STM32F1的flash数据存储问题

刘工在线

在有些教程中STM32的flash可以作为EEPORM，但flash有几个存储区域，一般是采用主存储块进行存储吗
如果是采用主存储块作为EEPORM，是否所有主存储快空间都可以作为EEPROM
6 Z- e% ^* I, a; f在一些资料中，描述主存储器存储着一些代码和数据常量，如果作为EEPROM不会出现将原本擦除的情况吗。。。。。
& h% b5 `# \% ]) ?  d先感谢各位大佬

行者～ABC

从后往前用，除非你的程序很大，否则不会冲突的。

#define FLASHSTART_ADDR         0x08000000                                //128K ���һҳ 1KBÿҳ �ɴ�512��16λ��  ������С��512K��Ʒ
4 R- z4 E1 V# @- G#define FLASH_BLOCK_USE                1                                                                        //ʹ�õ���1��block
6 n9 I) [/ R' k#define STM32_FLASH_SIZE        512                                                                //128K Flash

#if STM32_FLASH_SIZE<256
% W2 J! }4 {7 Z#define STM_SECTOR_SIZE 1024
% Z' g; g3 o, l1 e#else
#define STM_SECTOR_SIZE        2048
#endif      

5 M; S' W2 D4 ~4 [7 E& v* b5 D5 B* d#define USER_ADDR (FLASHSTART_ADDR+STM32_FLASH_SIZE*1024-FLASH_BLOCK_USE*STM_SECTOR_SIZE)

7 K# H( r4 N, xUSER_ADDR 就是倒数可用的地址

Heaven_1

你可以用单独的EEPORM，类似24C02
' h5 f/ X. [  e- X% v

刘工在线

Heaven_1 发表于 2021-5-13 16:51
: Y) s# m; }2 X$ N# |- M4 M' M, n你可以用单独的EEPORM，类似24C02

  R* S! g5 \4 t+ l) K非常感谢，这个主意不错