干货：关于可靠性设计的总结

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1、钽电容不建议用25V以上的

" h1 P' D: V9 M6 }) i* ?- X2、电源输入端建议用固态铝电解电容，磁选液态铝电解电容。不建议钽电容和陶瓷电容。胆电容抗冲击差。

- s5 N" q; }+ C) g, _- O- m3、电源输出端建议钽电容或陶瓷电容。

总结26条硬件电路可靠性设计注意事项
8 [* G( ~. @, u/ E+ O* S4、BUCK电容（蓄能大电容）建议在PCB板子远端分散布置，这样保证远端供电稳定。这个大电容建议放置在输入端，输出端，远端三个地方放置这个BUCK电容。

% E/ h. W4 Z4 E8 p, r5、去耦电容距离管脚最好在2mm内，过孔要就近管脚打过孔
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6、1uf的一个IC陪1-2个就行，0.01u和0.1按照一个管脚一个配

7、pcb上走线1mm对应1nh，1mm对应0.25pf
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9 O2 ]' z6 p) @  c8 j1 D, C8、100pF对应580M的谐振频率，1nF对应180M，10nf对应58M，100nf对应18M，这个频率根据走线2mm算的，2mm对应2nh电感，谐振频率1/2π根号（LC）

1 s+ S! j$ l! @3 R  z: b! h9、电源模块输入：铝电解电容--》DCDC模块--》铝电解电容或陶瓷电容--》电源转换芯片--》》钽电容，陶瓷电容
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总结26条硬件电路可靠性设计注意事项
10、传导辐射超标，测试范围150k-30Mhz
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11、单板不建议用PTC自恢复保险丝,寿命比较短，过流10-20次，自恢复功能就会失效。建议熔丝慢熔保险丝。

$ M1 ]( O7 p4 ?' }$ O- s# v# o+ L/ k12、1A额定电流的保险丝一般熔断电流在1.5A，工作0.1-1s左右。冲击电流一般比较大，大约额定电流，但是一般冲击电流时间短，不会冲断保险丝。

  q. c8 Q! \7 m. s6 t7 f7 K2 l13、保险丝的I2t的值，中t是8ms，电流I增加，加载时间固定为8ms，直到I达到一定程度使得保险丝熔断，这个值叫I2t公称熔化热能，主要对于冲击电流的。

14、保险丝的对于冲击电流，冲击电流是个三角波信号，那么三角波的1/3的I2t与保险丝的I2t比较，应小于保险丝的I2t。

4 h+ Z# \: T1 a0 k! t* w( z15、little fuse
3 j2 C) B5 t5 G  U: }1 b
16、上拉4.7k，下拉1k
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6 z. M- r" g- c- F0 n2 B3 X8 p17、ESD保护器件要比保护串阻靠近接口，因为器件ESD防护能力强。电阻弱。

0 }( k/ @$ U% P; h% q5 q总结26条硬件电路可靠性设计注意事项
18、TVS二极管防护建议用单向的，后端DCDC模块抗负压能力一般比抗正压能力弱。

19、信号线防护器件走线一定先过防护器件，再进入器件，不要产生T型分支。千万不要产生2mm的T型分支。

6 a; p5 W3 X5 T1 c, D0 `20、为什么隔离地和信号地之间的1M欧的电阻可以防止外界干扰进入？？

( u/ P2 B& ]' X$ A+ J, W8 f2 s% ]21、can总线保护的串阻要在差分电阻与管脚之间。
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22、电源采样用插装电阻，插装电阻抗浪涌好，贴片的抗干扰浪涌不行。

: z1 M" y5 d6 i. a23、搜索跨分割
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24、avx，tdk，kemet，村田，风华高科，京瓷，电源模块金升阳，synqor电源
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: P, {1 I! _9 w0 `) r3 r25、连接器插座信号针下面不要有电源层和地层。
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26、注意爬电距离。机壳地接口插座与内部器件之间的间距保证在3mm至少。

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电源输出端建议钽电容或陶瓷电容