接板、有机基板工艺流程比较 544
8 z! r3 ~& o6 S" l# D* ^' {24.4.1 硅基转接板 544
4 {, x$ p/ I+ q9 g, p* c& i! v24.4.2 玻璃基转接板 545
/ ]6 A; c: x! T( D: E- b/ M24.4.3 有机材料基板 546
# W8 S7 K$ M, y9 E% L/ C, J24.4.4 两种转接板及有机基板工艺能力比较 546
8 `" g# F2 j* \24.5 掩模版工艺流程简介 546
; ~5 e! O& I# ^: _  [24.6 2.5D硅转接板设计、仿真、制造案例 547* }- C8 w& i$ f! |1 g1 Q+ {1 E- v
24.6.1 封装结构设计 5479 f7 v% U& R1 E
24.6.2 封装布线、信号及结构仿真 549
# [' e% ~) j0 B3 P, ?+ }24.6.3 生产数据Tape Out及掩模版准备 552
1 Y( W; z7 Q8 h1 k( `24.6.4 转接板的加工及整体组装 553
5 ^1 ~, _( K2 g- `4 F- _' n) H" v4 {第25章 数字T/R组件SiP设计案例 554
' P1 H  G0 U$ H2 c  n  \25.1 雷达系统简介 5547 S- g& m; c: b  g4 J; C& Z
25.2 SiP技术的采用 555
$ t, V9 N- l0 v! b$ z25.3 数字T/R组件电路设计 556. `/ ~( E- @) f. o
25.3.1 数字T/R组件的功能简介 556
2 t  B4 B, m. ]. s5 ^7 F% o25.3.2 数字T/R组件的结构及原理设计 557% |: p# G4 R) \& ^
25.3.3 数字T/R组件的SiP版图设计 559
4 m: G$ n/ e6 T. n5 P5 ?25.4 金属壳体及一体化封装设计 5608 k7 t$ m4 ]& K
第26章 MEMS验证SiP设计案例 563
1 B4 P3 J8 o* m4 t& F3 l% {26.1 项目介绍 563
( P4 |  a! `' x3 J1 q* f3 ~26.2 SiP方案设计 563" v. G9 A  l5 S. ^& N
26.3 SiP电路设计 564
+ f) ]5 p! Z! Y; Z! z0 x0 I26.3.1 建库及原理图设计 565- F/ k, p3 c' M: _
26.3.2 SiP版图设计 566; K: X  N  u3 d: }' {
26.4 产品组装及测试 5714 ?) W9 I0 \3 a0 h* }5 V
第27章 基于刚柔基板的SiP设计案例 572" l/ J2 b  I; o4 z
27.1 刚柔基板技术概述 572
8 L% z6 d2 M. Z4 ?27.2 射频前端系统架构和RF SiP方案 5734 G( ]! F+ k+ `+ B3 N
27.2.1 微基站系统射频前端架构 5732 B' _; |, R- n' L4 |- u6 l2 S+ N
27.2.2 RF SiP封装选型 5742 B5 `3 g3 \& c! A+ A9 V$ n$ q
27.2.3 RF SiP基板层叠设计 575
; B+ h! j& R# `' c! B# F  C27.3 基于刚柔基板RF SiP电学设计仿真 576
' t2 a' b2 N  s27.3.1 信号完整性设计和仿真 576$ _! r0 u1 F1 R/ y8 j1 |& ^
27.3.2 电源完整性设计与仿真 579
0 F' ^. n3 c! w! g1 J* A9 ^27.4 基于刚柔基板RF SiP的热设计仿真 581
7 g; D' s, Z, e: T6 c27.4.1 封装结构的热阻网络分析 581* E/ h4 \, A5 U) }" _
27.4.2 RF SiP的热性能仿真研究 583) T# @5 u) Q+ i1 N/ B. ^
27.5 基于刚柔基板RF SiP的工艺组装实现 587
4 `3 g4 k& _* h" \第28章 射频系统集成SiP设计案例 589# v/ I! V/ a5 k. ^1 T
28.1 射频系统集成技术 589
# H8 G* ~" X7 d  O: c28.1.1 射频系统简介 5897 X9 L' k( z$ d6 t9 R: f4 v
28.1.2 射频系统集成的小型化趋势 5909 ^, N  Q& c4 e# Q4 M) {
28.1.3 RF SiP和RF SoC 592
# Z; g% k, X2 ]+ b7 Z+ C% F28.2 射频系统集成SiP的设计与仿真 594: ~" y) U' n/ R$ R2 I) y
28.2.1 RF SiP封装结构设计 594
" ~8 T4 L- p. v; I* _28.2.2 RF SiP电学互连设计与仿真 595
. H; C7 X$ o7 A) h$ D28.2.3 RF SiP的散热管理与仿真 597
+ ]- E( ~6 ^" L& r4 v28.4 射频系统集成SiP的组装与测试 5981 `# D: l' j  n: r% l. [: s2 p0 G
28.4.1 RF SiP的组装 598/ X5 k& e' J8 Q1 y5 t
28.4.2 RF SiP的测试 5991 r$ h) B# L' K" U
第29章 基于PoP的RF SiP设计案例 602
2 p# y+ |8 `; k& g- H0 n29.1 PoP技术简介 602
5 o: ]  Z4 o) C. U- H& X; K29.2 射频系统架构与指标 603
: d, f+ z+ L: Y- m29.3 RF SiP结构与基板设计 606; t9 p" t6 @  _* E( f5 \( j
29.3.1 结构设计 606
$ C) p/ C' }3 ]  A/ w5 r29.3.2 基板设计 6079 Q4 u  r* p- C, f% F4 G
29.4 RF SiP信号完整性与电源完整性仿真 610
6 M: ]# q& e5 G2 |/ p* p29.4.1 信号完整性(SI)仿真 6107 a! r: E# E3 n7 o  S% S: `
29.4.2 电源完整性(PI)仿真 610
4 q1 [7 f: i9 O6 m$ j4 }7 ]29.5 RF SiP热设计仿真 612+ e" ~: f1 g, r- m
29.6 RF SiP组装与测试 613
9 l4 q& v. x6 ~* Q( f* g2 b: Z第30章 SiP基板生产数据处理案例 616
2 f0 M0 {* Z4 P/ X0 E6 j, m4 D$ Q30.1 LTCC、厚膜及异质异构集成技术介绍 616
* G) ~3 A# U% T( C6 M0 R30.1.1 LTCC技术 616
! D6 A. y. P. ]( W% M4 X30.1.2 厚膜技术 617& B2 e% i) E0 t
30.1.3 异质异构集成技术 6174 \- t; e: B/ _1 e
30.2 Gerber数据和钻孔数据 618, E3 }1 r( V9 W+ q* X% L& [
30.2.1 Gerber数据的生成及检查 618
% h7 x) G. c# W30.2.2 钻孔数据的生成及比较 621
8 X% n4 C; A! F& H; J0 \30.3 版图拼版 622: i- b; x/ Y( ]5 J- o+ y8 w
30.4 多种掩模生成 624
9 ^0 _  j, T- k: y" w  [+ v30.4.1 掩模生成器 624
5 x4 _6 {: S) F) z30.4.2 掩模生成实例 626. W  I" {  q/ ~+ x. b
第3部分参考资料 630
: U. v0 B6 ]- v3 h4 D8 D$ }8 W
后记和致谢 632
" S) A" n' h! L  _9 u

该用户从未签到

5#
发表于 2021-7-2 14:22 | 只看该作者
李总应该把书上的例子放上来让大家练习

点评

谢谢建议,我找一个合适的例子!  详情 回复 发表于 2021-7-3 08:56

该用户从未签到

6#
 楼主| 发表于 2021-7-3 08:56 | 只看该作者
APP_338522 发表于 2021-7-2 14:22& B' L; X1 E- l5 ~$ S7 a; R
李总应该把书上的例子放上来让大家练习
* D' z) D- X  Y+ h2 u. r
谢谢建议,我找一个合适的例子!

该用户从未签到

7#
发表于 2021-7-7 21:49 | 只看该作者
书看了,非常不错

点评

谢谢评价!  详情 回复 发表于 2021-7-29 11:05
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-21 15:33
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2021-7-28 10:00 | 只看该作者
    你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence?

    点评

    第一部分概念和技术,第三部分项目和案例均和软件无关;第二部分设计和仿真,用的是Mentor,现在称为Siemens EDA。  详情 回复 发表于 2021-7-29 11:07

    该用户从未签到

    9#
     楼主| 发表于 2021-7-29 11:05 | 只看该作者
    ytmgadw 发表于 2021-7-7 21:49: M& a# Q+ o- D* s9 f
    书看了,非常不错

    . u& v6 `$ Z0 I7 j/ n. c5 i谢谢评价!
    $ ?# E6 h; R9 a: G

    该用户从未签到

    10#
     楼主| 发表于 2021-7-29 11:07 | 只看该作者
    wenspig 发表于 2021-7-28 10:00
    : a! C, w5 Q  f  U你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence?
    ) ?2 Q/ }# n5 i' O0 x. b( f! H- m: e
    第一部分概念和技术,第三部分项目和案例均和软件无关;第二部分设计和仿真,用的是Mentor,现在称为Siemens EDA。
    3 Q- B) p- e- Z3 ]7 L) O/ B  `5 l# C
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2026-5-7 19:26 , Processed in 0.203125 second(s), 32 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表