1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究

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摘―要:本文首次研究了1.2kV碳化硅(Silicon Carbide,SiC)MOSFET在非钳位重复应力(Unclamped RepetitiveStress,URS)应力下的退化现象,并通过软件仿真和电荷泵测试技术对该现象进行了深入的分析.研究结果表明:URS应力会使得器件积累区由于碰撞电离产生大量的电子空穴对,其中的热空穴将在电场的作用下注入到氧化层中,使氧化层中出现许多空间正电荷,这些空间正电荷的存在使得器件的导通电阻与阈值电压出现下降,关态漏电流出现上升.
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