雪崩失效的预防措施

谢谢侬

, l( m0 ?. V9 w. ~8 [& b" {

雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。

合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。

        合理的变压器反射电压。

        合理的RCD及TVS吸收电路设计。

        大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。

      选择合理的栅极电阻Rg。

      在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。

       SOA失效(电流失效)

       再简单说下第二点，SOA失效

SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。

关于SOA各个线的参数限定值可以参考下面图片。

      受限于额定电流及脉冲电流

      受限于节温下的RDSON。

     受限于器件的耗散功率。

    受限于单个脉冲电流。

     击穿电压BVDSS限制区

我们电源上的MOSFET，只要保证能器件处于上面限制区的范围内，就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。

这个是一个非典型的SOA导致失效的一个解刨图，由于去过铝，可能看起来不那么直接，参考下。

         SOA失效的预防措施：

确保在差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。

       将OCP功能一定要做细致。

在进行OCP点设计时，一般可能会取1.1-1.5倍电流余量的工程师居多，然后就根据IC的保护电压比如0.7V开始调试RSENSE电阻。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td(off)。它到底有什么影响呢，我们看下面FLYBACK电流波形图(图形不是太清楚，十分抱歉，建议双击放大观看)。

2 R9 d; R3 ]0 m, ]

   从图中可以看出，电流波形在快到电流尖峰时，有个下跌，这个下跌点后又有一段的上升时间，这段时间其本质就是IC在检测到过流信号执行关断后，MOSFET本身也开始执行关断，但是由于器件本身的关断延迟，因此电流会有个二次上升平台，如果二次上升平台过大，那么在变压器余量设计不足时，就极有可能产生磁饱和的一个电流冲击或者电流超器件规格的一个失效。

       3.合理的热设计余量，这个就不多说了，各个企业都有自己的降额规范，严格执行就可以了，不行就加散热器。

srilri2

大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。