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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑
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8 y% ]+ d% E i5 V! I9 K. c目录
M( ?/ j1 Y( ~ K% \- \1. 缓启动电路常见方法
8 \: D1 h; N! ~; h6 E2. NMOS缓启动电路8 c. w" s; p) u8 y5 F
2.1. 基于缓启时间的参数计算
) Y8 q, u$ G6 ^/ k9 }3 c( |$ m2.2. 基于冲击电流防护的参数计算
; y4 \. t# s% Z9 d/ K2.3. NMOS缓启动电路仿真: \& ^. w$ b$ C& @
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较
5 X' r& n# P; `) O) {/ U
* ?9 a5 t5 h4 [0 r" p+ Q; iMOS管设计参考
9 ~ Y$ b3 G# E) w4 o- Y' B, c7 |
3 Q8 ^ B. \& I: X4 C5 D8 O/ I [6 P0 W: \
6 n/ Y `. ?, c( D5 H) SMOS管缓启动电路参数设计与仿真
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9 W5 a. a' w" A& e* X( [1、缓启动电路常见方法
1 w$ S! x9 V0 u+ ?1 F' q2 c 缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
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图 1 电感缓启动电路 ( V- X7 p: W: j9 ?
使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。
* C, H8 E$ ]4 P! a" P8 W
9 G' V4 }; W8 |. `* m 图 2 串阻缓启动电路 6 f/ [% o d% `( c
使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。9 F+ h3 `3 C& `$ T- j0 B8 n
1 M% R* B: m |7 C8 c6 u. x 图 3 NTC缓启动电路
% Z& ~2 N. q% q" {) O; N 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）
7 e3 [' Z4 b* ?' ] 对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
5 L( `7 K( a4 o/ |; x) z 图 4 NMOS管的转移特性曲线
4 D- p$ h1 x/ J$ n8 Q6 f1 X 2）MOS管的米勒电容效应, T, d) m" Z* b5 I% J1 l* {4 l9 \
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发表于 2020-11-1 20:05
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发表于 2020-11-4 09:23
