不确定退化测量数据下的剩余寿命估计

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摘要： 文章提出将亚阈值区超浅结 ＭＯＳＦＥＴ的氧化层和 Ｓｉ衬底划分为三个区域，得到三个区域的定解问题，并用特征函数展开法求出了因边界衔接条件而产生的未知系数，首次得到超浅结亚 ４５ｎｍＭＯＳＦＥＴ的二维电势半解析模型，并给出了亚阈值电流模型．通过与 Ｍｅｄｉｃｉ模拟结果对比发现该模型能够准确模拟亚阈值下的超浅结 １５～４５ｎｍＭＯＳＦＥＴ的二维电势和电流．
4 d& n( H/ d* s7 a关键词： 超浅结亚 ４５ｎｍＭＯＳＦＥＴ；二维电势半解析模型；亚阈值电流
       随着集成电路制造工艺的快速发展，根据器件等比例缩小的原则，源 ／漏结深越来越浅，２０１１年 ＩＴＲＳ［１］的指导意见中结深约为沟道长度的 ３０％．迄今为止，研究人员主要将焦点放在关于超浅结 的工艺和测量方案上，超浅结器件的电势建模工作国内外报道的很少．同时，目前 ＭＯＳＦＥＴ模型主要分为数值模型和解析模型这两大类，数值模型精确度高但是计算量大，无法直接运用于电路级仿真软件；解析模型虽然计算简单，但是精确度不够，并且通常包含数量众多的适配参数，因此需要寻求一种兼顾二者优点的新的 ＭＯＳＦＥＴ模型．根据 ２０１２年的文献［２］对亚阈值区 ＭＯＳＦＥＴ电势解析模型的归类与讨论，我们可以看到现有的亚阈值区二维解析模型均未考虑结深的影响［３］，由于有衔接条件的定界问题的求解有一定难度，目前也很少见到有衔接条件的亚阈值区 ＭＯＳＦＥＴ二维电势的解法．文献［４］虽然考虑了结深对电势的影响，但是其为准二维模型，对亚 ４５ｎｍＭＯＳＦＥＴ会导致较大的误差．因此，本文提出用半解析法对超浅结 ＭＯＳＦＥＴ的二维电势进行建模．

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2020-10-28 16:47 上传

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超浅结器件的电势建模工作国内外报道的很少