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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
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目录
! A+ k$ J5 _' Z: L3 M6 @1. 缓启动电路常见方法$ |. T( _9 w4 G# z5 x: E0 d
2. NMOS缓启动电路# S( X* @* `& }+ I
2.1. 基于缓启时间的参数计算/ M( c6 B q0 e$ z4 x7 P0 P
2.2. 基于冲击电流防护的参数计算
- Y( y1 Q6 T. S. Y! M2.3. NMOS缓启动电路仿真 }" I: a+ t- C+ ?( ]/ w2 ^
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较7 h& m- Q3 I5 Z4 N7 n# D9 C
9 H( h8 T; n6 e2 Q8 g* q, ^9 J& h
MOS管设计参考6 E6 U4 _2 m9 ~- T' _
' K# B, }9 A2 M, \
8 M; o/ r( ]0 n4 A* ^
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MOS管缓启动电路参数设计与仿真
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* r: r) P8 o5 q: \7 i( @+ W1、缓启动电路常见方法- O1 I* I! m" J; h
缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
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图 1 电感缓启动电路
+ _/ ^* u8 A" h! \+ c 使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。9 N+ [$ G, U' C/ Z
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图 2 串阻缓启动电路 ! Z9 W" m/ k8 C9 ^ H; d/ H
使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。
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- |: }# L+ d6 R# H* B* k 图 3 NTC缓启动电路
5 t1 C4 F1 g" P" x z: a0 b 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）" N5 I: M2 V% c" U. P$ X
对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
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图 4 NMOS管的转移特性曲线 ' k, M0 ?+ r _: t: p* l' E9 _3 W
2）MOS管的米勒电容效应& m! e F( j: w3 g: R8 V
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发表于 2020-11-1 20:05
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