100VMOS低压MOS【惠海半导体】MOSFET选型指南-性能好 供货稳定 品质好

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MOS管型号：HG160N10L
MOS管参数：100V 8A
低内阻：110mR（VGS=10V）
低结电容：201pF
9 Z. p  @6 M' Y  V0 [! F类型：SGT工艺NMOS
低开启电压：1.7V
/ Z! Q0 `( m9 A8 `: E* f0 F封装：TO-252

HG160N10L特点：
低损耗
3 R! q. e, I7 T5 W9 ?高频率 大电流
低开启电压 低内阻 结电容小
5 d' o  N0 h. e$ L1 r低消耗 温升低 转换效率高
+ M& P1 z7 b- \. W) v1 J  M$ |过电流达 抗冲击能力强
1 S& o8 l5 s& c) h1 R. z- PSGT工艺 开关损耗小
% m. m/ \9 B# Z( H
HG160N10L可用各种加湿器  RGBW调光控制器、马达驱动电机，水磊控制器、于汽车大灯驱动电源，节日灯、圣诞灯、电动牙刷、锂电池保护板、数码产品、马达驱动电机，LED电源，LED电动车大灯驱动电源、LED汽车大灯电源，LED景观灯电源、LED舞台灯电源。


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