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那100V输入时明显Irms最大,为什么线包温度低呢?

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1#
发表于 2020-10-15 14:15 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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为什么反激式电源在264V输入时线包温升最高,当264V输入时Irms最小,那线包温升应该最低啊,当100V输入时Ton时间大,MOS导通损耗较大,所以MOS温度高好理解,那100V输入时明显Irms最大,为什么线包温度低呢?请教大神,非常感谢!
- B8 C. j  r( q* Y3 x8 M

该用户从未签到

2#
发表于 2020-10-15 15:17 | 只看该作者
你应该确认一下是线包温度高还是磁芯温度高。

该用户从未签到

3#
发表于 2020-10-15 16:34 | 只看该作者

& m9 f  m- s; _是不是变压器旁边就是MOSFET的散热器和输出二极管的散热器啊,效率应该比低压的时候低吧。
2 ~/ q% b8 X8 g4 L) t8 W* t* z想办法把效率调整下。最高电压输入和最低电压输入的时候效率做到差不多。
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