半导体失效与静电损伤，过电损伤的关系有多大？

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半导体失效与静电损伤，过电损伤的关系有多大？
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据有关数据统计，静电损伤 / 过电损伤（ESD/EOS）失效是导致半导体器件失效的主要原因，占 50%以上。而在静电损伤的案例中，受影响最多的是 CMOS 类集成电路，其次是功放管和微波器件（组件）等。

谢谢侬

静电损伤分为突发失效和潜在失效两种类型。突发失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全或部分丧失其规定的功能。具体表现有：PN 结区被击穿、严重漏电；集成电路的金属化条或键合引线的熔断；电容器介质击穿短路；CMOS 电路和 MOS 功率管因静电触发“闩锁”烧毁等。

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半导体结对静电的敏感程度取决于结区的几何尺寸、图形、电阻率、杂质程度、结电容、热阻、反向漏电流和反向击穿电压等。