质子辐照对场板AlGaN%2FGaN HEMT器件电特性的影响

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摘―要:分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基 HEMT( High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实
验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT器件主要参数随受主浓度的退化规律,仿真结果与实验
# d8 M' I9 m2 z, r# \9 m结果有较好的一致性.本文实验结果也表明场板结构和SiN钝化层有效地阻止了电子陷落在表面态中,屏蔽了绝大部分的辐照损伤,是很有效的辐射加固手段.
  j3 y) J3 X  O2 P% m( y7 x- e关键词:AlGaN/GaN HEMT;质子辐照;辐射感生受主缺陷;辐射加固
, P' \) Q% H; c8 @2 l$ \  V 质子辐照对场板AlGaN%2FGaN HEMT器件电特性的影响.pdf (4.55 MB, 下载次数: 0)

2021-5-11 09:24 上传

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