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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:34 编辑 % m. v, {2 i: B
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目录1 e1 @! }( M* Y& F/ M) V/ e
1. 缓启动电路常见方法
( x9 w$ \% Q- A, g+ d2 B( [2. NMOS缓启动电路4 Z% G* X. e$ ?' G: O" P
2.1. 基于缓启时间的参数计算
) A9 x* E# ~$ |* C& U6 O2.2. 基于冲击电流防护的参数计算
$ @' i3 S% s* P% G( [' [( L2.3. NMOS缓启动电路仿真, Z" H* `$ S X1 R1 p
3. PMOS缓启动电路仿真与波形比较
l& B3 O( A- |* p6 ^/ R- J+ d" ?0 @. o9 o$ B- l
MOS管设计参考+ ~) e, D# i5 p% n0 y$ g7 {+ s. t7 k* d
6 ~" z$ i; J* p+ X) J9 Z9 i# K& f Q2 w
8 E* O: d7 c* i3 j
MOS管缓启动电路参数设计与仿真1 m" @% g$ L' f- I# ]
# d9 z3 h' t3 y' S. S! h j1、缓启动电路常见方法' j+ J3 u! o* `1 C6 s
缓启动电路用于防止降低冲击电流对电路的影响。常见的方法有：串接电感、串接电阻、串接NTC电阻等，分别如图1、2、3所示。 串联电感时，由于电感隔交通直的特性，使得电流缓慢上升，从而实现缓启动，但在大功率场合，会导致，一方面电感因必须保证具有足够的通流量，所以体积很大，另一方面，增大了负载的感性负载大小，可能引起驱动源无法驱动。
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图 1 电感缓启动电路 ( Z- l s5 B g6 D$ |
使用串接电阻时，在启动初期，使用串阻进行限流，容性负载电压已充电至安全阈值后，再断开串阻，直接将电源加载在负载两端，这种方式会导致上电初期串阻上的功耗很大，且以热量的形式耗散，一方面浪费能源，另一方面，电阻的大小很大，功率很高，占用很大体积。
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' K' [" |2 w( {% z 图 2 串阻缓启动电路 * ^: `7 B |6 l
使用NTC时，在上电出去NTC的阻值很大，故上电电流小，随着NTC温度的升高，其阻值逐渐降低，从而实现缓启动效果，但一方面NTC会持续发热，存在安全隐患，另一方面，NTC上会一直存在压降。
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2 |0 m0 z& C' E# k+ R+ z 图 3 NTC缓启动电路
4 l" R( f% _9 Q* M5 N& n& m 故这三种方式均不适用与大电流场合。使用MOS管进行大电流缓启动电路设计是一种比较理想的方式。MOS管进行缓启动，主要基于两个特性： 1）MOS管转移特性（即Ids随着Vgs的增大而增大，如图4所示）
! M) Y; |1 W5 K9 z 对于增强型NMOS来说，Vgs>Vth时MOS管开始导通，随着Vgs的增大，Ids也随之增大，故若能控制Vgs的增加速率，就可以相应的控制Ids的上升速率。
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图 4 NMOS管的转移特性曲线
+ R+ q1 v9 ]" e! s' ` 2）MOS管的米勒电容效应
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