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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
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目录
5 h% A3 i. [# c7 O2 l1. 缓启动电路常见方法
3 S7 H# F" t8 r/ o6 U+ \# e/ F2. NMOS缓启动电路4 w" Q- ^ ~9 e8 v
2.1. 基于缓启时间的参数计算4 M% }/ j4 T4 ~* D e
2.2. 基于冲击电流防护的参数计算- @- t0 I( ~2 ~, `. E6 q4 \
2.3. NMOS缓启动电路仿真
5 ]& t M- C% g0 X/ A" Z5 i+ a3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较
1 } h/ G7 a0 A3 u( N- B* W j5 Y% V0 T
MOS管设计参考! j0 ]( u. p3 I: w3 E; U& i
' A& j( F: u$ c% K# J9 t
' ^0 G( y5 a1 N. A/ ?: K4 f) s6 y5 U/ f! s) D; k( z
MOS管缓启动电路参数设计与仿真2 ~) e( M8 D3 ]/ ~
9 i+ m' @* k; f, h0 G
1、缓启动电路常见方法
' C6 E8 o: v# n' r _& c 缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
* Z, U0 r# n. ~9 |0 X" X 图 1 电感缓启动电路
4 I" V: J- E+ \5 J# e. _ 使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。% b3 w1 Y1 ]8 }$ [9 ^
( U& i2 Y; b. A$ ], N: G( \
图 2 串阻缓启动电路 " m Y* j1 }, O" s3 p( H
使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。
* T7 @7 \# _$ ~8 g8 g5 G4 `
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图 3 NTC缓启动电路 ( Y; _6 H2 g, H. r2 V
故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）8 X. t0 U1 b( X. f2 _
对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
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图 4 NMOS管的转移特性曲线 - Q/ }5 S& A1 V# M( M, W+ w
2）MOS管的米勒电容效应# a' e8 g3 c6 r( O4 C( |
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