TA的每日心情 | 慵懒
2020-8-28 15:16 |
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0.35微米高压CMOS工艺的可制造性设计(DFM)参考设计流程。该参考设计流程利用了特殊的模拟高压DFM工具，如电路设计及画板的性能检测、良率优化、寄生仿真(parasitic simulation)及安全操作区检查，同时还将提供完整的设计支持，包括向制造商客户提供可供选择的模拟高压DFM指导方针和DFM设计评价。 . n$ o; _. N9 y" K+ x2 [
$ X. H7 p) O' m# s9 } M 这种高压CMOS工艺(H35)采用模拟/混合信号技术，是一代的先进HV MOS装置，可提供20V和50V的电压以及非常低的阻抗。H35应用场合很多，包括电源管理、发动机控制、打印头驱动器、DC/DC转换器、开关电源、LCD驱动器以及背光控制器。
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该公司的处理器设计配套工具在整个设计过程中，充分集合了DFM的特性及优势。它拥有完整的硅片资格标准单元、外围单元及通用模拟单元，如比较器、运算放大器以及低功率A/D和D/A转换器。此外，该公司还表示，他们的定制模拟及RF器件、Assura和Calibre的物理验证标准装置也同样像电路仿真模型一样，可以快速设计复杂的高性能混合信号IC。 ' i6 _3 W& R2 q% R0 P
2 \5 ^$ w( u8 _+ z+ v4 ~ 设计配套工具包含的所有的I/O构架都符合硅(silicon-validated)，以及军用ESD和JEDEC栓锁效(latch-up)标准。全部的H35技术I/O库均由超过1800个单元构成，并支持3.3V和3.3V/5V的设计方案。该高压CMOS工艺及它的库内含超过2400个内核和外围单元。 0 n5 a3 F0 [( L) _
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发表于 2020-10-26 17:30
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