1.8V 5.2 GHz 差分结构 CMOS 低噪声放大器

baqiao

1.8V 5.2 GHz 差分结构 CMOS 低噪声放大器

摘要 :无线接收机小型化及低成本的发展趋势 ,要求人们解决高集成度及低功率的问题 ,从而推动了将射频部 分与
基带电路部分实现单片集成的研究 ,我们给出了利用 0.18 μmCMOS 工艺设计的 5.2 GHz 低噪声放大器。在 1.8 V
8 \! n: G% H* Z1 [" o/ v2 _8 F' X电压下 ,工作电流为 24 mA 增益为 15.8 dB 噪声系数为 1.4 dB。
* ?* @9 i% p; n6 F8 p关键词 :CMOS工艺 ;低噪声放大器 ; 集成螺旋电感

CMOS 工艺具有成本低 ,集成度高的特点 ,使人
' |% `% c& A8 G  T% h们有可能实现无线通信系统的单片集成。随着特征
( p8 u* ^" }7 g( y5 P: c  C3 X# X" u尺寸的不断减小 ,深亚微米 CMOS 工艺中有源器件
, J0 f1 J7 {4 @6 A" P  W的特征频率已达到 50 GHz 以上 ,使得利用 CMOS 工
艺实现 GHz 频段的高频模拟电路成为可能。本文描
* h5 F& P% p7 C2 D述采用 0.18 μmCMOS 工艺实现 5GHz 频段的低噪声
: C7 [$ t* G( g3 ^7 h" `放大电路。在射频接收电路中低噪声放大器是第一
; R5 e) `, O# A级有源电路 ,它所接收的信号通常是非常微弱的。
当该信号幅度可与叠加在其上的内部噪声幅度相比
' V4 q, E- A) _- R# L拟时 ,输出的有用信号就会有很强的噪声背景 ,甚至
4 ?- J  A1 }3 }6 y完全被噪声淹没。因此要求前级放大器具有最小的
7 {- d6 F3 r+ J# [: C- f/ Y$ j* r噪声系数。因为它的噪声系数决定了整个接收电路
3 m1 g1 L  R1 J的噪声系数。衡量一个低噪声放大器的性能指标包
% M# M$ u. v7 n8 f5 ]括 :最小噪声系数 ,适当的增益 ,满足 50 Ω 输入阻抗
匹配同时该放大器必须是稳定的。本文分为三个部

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