TA的每日心情 | 开心
2020-7-31 15:46 |
|---|
签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
摘―要:分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基 HEMT( High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实6 g9 J5 I" |1 M2 q6 {; X. \
验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT器件主要参数随受主浓度的退化规律,仿真结果与实验# X/ K a( h" F j( S3 n0 s
结果有较好的一致性.本文实验结果也表明场板结构和SiN钝化层有效地阻止了电子陷落在表面态中,屏蔽了绝大部分的辐照损伤,是很有效的辐射加固手段.
9 ~: Q: G$ ]2 \( w3 r. s关键词:AlGaN/GaN HEMT;质子辐照;辐射感生受主缺陷;辐射加固% _. T* L% B7 |% C
质子辐照对场板AlGaN%2FGaN HEMT器件电特性的影响.pdf
(4.55 MB, 下载次数: 0)
+ G+ `! ]% x! r$ x) ^/ V3 Q+ ?
% r- C1 v4 t! k6 p5 k |
|
/1 
发表于 2021-5-11 09:24
收藏
淘帖
支持！
反对！