金属氧化物半导体场效晶体管的结构

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上图是一个NMOS的截面图。MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，左右两侧是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为NMOS或是同为PMOS。

图中NMOS的源极与漏极上标示的「N＋」代表着两方面涵义：（1）N代表掺杂（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；（2）「＋」代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped region），也就是这个区域的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（or基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是P型。反之，对PMOS而言，基体应该是N型，而源极与漏极则为P型。

对这个NMOS而言，真正用来作为沟道、让载流子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上，带负电的电子就会被吸引至表面，形成沟道，让N型半导体的多数载流子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么沟道就无法形成，载流子也无法在源极与漏极之间流动，也就是可以透过栅极的电压控制沟道的开关。

假设工作的对象换成PMOS，那么源极与漏极为P型、基体则是N型。在PMOS的栅极上施加负电压，则半导体上的空穴会被吸引到表面形成沟道，半导体的多数载流子—空穴则可以从源极流向漏极。假设这个负电压被移除，或是加上正电压，那么沟道无法形成，一样无法让载流子在源极和漏极间流动。

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Ｄ.H

对这个NMOS而言，真正用来作为沟道、让载流子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域