TA的每日心情 | 慵懒
2020-8-28 15:16 |
|---|
签到天数: 3 天 [LV.2]偶尔看看I
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
0.35微米高压CMOS工艺的可制造性设计(DFM)参考设计流程。该参考设计流程利用了特殊的模拟高压DFM工具，如电路设计及画板的性能检测、良率优化、寄生仿真(parasitic simulation)及安全操作区检查，同时还将提供完整的设计支持，包括向制造商客户提供可供选择的模拟高压DFM指导方针和DFM设计评价。 ) B$ H; i+ d- i* p1 z0 ?
9 ?( A8 G( N$ m! Z- j 这种高压CMOS工艺(H35)采用模拟/混合信号技术，是一代的先进HV MOS装置，可提供20V和50V的电压以及非常低的阻抗。H35应用场合很多，包括电源管理、发动机控制、打印头驱动器、DC/DC转换器、开关电源、LCD驱动器以及背光控制器。 2 e% ], E& T$ o/ P) G# b9 l4 K2 j
6 e# Y3 P- Z3 P% T* t
该公司的处理器设计配套工具在整个设计过程中，充分集合了DFM的特性及优势。它拥有完整的硅片资格标准单元、外围单元及通用模拟单元，如比较器、运算放大器以及低功率A/D和D/A转换器。此外，该公司还表示，他们的定制模拟及RF器件、Assura和Calibre的物理验证标准装置也同样像电路仿真模型一样，可以快速设计复杂的高性能混合信号IC。 * n5 [* W- E Y, B, }- y/ i5 u
" a' X t$ B3 a! x
设计配套工具包含的所有的I/O构架都符合硅(silicon-validated)，以及军用ESD和JEDEC栓锁效(latch-up)标准。全部的H35技术I/O库均由超过1800个单元构成，并支持3.3V和3.3V/5V的设计方案。该高压CMOS工艺及它的库内含超过2400个内核和外围单元。 , E6 [' r6 q, D
. ]) h, m1 p- k9 [
0 V6 N* B% M* i$ {9 |# Y: S' k3 c
& |9 p: ~0 I7 b2 n3 a |
|
/1 
发表于 2020-10-26 17:30
收藏
淘帖
支持！
反对！