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摘要:基于经典蔡氏混沌振荡电路,引人一种双曲余弦函数的新型磁控忆阻器模型,设计含有两个双曲余弦忆阻器的混沌电路系统,讨论了系统平衡点集面的稳定区间.选择不同的忆阻初始值进行数值仿真，通过分忿图与Lyapunov指数谱研究双曲忆阻混沌系统的多稳态特性.结果表明,含双曲函数的双忆阻混沌电路具有复杂的动力学行为,运动轨迹不仅依赖于电路参数,还受电路的初始状态影响,由此产生了不同拓扑结构的混沌吸引子与不同周期运动的多稳态隐藏吸引子共存现象.* ?3 `6 r9 R$ S. }* @" [: d0 p
/ A4 }" V1 J1 B- O0 l$ W! K- O关键词:忆阻器;多稳态特性;动力学行为;混沌系统; \, e8 u( ^4 P
3 ?- k+ H; k4 l- W忆阻器是被用来描述磁通和电荷的关系,是除电容、电阻、电感外的第四个基本电路元件,它的出现使基础电路元件增加到了四个,为电路设计与应用提供了全新的发展空间.
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发表于 2021-4-20 13:30
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