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1.8V 5.2 GHz 差分结构 CMOS 低噪声放大器 & p' S9 Z$ i0 \. C
7 d* e, G6 K% ], O5 q摘要 :无线接收机小型化及低成本的发展趋势 ,要求人们解决高集成度及低功率的问题 ,从而推动了将射频部 分与
: x& Z: n7 q( ?基带电路部分实现单片集成的研究 ,我们给出了利用 0.18 μmCMOS 工艺设计的 5.2 GHz 低噪声放大器。在 1.8 V9 l( N8 D! x$ ^, X* U6 |5 l
电压下 ,工作电流为 24 mA 增益为 15.8 dB 噪声系数为 1.4 dB。! `& K: K5 S2 S' r, {5 ^
关键词 :CMOS工艺 ;低噪声放大器 ; 集成螺旋电感
4 I& D ^; y7 ^7 [3 Q6 K3 P5 O, [0 P# n: n( J$ e4 o$ _& i
CMOS 工艺具有成本低 ,集成度高的特点 ,使人
4 o2 f+ r' m v# L" q们有可能实现无线通信系统的单片集成。随着特征. o) d) j7 ~/ f6 `
尺寸的不断减小 ,深亚微米 CMOS 工艺中有源器件/ |& g) r. p9 u1 j) `) M6 ]* ?
的特征频率已达到 50 GHz 以上 ,使得利用 CMOS 工
/ N8 m/ z n3 u5 r* [艺实现 GHz 频段的高频模拟电路成为可能。本文描; S8 U) @7 g/ D$ p+ h9 z! i
述采用 0.18 μmCMOS 工艺实现 5GHz 频段的低噪声8 H; O# L: E+ |' G
放大电路。在射频接收电路中低噪声放大器是第一
( Z8 M) o8 V: u( _- i. Z( g, v2 V级有源电路 ,它所接收的信号通常是非常微弱的。( i, B6 w0 E `8 j& V
当该信号幅度可与叠加在其上的内部噪声幅度相比
% @; ?3 a- e$ D- o3 |' o/ q% n% B$ g拟时 ,输出的有用信号就会有很强的噪声背景 ,甚至: e9 A$ b# ]" N. C' D( c0 y
完全被噪声淹没。因此要求前级放大器具有最小的
( G. B2 p# h9 K% v1 i a X噪声系数。因为它的噪声系数决定了整个接收电路
% R+ N& k, ^; K7 K的噪声系数。衡量一个低噪声放大器的性能指标包! S' _7 ]3 f: h3 t
括 :最小噪声系数 ,适当的增益 ,满足 50 Ω 输入阻抗: X2 F2 n6 i2 S5 L4 J* c
匹配同时该放大器必须是稳定的。本文分为三个部
2 F9 s; X# g& o
; E0 j/ |+ r/ D$ y3 ]+ \% P | 
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发表于 2020-11-3 14:41
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