有关LED芯片制造以及它的光电性能影响因素分析

Zjianeng

人类社会的进步离不开社会各界的努力，而各种电子产品的升级离不开设计师的努力。 实际上，许多人不了解LED等电子产品的组成。 LED芯片制造的主要目的是生产有效且可靠的低欧姆接触电极，该电极可满足可接触材料之间的相对较小的电压降，并提供用于焊接导线的压垫，同时尽可能多地发光。 膜过渡过程通常使用真空蒸镀方法。 在4Pa的高真空下，材料通过电阻加热或电子束轰击加热而熔化，并且BZX79C18在低压下变成沉积在半导体材料表面的金属蒸气。
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常用的P型接触金属包括AuBe，AuZn和其他合金，AuGeNi合金通常用作N表面的接触金属。 涂覆后形成的合金层还需要通过光刻工艺暴露出尽可能多的发光区域，以便剩余的合金层可以满足有效且可靠的低欧姆接触电极和引线键合焊盘的要求。 光刻工艺完成后，需要进行合金化工艺。 合金化通常在H2或N2的保护下进行。 合金化的时间和温度通常由诸如半导体材料的特性和合金炉形式的因素决定。 当然，如果诸如蓝色和绿色的芯片电极工艺更加复杂，则必须增加钝化膜的生长和等离子体蚀刻工艺。
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一般而言，LED外延生产完成后，其主要电性能已经确定，芯片制造不会改变其生产性质。 但是，在涂层和合金化工艺中不适当的条件将导致某些电气参数变差。 例如，较低或较高的合金化温度将导致不良的欧姆接触。 欧姆接触不良是芯片制造中正向压降VF高的主要原因。 切割后，如果在芯片的边缘上执行一些蚀刻工艺，将更好地改善芯片的反向泄漏。 这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，更多的碎屑和粉末会残留在切屑的边缘。 如果这些附着在LED芯片的PN结上，将导致泄漏甚至击穿。

4 X! s7 X) u2 ~" t5 VLED芯片的大小可以根据功率大小分为小功率芯片，中功率芯片和大功率芯片。 根据客户要求，可分为单管级、数码级、点阵级和装饰照明。 至于芯片的具体尺寸，是根据不同芯片厂商的实际生产水平确定的，没有特别要求。 只要工艺通过，芯片尺寸就可以增加单位产量并降低成本，并且光电性能不会发生根本变化。 芯片使用的电流实际上与流过芯片的电流密度有关。 小芯片使用小电流，大芯片使用大电流。 它们的单位电流密度基本相同。 考虑到散热是大电流下的主要问题，其发光效率低于小电流。

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所谓的透明电极必须能够导电，另一个必须能够透射光。 这种材料现在在液晶生产过程中得到了更广泛的使用，其名称为铟锡氧化物(英语缩写ITO)，但不能用作焊盘。 在生产过程中，必须在芯片的表面上制成欧姆电极，然后在该表面上覆盖一层ITO，然后在ITO的表面上镀一层焊盘。 这样，从引线流出的电流通过ITO层均匀地分布到每个欧姆接触电极。
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随着半导体LED技术的发展，在照明领域中越来越多的应用。 特别地，白光LED的出现已经成为半导体照明的热点。 但是，关键的芯片和封装技术有待改进，芯片应朝着高功率，高光效和低热阻的方向发展。 增加功率意味着增加芯片使用的电流。 更直接的方法是增加芯片的尺寸。 如今，大功率芯片一般出现在1mm×1mm左右，电流为350mA。

  `9 @; i+ e& D, `蓝色LED通常使用Al2O3基板。 Al 2 O 3衬底具有高硬度，低导热率和低导电率。 如果采用前装式结构，一方面会带来防静电问题，另一方面，在大电流条件下散热也会成为问题。 主要问题。 同时，由于前电极面朝上，所以一部分光将被阻挡，并且发光效率将降低。 大功率蓝色LED通过芯片倒装芯片技术可以获得比传统封装技术更有效的发光。

( }5 J0 E! N5 @1 T. c$ [5 p这种结构的特征在于外延层与硅衬底直接接触，并且硅衬底的热阻比蓝宝石衬底的热阻低得多，因此很好地解决了散热问题。翻转后，蓝宝石基板面朝上成为发光面，并且蓝宝石是透明的，因此也解决了发光问题。以上是LED技术的相关知识。相信随着科学技术的发展，未来的LED灯将越来越高效，使用寿命将大大提高，这将给我们带来更大的便利。
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