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分层隔离基础知识详解

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    [LV.2]偶尔看看I

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    发表于 2021-2-26 15:43 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    利用序列光耦合器建立双隔离栅会存在一些问题,因为数据完整性很差,而且没有一种紧凑和廉价的方式为两个隔离栅之间的接口提供电源。随着iCoupler等高性能数字隔离器以及isoPower器件集成电源的问世,通过分层隔离器建立高压隔离栅现在已经成为一种可行解决方案。4 D9 }6 A  y4 U" E3 W- h1 k
      由于新型电池和发电产业的快速扩张,我们需要具有很高工作电压的接口,还要求提供加强绝缘。例如,太阳能逆变器应用具有以下要求:
    3 T  v* v5 F5 @/ @2 r, }  800 VDC的工作电压- D6 a* ]3 X. w( n/ v& ]
      2级污染等级
    # t. _* I5 V  \# N. \$ Z  过压类别III
    % b: }7 S9 f; z& d2 e. {) S  根据IEC 62109-1标准的有关加强绝缘的规定,这需要:) M( j# E8 I& b! M3 o5 M) h5 n
      脉冲耐受6000 VPEAK电压& }" s$ k; E7 b  X+ p* i
      800 VDC的工作电压
    : O0 \, f3 C2 y! o  8 mm的增强电气间隙9 ~2 |8 W% N, v4 e+ H; l" K9 ?; i
      16 mm的增强爬电距离- w8 y+ Q% u9 z
      此爬电距离在当前封装中不可能实现。但是,如果隔离栅可以分成基本隔离栅和补充隔离栅,则对每个隔离栅的要求是:/ `. s0 m" I7 v0 Y9 `) \/ j0 ^4 d
      脉冲耐受6000 VPEAK电压2 n- A$ O1 I6 U& f
      800 VDC的工作电压  J6 v8 U! x0 X8 b3 i1 ^
      5.5 mm的基本/补充电气间隙' c4 P$ R' `& G8 ^# G
      8 mm的基本/补充爬电距离' Q; ?4 C. ^. c8 x# z1 M5 a; p. D
      SOIC16W封装的iCoupler器件,可以达到基本/补充绝缘电气间隙、爬电距离和脉冲电压要求。- N/ k0 T! k- I& c' ]7 g) v% k8 Y
      以下框图显示如何级联isoPower器件和标准高压iCoupler器件以提供所需的隔离。必须非常小心地确定数据通道的整体性能。/ h7 ]1 f8 u! k! O( b8 w; W
      两个组件之间的传播延迟、脉冲宽度失真和通道匹配值将会增加。数据速率将受到两个器件中速率较慢器件的限制。isoPower器件提供运行中间接口的电源。在高达1 Mbps的数据速率下,整个隔离栅在5 V电压下需要大约20 mA的功率,在更高数据速率下,还需要更高功率。# M& |3 ~6 M" Y) l7 _( ?
      

      如果必须跨越两个隔离栅输送电源,以便为隔离负载供电,则必须按以下所示方式级联两个isoPower器件。
    : p% W1 A8 L$ ^* O3 U( p/ T- l  

      这种配置非常紧凑,但总功效非常低。下图显示了负载的功效。如果数据传输速率高于1 Mbps,则数据传输将使用一部分可用功率,每个阶段的功耗必须进行详细计算。如上所示,该应用从原边输入获取大约40 mA功率,以创建整个接口。
    - R0 J! j/ V- K5 n  

      这种方法可以解决太阳能逆变器应用中的一大难题。在不同的标准和应用中,可以应用此方法来实现不同目标,这要取决于特定系统标准的具体细节。可以使用isoPower器件、数字隔离器和器件接口的多种组合来创建隔离数字I2C和USB接口,向终端负载提供或不提供功耗。/ w# U# t" |" O' L9 S+ O2 l: Q
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