关于setup time与hold time

liling92zdh · 发表于 2020-11-5 17:18

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如图：1.setup  time to DQS fall 是不是直接用VIHAC与waveform的交点坐标减去DQS fall初始点的坐标
      2.hold  time to DQS fall 是不是直接用VIHDC与waveform的交点坐标减去DQS fall初始点的坐标
由于DDR是双边采样，对于0和1的时候，setup  time to DQS fall的数据不同，所以计算的时候需要在两个不同的周期分别计算0和1 不同的两个setup  time to DQS fall ，hold  time to DQS fall.

fantasyqqq · 发表于 2020-11-5 18:47

仿真不是会有数值吗

dzkcool · 发表于 2020-11-6 09:04

计算的方法没什么问题，现在没这么麻烦，很多仿真工具都会自动计算输出报告了。

liling92zdh · 发表于 2020-11-6 10:44

dzkcool 发表于 2020-11-6 09:041 C; Q" D$ ]4 b% e9 z( K
计算的方法没什么问题，现在没这么麻烦，很多仿真工具都会自动计算输出报告了。

ADS可以自动输出吗？多谢

dzkcool · 发表于 2020-11-6 11:08

ADS用Memory Designer功能可以输出，参见“EDA技术公社”公众号相关技术文章

liling92zdh · 发表于 2020-11-6 15:13

dzkcool 发表于 2020-11-6 09:04
& \8 ]& M% y" s) h. y8 i计算的方法没什么问题，现在没这么麻烦，很多仿真工具都会自动计算输出报告了。

在sigrity里面可以输出这些数据吗？我每次用sigrity都要赋电阻电容的模型，这个库不全，有没有比较简单的，像ADS一样，抽去S参数，赋IBIS模型就可以出来图形了，读取数据，谢谢

dzkcool · 发表于 2020-11-6 15:56

可以用Sigrity的SystemSI

liling92zdh · 发表于 2020-11-6 17:24

dzkcool 发表于 2020-11-6 15:56) D( ~% n3 u9 ^2 t8 m0 v( {2 X: d3 ?
可以用Sigrity的SystemSI

收到，多谢

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