新书《基于SiP技术的微系统》介绍及技术答疑帖！

li_suny

5 k' d% z: O, k, J
' N" g0 i7 U! V9 i& j3 u- q近期，我出版了一本新书《基于SiP技术的微系统》。
; t5 r* C. d+ D/ B: M' y" U: w$ H5 q0 @发这个帖子的目的是为了宣传一下这本书，另外，也通过这个机会和对SiP与先进封装技术感兴趣的工程师进行技术交流。
9 ^9 L7 _$ T6 f
这本书共分为三大部分：概念和技术，设计和仿真，项目和案例，共30章内容。
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" h$ T9 U/ M, g' V第一部分针对SiP及先进封装技术的发展，以及作者多年经验积累和深入思考，提出了功能密度定律、Si3P和4D集成等原创概念，介绍了SiP和先进封装的最新技术，包含5章内容。
第二部分依据最新EDA软件平台，阐述了SiP及HDAP的设计仿真验证方法，涵盖了Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP设计，多版图项目及多人协同设计等热点技术，以及SiP和HDAP的各种仿真，电气验证和物理验证，包含16章内容。
第三部分介绍了不同类型SiP实际项目案例的设计仿真和实现方法，包含9章内容。
本书通过原创概念、热点技术、实际案例的结合，讲述了SiP从构思到实现的整个流程，并使读者从中获益。
; l9 Z* M7 l8 h' V本书适合SiP用户、先进封装用户，PCB高级用户，对SiP和先进封装感兴趣的设计者和课题领导者，以及寻求系统小型化、低功耗、高性能、高可靠的科技工作者。

新书详细介绍文章


. k0 N" B+ X& _
/ P/ B8 b4 |' W& }. L/ F无论是对本书中的内容，还是对SiP和先进封装设计过程中有疑问，都可以跟帖提问，我也会尽可能及时给予回复！
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- [3 J) P' J' J5 k; @* l今天参加SiP大会（上海站），会议现场600+人，在线观众6000+，真是一场行业盛会！

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: x3 C. R0 y& v4 a

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8 \" A# c; q6 Z2 O$ R
大会主办方专门从电子工业出版社订购了一批新书，作为送给嘉宾的礼品！


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li_suny

《基于SiP技术的微系统》目 录  

第1部分　概念和技术
第1章 从摩尔定律到功能密度定律 3
4 _! K7 v2 s: i' N, F0 [7 M0 e- H1．1 摩尔定律 3
1．2 摩尔定律面临的两个问题 4
1．2．1 微观尺度的缩小 4
- K' q  E# H( {! ]* j( l0 ^+ g1．2．2 宏观资源的消耗 6
1．3 功能密度定律 10
1．3．1 功能密度定律的描述 10
, Y/ f, H& v: k, h  n  e3 s1．3．2 电子系统6级分类法 11
1．3．3 摩尔定律和功能密度定律的比较 13
1．3．4 功能密度定律的应用 14
- o) T- G2 Z; L/ u7 N1．3．5 功能密度定律的扩展 17
7 A% N" y5 C6 b! H' l! A0 T7 B2 E4 Y1．4 广义功能密度定律 17
  I1 \3 z% h7 k/ I, W1．4．1 系统空间定义 18
1．4．2 地球空间和人类宇宙空间 18
1．4．3 广义功能密度定律 20
第2章 从SiP到Si3P 21
- o" {( Y$ e( g$ ]/ I  C* ^2．1 概念深入：从SiP到Si3P 21
2．2 Si3P之integration 23
) V( S; b* [# q$ c! s( l9 x, n2．2．1 IC层面集成 23
" p/ G) A# ]' `9 e' X( w2 k/ a2．2．2 PCB层面集成 26
- @3 R# l& S# h, e6 y' T! A2．2．3 封装层面集成 28
2．2．4 集成（Integration）小结 30
2．3 Si3P之interconnection 31
; ]' Y8 h% k3 t6 Z2．3．1 电磁互联 31
# |! X( m# V& v0 H4 N5 v2．3．2 热互联 36
2．3．3 力互联 37
1 j) L# x$ I+ D) d5 a' }2．3．4 互联（interconnection）小结 39
" N. ~& ~, F2 B$ Y2．4 Si3P之intelligence 39
2．4．1 系统功能定义 40
% p1 q  ^: x4 G( r2．4．2 产品应用场景 41
8 m, r1 n6 Y8 R+ Z2．4．3 测试和调试 41
% ?( S% x9 {8 N% L2．4．4 软件和算法 42
* d" n5 Z$ y% }$ s% i: ]( r2．4．5 智能（intelligence）小结 44
5 {+ V- d% f( p2 i- j5 Q. G0 {$ d2．5 Si3P总结 44
2．5．1 历史回顾 44
2．5．2 联想比喻 45
2．5．3 前景预测 46
; w4 D% K6 P! j  R" r第3章 SiP技术与微系统 47
+ G0 R' {0 P  Z# o$ |3．1 SiP技术 47
  c. S3 }. o" q$ h, T- ]3．1．1 SiP技术的定义 47
3．1．2 SiP及其相关技术 48
3．1．3 SiP还是SOP 50
3．1．4 SiP技术的应用领域 51
5 j# x5 F5 @8 g4 H% z3．1．5 SiP工艺和材料的选择 55
3 D! Y3 c/ d3 l5 ^3．2 微系统 57
3．2．1 自然系统和人造系统 57
3．2．2 系统的定义和特征 58
3．2．3 微系统的新定义 59
第4章 从2D到4D集成技术 61
4．1 集成技术的发展 61
+ o7 M7 y! Q5 k% h4．1．1 集成的尺度 61
4．1．2 一步集成和两步集成 62
9 F3 F, p9 u% y: N! L7 w9 b4．1．3 封装内集成的分类命名 63
" G9 m+ Q7 l; l+ [2 D( ~4．2 2D集成技术 64
4．2．1 2D集成的定义 64
4．2．2 2D集成的应用 64
4．3 2D+集成技术 65
; O4 O+ d! [8 |/ c6 b3 n4．3．1 2D+集成的定义 65
4．3．2 2D+集成的应用 66
4．4 2．5D集成技术 67
4．4．1 2．5D集成的定义 67
! V/ c0 v# i7 E4 B: c/ R4．4．2 2．5D集成的应用 67
. n$ `- P) r# x$ C4．5 3D集成技术 68
4．5．1 3D集成的定义 68
4．5．2 3D集成的应用 69
4．6 4D集成技术 70
. G# t. |* \' @$ o* Z4．6．1 4D集成的定义 70
) O' g$ y  f. ?4．6．2 4D集成的应用 71
! h0 X+ e  R2 A2 L% y& d4 A8 G* v4．6．3 4D集成的意义 73
4．7 腔体集成技术 73
4．7．1 腔体集成的定义 73
4．7．2 腔体集成的应用 74
5 P, Z2 u/ H+ V! L" w7 y3 Y4．8 平面集成技术 76
- o- {" |1 ^* E0 ?; Q4．8．1 平面集成技术的定义 76
5 c- @- e; G' V9 [; ?5 k3 }$ f; ^$ q4．8．2 平面集成技术的应用 76
: G8 I( L0 U8 W8 g0 \2 z2 c4．9 集成技术总结 78
0 s/ G+ Q; a. C/ E( `( w4 U第5章 SiP与先进封装技术 80
5．1 SiP基板与封装 80
5．1．1 有机基板 80
- b# l* ?- `( O. |/ l  B! L2 W5．1．2 陶瓷基板 82
( D7 N7 L4 W5 t& m+ N5．1．3 硅基板 85
0 D- r/ A* ~+ H5．2 与先进封装相关的技术 85
5．2．1 TSV技术 86
5．2．2 RDL技术 87
6 P% B( R9 h0 E) P3 Y, Z: y5．2．3 IPD技术 88
1 A# Q1 }3 z1 P5．2．4 Chiplet技术 89
5．3 先进封装技术 92
- ~: v, z' n+ C7 K) R1 g8 ]5．3．1 基于XY平面延伸的先进封装技术 93
' ]! h6 ^# a  T. B, g' J  L% K2 o5．3．2 基于Z轴延伸的先进封装技术 96
5．3．3 先进封装技术总结 103
5．3．4 先进封装的四要素：RDL、TSV、Bump和Wafer 104
5 v- S) E, Q/ o3 S5．4 先进封装的特点和SiP设计需求 105
5．4．1 先进封装的特点 105
5．4．2 先进封装与SiP的关系 106
5．4．3 先进封装和SiP设计需求 107
" w: G, [7 v5 j, N- X3 t7 v第1部分参考资料及说明 108
) e0 N  e7 w5 y+ }8 d5 Z0 f+ ?
# Z" t' D3 E3 k# [4 t0 V* C, T  V第2部分 设计和仿真
( H# r- r: I4 E2 x& K, D+ [' g第6章 SiP设计仿真验证平台 111
6．1 SiP设计技术的发展 111
* {  q; K! G* V6 P+ q. @, `: B* A' Z0 Z6．2 SiP设计的两套流程 112
9 f* f' ^* M5 V( W6．3 通用SiP设计流程 112
6．3．1 原理图设计输入 112
6．3．2 多版图协同设计 112
6．3．3 SiP版图设计9大功能 113
2 `: X$ P2 V) f0 ]3 b, O6．4 基于先进封装HDAP的SiP设计流程 118
# H% o: M. S7 ?% F' e* |6．4．1 设计整合及网络优化工具XSI 119
6．4．2 先进封装版图设计工具XPD 120
& P. [+ @  A0 R1 ^6．5 设计师如何选择设计流程 121
) i# @+ [# B7 M. ~7 w- K6．6 SiP仿真验证流程 122
* U$ X' u% ?5 L4 W6．6．1 电磁仿真 122
& H6 O+ @3 T) [  u  |, ^4 w+ R6．6．2 热学仿真 124
6．6．3 力学仿真 125
6．6．4 设计验证 125
6．7 SiP设计仿真验证平台的先进性 127
第7章 中心库的建立和管理 129
# R$ U7 h% f/ D9 A3 G# |7．1 中心库的结构 129
! Q2 O4 A7 Y8 R8 B- T' R3 f7．2 Dashboard介绍 130
7．3 原理图符号（Symbol）库的建立 131
7．4 版图单元（Cell）库的建立 136
+ e. v! B$ ?5 c! s3 w$ F. b7．4．1 裸芯片Cell库的建立 136
. J+ f/ p* L: A6 C7．4．2 SiP封装Cell库的建立 141
7．5 Part库的建立和应用 145
9 h' e+ T# w; p0 C: @% R7．5．1 映射Part库 145
7．5．2 通过Part创建Cell库 147
7．6 中心库的维护和管理 148
7．6．1 中心库常用设置项 149
  G2 x; @* ^" ]! I; |! E/ y2 }" Q7．6．2 中心库数据导入导出 149
' A* r# Y5 V+ i$ H第8章 SiP原理图设计输入 152
8．1 网表输入 152
+ v+ d7 V* C- B4 _% R. D8．2 原理图设计输入 154
8．2．1 原理图工具介绍 154
8．2．2 创建原理图项目 162
8．2．3 原理图基本操作 163
8．2．4 原理图设计检查 167
" @0 }* W8 w% ]5 F- F1 x8．2．5 设计打包Package 169
8．2．6 输出元器件列表Partlist 172
. J- G& D  G# Z, T8．2．7 原理图中文菜单和中文输入 173
8．3 基于DataBook的原理图输入 175
8 X, @! X- t, A: Q8．3．1 DataBook介绍 175
- e1 l1 t; \2 s2 X' b$ V7 u8．3．2 DataBook使用方法 176
" |! P& L3 u$ k. G' X8．3．3 元器件属性的校验和更新 178
) d" y& @6 j* }% I$ e6 W3 @8 Y8．4 文件输入/输出 179
8．4．1 通用输入/输出 179
8．4．2 输出到仿真工具 181
, V5 G% \! `- @! X第9章 版图的创建与设置 183
* }. ?- }3 R. E5 l2 H" r9．1 创建版图模板 183
/ m5 L( m/ i# Q, I9．1．1 版图模板定义 183
$ E! d0 i# b' G9．1．2 创建SiP版图模板 184
  m) Z  e- O: G: y" E  R, T( M9．2 创建版图项目 194
, U6 e. j0 _" X3 v- n, s. C5 |9．2．1 创建新的SiP项目 194
9．2．2 进入版图设计环境 195
9．3 版图相关设置与操作 196
9．3．1 版图License控制介绍 196
7 C. F: }: z" j/ r! K0 B9．3．2 鼠标操作方法 197
9．3．3 四种常用操作模式 199
9．3．4 显示控制（Display Control） 202
# r  \4 ^3 Z2 ~7 Q9．3．5 编辑控制（Editor Control） 207
1 `8 m) K4 _" N+ v9．3．6 智能光标提示 213
+ q  S/ u- A' X  A- S6 J9．4 版图布局 213
9．4．1 元器件布局 213
/ Z2 p1 {& E9 X5 g% J9．4．2 查看原理图 217
9．5 封装引脚定义优化 218
1 l; P0 c  U7 q5 R9．6 版图中文输入 218
+ P/ R; w6 p2 K6 B7 _$ Q& \第10章 约束规则管理 221
10．1 约束管理器（Constraint Manager） 221
10．2 方案（Scheme） 222
10．2．1 创建方案 223
10．2．2 在版图设计中应用Scheme 223
10．3 网络类规则（Net Class） 224
  w! D% V* r/ d& K10．3．1 创建网络类并指定网络到网络类 224
10．3．2 定义网络类规则 225
, }  B/ u2 _  G; q8 Y) N10．4 间距规则（Clearance） 226
" R) q: r8 J8 }6 j0 ?8 }' s10．4．1 间距规则的创建与设置 226
4 K7 ^; D4 _  W$ W$ ]4 a- N10．4．2 通用间距规则 227
10．4．3 网络类到网络类间距规则 228
; m; O  b% r! l3 [2 H1 Y10．5 约束类（Constraint Class） 229
, ~+ \9 H0 Z9 r* G10．5．1 新建约束类并指定网络到约束类 229
10．5．2 电气约束分类 230
! D' n* x: t! ?6 q10．5．3 编辑约束组 231
" u6 C7 i  `" t* q% A* ~: v2 Z10．6 Constraint Manager和版图数据交互 232
10．6．1 更新版图数据 232
10．6．2 与版图数据交互 233
! O- |( E* H: j9 b2 h4 m; Q10．7 规则设置实例 233
- j) P! _; W7 @% e' F% A  `10．7．1 等长约束设置 233
10．7．2 差分约束设置 236
10．7．3 Z轴间距设置 237
* m) F8 ]3 G& C第11章 Wire Bonding设计详解 239
11．1 Wire Bonding概述 239
- ^8 \: z# c4 u% k9 S2 |0 @11．2 Bond Wire 模型 240
$ x. D  O6 s! L11．2．1 Bond Wire模型定义 241
11．2．2 Bond Wire模型参数 245
9 |: a8 ]0 V! {- S. J+ v11．3 Wire Bonding工具栏及其应用 246
11．3．1 手动添加Bond Wire 246
: R0 b; k, x! I$ Z11．3．2 移动、推挤及旋转Bond Finger 247
11．3．3 自动生成Bond Wire 248
( I3 ^" q, Y4 e/ I4 i% {11．3．4 通过导引线添加Bond Wire 249
/ ?' }( d' Q4 ?5 H9 G/ r! J% f0 u11．3．5 添加Power Ring 251
11．4 Bond Wire规则设置 252
11．4．1 针对Component的设置 253
11．4．2 针对Die Pin的设置 256
11．4．3 在Die Pin和Bond Finger之间添加多根Bond Wire 258
- u% V$ N6 F" {; s: Q2 _: v11．4．4 从单个Die Pin扇出多根Bond Wire到多个Bond Finger 258
3 P+ C4 o- H# q4 G* I. _* o1 T11．4．5 多个Die Pin同时键合到一个Bond Finger上 259
11．4．6 Die to Die Bonding 259
11．5 Wire Model Editor和Wire Instance Editor 261
0 R  _! }4 ~0 V第12章 腔体、芯片堆叠及TSV设计 265
12．1 腔体设计 265
' b" I( u/ I# i0 t3 r12．1．1 腔体的定义 265
12．1．2 腔体的创建 267
12．1．3 将芯片放置到腔体中 269
12．1．4 在腔体中键合 270
0 ?9 X& e8 l4 P0 k3 \7 k9 F12．1．5 通过腔体将分立式元器件埋入基板 271
1 j0 y6 r0 R: O0 n* }. q% B( |12．1．6 在Die Cell中添加腔体实现元器件埋入 273
+ a" F/ O5 {0 I12．2 芯片堆叠设计 275
12．2．1 芯片堆叠的概念 275
12．2．2 芯片堆叠的创建 276
0 a, e/ W$ u  o3 w" `12．2．3 并排堆叠芯片 277
7 D" q- {: U0 _; T/ t12．2．4 芯片堆叠的调整及键合 278
: E5 Z# ]9 e6 Q$ F! [1 Y12．2．5 芯片和腔体组合设计 279
12．3 2．5D TSV的概念和设计 281
12．4 3D TSV的概念和设计 281
12．4．1 3D TSV的概念 281
12．4．2 3D TSV Cell创建 283
12．4．3 芯片堆叠间引脚对齐原则 284
12．4．4 3D TSV堆叠并互联 284
1 G/ q0 N/ v) ], v6 t12．4．5 3D 引脚模型的设置 286
12．4．6 网络优化并布线 287
12．4．7 DRC检查并完成3D TSV设计 289
第13章 RDL及Flip Chip设计 291
13．1 RDL的概念和应用 291
6 b0 ]7 ^4 w% e; q( C4 r9 [- ~' ~3 \13．1．1 Fan-In型RDL 292
1 M; Y' R! ?% e3 x13．1．2 Fan-Out型RDL 293
13．2 Flip Chip的概念及特点 294
' A3 N" N5 E. {7 o( i  B1 w, S13．3 RDL设计 295
13．3．1 Bare Die及RDL库的建立 295
! o2 G0 s0 F; w" p+ |+ p13．3．2 RDL原理图设计 297
13．3．3 RDL版图设计 297
13．4 Flip Chip设计 301
13．4．1 Flip Chip原理图设计 301
13．4．2 Flip Chip版图设计 302
第14章 版图布线与敷铜 307
( m, U: x* N& n2 U, ?$ o6 e14．1 版图布线 307
, z1 S# ?1 B8 m# |+ k+ A14．1．1 布线综述 307
14．1．2 手工布线 307
" {" I2 [; r9 G; j) m; }% R+ C14．1．3 半自动布线 312
0 t6 K; x/ }: T14．1．4 自动布线 315
# w7 J* @! G9 k: Z14．1．5 差分对布线 316
14．1．6 长度控制布线 319
14．1．7 电路复制 323
14．2 版图敷铜 325
14．2．1 敷铜定义 325
6 y% ~" e( U( r- O, ?- m14．2．2 敷铜设置 325
: Z2 q1 h1 i" S% A, n/ ^# {) h% v14．2．3 绘制并生成敷铜数据 328
/ C- Z  g; p9 c8 v% \" ]14．2．4 生成敷铜排气孔 331
14．2．5 检查敷铜数据 333
2 X* P! J4 j+ |  ~: B* E第15章 埋入式无源器件设计 334
7 |$ x& E3 Y# H+ o- c( P15．1 埋入式元器件技术的发展 334
15．1．1 分立式埋入技术 334
) ~+ L9 M8 }# Y5 r& I15．1．2 平面埋入式技术 336
15．2 埋入式无源器件的工艺和材料 336
15．2．1 埋入工艺Processes 337
- ?# K9 v7 U& w0 t, ]6 [" P15．2．2 埋入材料Materials 342
15．2．3 电阻材料的非线性特征 346
2 o& f" C& r5 x' U15．3 无源器件自动综合 347
0 g& N$ W9 f0 O8 w15．3．1 自动综合前的准备 347
, Y/ g9 c0 t& k# \+ {15．3．2 电阻自动综合 349
+ r. U. H' [, U7 K" z# Z3 N15．3．3 电容自动综合 353
% n/ E$ N& v. j, C7 Z& t8 w15．3．4 自动综合后版图原理图同步 357
" @: R4 r2 _/ X8 m第16章 RF电路设计 359
5 w7 d; x( R# a% V% T& M16．1 RF SiP技术 359
* G' o+ z" d. F16．2 RF设计流程 360
16．3 RF元器件库的配置 360
16．3．1 导入RF符号到设计中心库 360
16．3．2 中心库分区搜索路径设置 361
16．4 RF原理图设计 362
16．4．1 RF原理图工具栏 362
16．4．2 RF原理图输入 364
16．5 原理图与版图RF参数的相互传递 365
& O. e# f' p& f; G16．6 RF版图设计 368
16．6．1 RF版图工具箱 368
: j- M$ V9 K. Z16．6．2 RF单元的3种类型 369
. A3 I/ b5 p' P1 R" i16．6．3 Meander的绘制及编辑 370
* t0 {9 c1 m, {0 u6 y9 ~: y16．6．4 创建用户自定义的RF单元 372
16．6．5 Via添加功能 374
$ y" y4 l# c4 F# V16．6．6 RF Group介绍 376
0 L; {9 B0 X: g6 [' t16．6．7 Auto Arrange功能 377
16．6．8 通过键合线连接RF单元 377
5 V* q2 g, o( w4 B" ^2 q  f( r16．7 与RF仿真工具连接并传递数据 378
. E* y  l- a$ O9 y16．7．1 连接RF仿真工具 378
: I6 R- F: S$ W8 [* v+ [16．7．2 原理图RF数据传递 380
- F  t, V' g7 r2 a16．7．3 版图RF数据传递 381
. c9 ]3 i; H( H8 @) q; H" s4 n! v第17章 刚柔电路和4D SiP设计 383
17．1 刚柔电路介绍 383
17．2 刚柔电路设计 384
0 a6 a: N1 Y) S5 S# \9 [17．2．1 刚柔电路设计流程 384
17．2．2 刚柔电路特有的层类型 384
" l( j1 k- U( E8 x; H/ v17．2．3 刚柔电路设计步骤 385
17．3 复杂基板技术 394
17．3．1 复杂基板的定义 394
! {) C- {7 u; ?" ?8 T7 J17．3．2 复杂基板的应用 394
17．4 基于4D集成的SiP设计 395
+ R( U, ~: n* P% a& ^17．4．1 4D集成SiP基板定义 395
: M! @$ g/ h7 g# l17．4．2 4D集成SiP设计流程 396
17．5 4D SiP设计的意义 400
) C' E8 v! l/ P% U第18章 多版图项目与多人协同设计 401
$ A. F! K6 ^# Z' a( @; ^18．1 多版图项目 401
18．1．1 多版图项目设计需求 401
# V7 Z1 X# O6 a: i1 [9 U( i18．1．2 多版图项目设计流程 402
% U5 A7 l6 H  y4 n5 x; [18．2 原理图多人协同设计 405
; C# F+ @& g  @- T  @18．2．1 原理图协同设计的思路 405
18．2．2 原理图协同设计的操作方法 406
18．3 版图多人实时协同设计 409
18．3．1 版图实时协同软件的配置 411
18．3．2 启动并应用版图实时协同设计 412
第19章 基于先进封装（HDAP）的SiP设计流程 415
19．1 先进封装设计流程介绍 415
" Y. N# Q4 h# [: B. _: z# Y- K19．1．1 HDAP设计环境需要的技术指标 415
. f" i0 B! K3 H& S19．1．2 HDAP设计流程 416
$ r' c5 c, G" s, g19．1．3 设计任务HBM（3D+2．5D） 417
# J6 O  \8 N/ v  [( Y7 S19．2 XSI设计环境 418
1 p  e! x6 m3 A; X' U$ A1 t) g8 G6 C# y19．2．1 设计数据准备 418
19．2．2 XSI常用工作窗口介绍 419
19．2．3 创建项目和设计并添加元器件 420
19．2．4 通过XSI优化网络连接 428
19．2．5 版图模板选择 429
19．2．6 设计传递 431
! A+ k' i1 [  z: h# v% e19．3 XPD设计环境 432
& ]# m: ^) F9 \7 l19．3．1 Interposer数据同步检查 432
" d6 S0 m* M0 @$ B4 D7 G, B% @19．3．2 Interposer布局布线 433
" p' G2 M# o' E( g# Q$ o19．3．3 Substrate数据同步检查 434
19．3．4 Substrate布局布线 435
19．4 3D数字化样机模拟 436
19．4．1 数字化样机的概念 436
19．4．2 3D View环境介绍 437
19．4．3 构建HDAP数字化样机模型 438
第20章 设计检查和生产数据输出 444
0 Y: k& n/ O2 ?, x  j$ U$ l4 s0 I0 m  D20．1 Online DRC 444
" j2 y( s3 _. E3 m& W( G$ V20．2 Batch DRC 445
20．2．1 DRC Settings选项卡 445
20．2．2 Connectivity and Special Rules选项卡 447
20．2．3 Batch DRC方案 448
0 u% b6 K; k8 K. I20．3 Hazard Explorer介绍 449
8 m1 l& R! G7 r20．4 设计库检查 453
20．5 生产数据输出类型 453
20．6 Gerber和钻孔数据输出 454
20．6．1 输出钻孔数据 454
20．6．2 设置Gerber文件格式 457
20．6．3 输出Gerber文件 458
20．6．4 导入并检查Gerber文件 460
20．7 GDS文件和Color Map输出 461
2 v5 z0 o9 w9 t2 e; e' I2 a8 J- L* m20．7．1 GDS文件输出 461
20．7．2 Color Map输出 462
20．8 其他生产数据输出 463
2 D/ e$ E' s% N, [8 \' F% U& o8 l20．8．1 元器件及Bond Wire坐标文件输出 463
20．8．2 DXF文件输出 465
20．8．3 版图设计状态输出 465
20．8．4 BOM输出 466
$ O/ p# L0 g4 r2 |第21章 SiP仿真验证技术 468
21．1 SiP仿真验证技术概述 468
. o( `: X: g7 U2 J& w21．2 信号完整性（SI）仿真 469
21．2．1 HyperLynx SI 信号完整性仿真工具介绍 469
. M+ `' N4 d3 t& h# m& p21．2．2 HyperLynx SI 信号完整性仿真实例分析 471
9 o' T! i, Z8 s' z6 [21．3 电源完整性（PI）仿真 476
21．3．1 HyperLynx PI 电源完整性仿真工具介绍 477
, I' a0 j$ K: W: {21．3．2 HyperLynx PI 电源完整性仿真实例分析 478
) L. `- b2 m. n# s5 K! r4 E21．4 热分析（Thermal）仿真 483
. ?( n4 ~3 X+ Q, K. g8 o; @! a3 t2 R0 A21．4．1 HyperLynx Thermal热分析软件介绍 484
7 L9 X( e* H0 A6 c6 F- Y21．4．2 HyperLynx Thermal热仿真实例分析 484
" m) a. h$ F; z9 s* B8 X21．4．3 FloTHERM软件介绍 488
21．4．4 T3Ster热测试设备介绍 489
21．5 先进3D解算器 491
21．5．1 全波解算器（Full-Wave Solver）介绍 491
21．5．2 快速3D解算器（Fast 3D Solver）介绍 491
21．6 数/模混合电路仿真 492
: M/ [+ I. d1 A3 P4 t+ a2 Y5 u21．7 电气规则验证 493
21．7．1 HyperLynx DRC工具介绍 493
3 ?! h7 G  E  j+ r21．7．2 电气规则验证实例 494
21．8 HDAP物理验证 499
21．8．1 Calibre 3DSTACK工具介绍 499
8 `' e$ ?9 C) L0 ^: D3 H2 a! a21．8．2 HDAP物理验证实例 500
) o: |. J/ c* B2 k+ r第2部分参考资料及说明 506
8 ]. I5 |  c. @! I' a  i# }5 h
+ H, l  ?! x7 s8 ]第3部分 项目和案例
2 M5 L+ p; R  T第22章 基于SiP技术的大容量存储芯片设计案例 509
22．1 大容量存储器在航天产品中的应用现状 509
22．2 SiP技术应用的可行性分析 510
$ R6 a" J8 U, f9 U5 [* v22．2．1 裸芯片选型 510
' E: P7 r; k" E: q22．2．2 设计仿真工具选型 512
22．2．3 生产测试厂家选择 512
22．3 基于SiP技术的大容量存储芯片设计 513
22．3．1 方案设计 513
3 G# W2 x" l( y) M- t! a0 w22．3．2 详细设计 514
22．4 大容量存储芯片封装和测试 519
) _5 q5 L; y* N7 V22．4．1 芯片封装 519
9 b+ {. o% y$ Y* H) `5 F9 M22．4．2 机台测试 522
22．4．3 系统测试 523
22．4．4 后续测试及成本比例 523
6 o* R6 y* Z# {1 Z22．5 新旧产品技术参数比较 525
第23章 SiP项目规划及设计案例 526
6 I2 ]. c/ M9 ]23．1 SiP项目规划 526
  I5 H1 A  Y) C2 U9 n23．1．1 SiP的特点和适用性 526
23．1．2 SiP项目需要明确的因素 529
23．2 设计规则导入 530
5 E( z1 a" x" Z0 ^23．2．1 项目要求及方案分析 530
23．2．2 SiP实现方案 532
0 ]8 H( z+ @$ t. v1 y23．3 SiP产品设计 534
23．3．1 符号及单元库设计 534
23．3．2 原理设计 535
23．3．3 版图设计 535
23．3．4 产品封装测试 538
第24章 2．5D TSV技术及设计案例 539
2 F' f: {  E  `24．1 2．5D集成的需求 539
24．2 传统封装工艺与2．5D集成的对比 539
24．2．1 倒装焊（Flip Chip）工艺 539
24．2．2 引线键合（Wire Bonding）工艺 540
4 m5 R, ^- M, s3 |  ^# i24．2．3 传统工艺与2．5D集成的优劣势分析 541
24．3 2．5D TSV转接板设计 542
24．3．1 2．5D TSV转接板封装结构 542
/ J- \8 h, U, y8 I+ J! G24．3．2 2．5D转接板封装设计实现 543
24．4 转接板、有机基板工艺流程比较 544
24．4．1 硅基转接板 544
24．4．2 玻璃基转接板 545
8 G5 ~1 ?* n: |0 C6 D+ W$ J/ x24．4．3 有机材料基板 546
: j' }! `! p4 p) X8 ~9 ~24．4．4 两种转接板及有机基板工艺能力比较 546
1 [- @8 q$ e# r3 M24．5 掩模版工艺流程简介 546
0 m' a& s+ A7 e8 K/ |8 [24．6 2．5D硅转接板设计、仿真、制造案例 547
" H7 `+ ~  c, d/ g& R24．6．1 封装结构设计 547
8 J  M: m7 R0 B24．6．2 封装布线、信号及结构仿真 549
24．6．3 生产数据Tape Out及掩模版准备 552
, s: d+ p  o' o6 ]. h$ s! h# w24．6．4 转接板的加工及整体组装 553
第25章 数字T/R组件SiP设计案例 554
25．1 雷达系统简介 554
! M! y: y% y) r* Q4 o25．2 SiP技术的采用 555
' E  d: `- k& c- ?( D' k/ S- f25．3 数字T/R组件电路设计 556
& F8 j. y$ l, p! F# T; ?5 t% E( V+ {25．3．1 数字T/R组件的功能简介 556
# M9 I! r' i" p% a7 L25．3．2 数字T/R组件的结构及原理设计 557
% _! b! z$ E! n/ L9 ~25．3．3 数字T/R组件的SiP版图设计 559
25．4 金属壳体及一体化封装设计 560
第26章 MEMS验证SiP设计案例 563
26．1 项目介绍 563
3 `; x' P- G3 J0 D! s- Y- s26．2 SiP方案设计 563
26．3 SiP电路设计 564
/ l' t5 f0 l! L26．3．1 建库及原理图设计 565
) F/ Z) H8 U* v. e26．3．2 SiP版图设计 566
# k. t) N3 l2 Q5 n6 D% u26．4 产品组装及测试 571
第27章 基于刚柔基板的SiP设计案例 572
- ^8 F) X" [1 c, L27．1 刚柔基板技术概述 572
27．2 射频前端系统架构和RF SiP方案 573
27．2．1 微基站系统射频前端架构 573
. a3 l# t( K# E5 M. x/ H1 z" @27．2．2 RF SiP封装选型 574
27．2．3 RF SiP基板层叠设计 575
, |! M6 S/ }) o; |( k% m27．3 基于刚柔基板RF SiP电学设计仿真 576
27．3．1 信号完整性设计和仿真 576
27．3．2 电源完整性设计与仿真 579
; F0 V- [/ l! J8 A2 m' O27．4 基于刚柔基板RF SiP的热设计仿真 581
) K: Y5 u4 c& ]5 d$ x. j27．4．1 封装结构的热阻网络分析 581
  ~; t8 l$ X  F& z  m4 K. h27．4．2 RF SiP的热性能仿真研究 583
27．5 基于刚柔基板RF SiP的工艺组装实现 587
第28章 射频系统集成SiP设计案例 589
. w6 Q4 c2 R  ?/ O) ^28．1 射频系统集成技术 589
0 D, K) Z4 U* e3 m- T3 ?28．1．1 射频系统简介 589
28．1．2 射频系统集成的小型化趋势 590
28．1．3 RF SiP和RF SoC 592
/ H  d- o6 L( e) [28．2 射频系统集成SiP的设计与仿真 594
28．2．1 RF SiP封装结构设计 594
28．2．2 RF SiP电学互连设计与仿真 595
% ?) V+ r7 D) Y7 s- b4 L. \: Q+ X28．2．3 RF SiP的散热管理与仿真 597
  r$ k* h9 c( |9 A28．4 射频系统集成SiP的组装与测试 598
28．4．1 RF SiP的组装 598
8 ^% _% E8 r- w0 ?0 L28．4．2 RF SiP的测试 599
1 A! {9 D2 D$ O9 E$ G第29章 基于PoP的RF SiP设计案例 602
( i, ?) r8 s; g9 D2 W9 b! X29．1 PoP技术简介 602
29．2 射频系统架构与指标 603
29．3 RF SiP结构与基板设计 606
29．3．1 结构设计 606
' t: U& z$ r& G7 y$ x+ q0 a29．3．2 基板设计 607
29．4 RF SiP信号完整性与电源完整性仿真 610
& P5 |% ^* q( _" w+ }/ t# `7 E29．4．1 信号完整性（SI）仿真 610
+ C$ o' B6 _' c9 B29．4．2 电源完整性（PI）仿真 610
29．5 RF SiP热设计仿真 612
6 x6 J9 l7 n0 V5 E29．6 RF SiP组装与测试 613
2 X. M# ]( f- s( l第30章 SiP基板生产数据处理案例 616
30．1 LTCC、厚膜及异质异构集成技术介绍 616
; `. l8 ^( C6 s4 N" Q* \0 ~30．1．1 LTCC技术 616
30．1．2 厚膜技术 617
2 r" M2 N' [- n: y8 O1 a# O' A) `30．1．3 异质异构集成技术 617
30．2 Gerber数据和钻孔数据 618
, J6 g! [$ V) z/ I8 ]30．2．1 Gerber数据的生成及检查 618
2 U5 P: N" [& T( l30．2．2 钻孔数据的生成及比较 621
# c" a3 z! k! |3 ~3 k& x30．3 版图拼版 622
$ a, z% g( M& T0 o30．4 多种掩模生成 624
30．4．1 掩模生成器 624
30．4．2 掩模生成实例 626
5 }+ `" F! C* d$ H  u' g, q6 B# F第3部分参考资料 630
/ v3 X+ }9 r2 _/ B# |# C. h8 }7 u( y2 O后记和致谢 632

APP_338522

李总应该把书上的例子放上来让大家练习

li_suny

APP_338522 发表于 2021-7-2 14:22
* l  C* f4 c- k0 o* C# n5 |李总应该把书上的例子放上来让大家练习

谢谢建议，我找一个合适的例子！

ytmgadw

书看了，非常不错

wenspig

你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

li_suny

ytmgadw 发表于 2021-7-7 21:49
书看了，非常不错

谢谢评价！

li_suny

wenspig 发表于 2021-7-28 10:00
你好 这本书使用的设计软件是metor还是cadence？

' ]% ?$ }% r. \( n7 c第一部分概念和技术，第三部分项目和案例均和软件无关；第二部分设计和仿真，用的是Mentor，现在称为Siemens EDA。
1 l, R, V& N1 ?