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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑 & ^. Q7 g( B# l6 F
+ e' C$ _6 `6 H目录
1 Q6 v8 {. g- Q* m/ o) e2 @1. 缓启动电路常见方法
. j t7 N6 t( Q( P" f9 ?; O3 \2. NMOS缓启动电路4 N: D! u2 E( k3 P! X- G
2.1. 基于缓启时间的参数计算
4 I, B6 o9 |0 Y' @7 K; f: N2.2. 基于冲击电流防护的参数计算
, X8 U9 S7 m. \2.3. NMOS缓启动电路仿真* i T' A2 E) M7 f$ j& d
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较! \# x5 v# z& Z) v: g
* C8 u" d3 R& r: s0 M
MOS管设计参考8 _$ t% ^3 |& Q9 }4 b% i4 Q
. F" }3 v2 H$ t8 A
1 w v* o* S+ R
$ P) k8 P! N1 f0 J8 a, DMOS管缓启动电路参数设计与仿真
6 K# N* o! W6 ?8 _3 d( a ' l, j# f2 V. C. Z2 g
1、缓启动电路常见方法6 H, y5 h N( b+ G# w1 Z; s
缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
/ ^: M4 }6 V* E7 j 图 1 电感缓启动电路
! s" ~9 ^: ~6 R 使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。; L6 h$ t4 i* J& G4 L
$ Q3 f: _: Z2 P) I/ s/ a) y- w
图 2 串阻缓启动电路 7 N! ^ \( O+ t5 z. p
使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。
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图 3 NTC缓启动电路 ( F4 f# c1 K( [; l$ _! u" R8 K
故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）2 U- k. n- Q4 N/ N
对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
+ L7 H* M; R2 d5 ]4 ^1 L 图 4 NMOS管的转移特性曲线
; v' H2 ? C1 R- ] 2）MOS管的米勒电容效应& |- `: b% q( S, V
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发表于 2020-11-1 20:05
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