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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:31 编辑 * B) ~/ ?' R V1 `6 r
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目录 1. 功率损耗 2. 漏极（沟道）电流 3. 安全工作区 4. 最大瞬态热阻抗-ZthJC 5. 典型输出特性 6. Rds(on) 7. 跨导 8. 门极门槛电压Vth 9. 寄生电容 10. 反向二极管特性 11. Avalanche特性 12. 源漏击穿电压 13. 典型的门极驱动 14. 开关特性
0 r! ]7 B2 r! o- Y% c& A2 fMOS管设计参考4 |+ V: P& i9 o6 Z
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MOSFET应用参数理论详解 9 |6 v# g! l/ E* J4 T0 t: l
MOSFET是开关电源中的重要元器件，也是比较难掌握的元器件之一，尤其在LLC，LCC软开关的设计中，对于MOSFET元器件本身的理解尤其重要，理解透彻了，也就应用自如了。本文会从理论上对MOSFET的重要设计参数进行介绍。
3 L' q/ `( f7 Q% Y1. 功率损耗 MOSFET的功率损耗主要受限于MOSFET的结温，基本原则就是任何情况下，结温不能超过规格书里定义的最高温度。而结温是由环境温度和MOSFET自身的功耗决定的。下图是典型的功率损耗与MOSFET表面结温（Case temp.）的曲线图。 | 
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发表于 2020-12-20 20:35
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发表于 2020-12-21 08:17
