国产星忆高速异步X型随机存储芯片XM8A01M16V33A

英尚微电子

XRAM是一种旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能ram的新型内存体系结构.XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新体系结构显着提高了内存密度并简化了用户界面。
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XRAM是一种基于先进的DRAM工艺，再结合星忆创新的三态DRAM和免刷新DRAM两种专利技术的新型存储器件。不同于传统的DRAM芯片和SRAM，它具有以下特点：
• 成本 同等条件下晶圆面积节省30% ，晶圆产出预估可以增加25%
• 速度, 数据读取延时达到10ns级，相比DRAM要快10倍
• 存储密度, 单片支持Mbit和Gbit
5 e$ Y2 {* ~7 u, g. Q, G+ }  k• 功耗, 存储阵列损耗减少40%
• 无刷新, 简化控制器设计和时序操作，完全随机访问，提高总线利用率
• 高可靠性，支持-40~125摄氏度环境温度
6 Z5 i' I" T6 S

XM8A01M16V33A在功能上等效于异步SRAM，是一种高性能16M CMOS国产SRAM存储器芯片，组织为1024K字乘以16位和2048K字乘以8位，支持异步SRAM存储芯片接口。
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XM8A01M16V33A（1M×16）48引脚TSOP I引脚排列

XM8A01M16V33A特征
. Z# l1 w; m) w/ d+ S•异步XRAM芯片内存
•高速访问时间
•tAA = 10/12纳秒
•低有功功率
6 d$ |2 w+ \4 P•ICC = 80 MHz时为75 mA
4 Z6 H) g/ Y4 [  V. t•低CMOS待机电流
$ S! e4 C* I; H! Q- }•ISB2 = 40 mA（典型值）
% D6 l0 j7 E2 z, r•工作电压范围：2.2 V至3.6 V
% }" ]! M. E% j, E% S•取消选择时自动掉电
3 I, ~3 e0 y+ V; |: p•TTL兼容的输入和输出
' j5 f' f* x$ U$ g7 n7 J' n9 u•提供44引脚TSOP II，48引脚TSOP I封装和48焊球FBGA封装
+ c  z" \+ n) x8 c; C
0 F. V) q! B6 |9 f( H! O星忆存储专注于XRAM产品开发设计，提供高性能和低延时，低功耗及免刷新动态随机存储器芯片产品。致力于通过创新型存储芯片技术商业化、产业化的过程，带动国产存储器芯片的底层技术攻关和相关科研工作，从而推动国产存储芯片设计前端产业变革和更进一步的发展。星忆存储代理商英尚微电子支持提供驱动、例程、必要的FAE支持等技术支持。


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2020-9-8 17:06 上传

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英尚微电子

XM8A01M16V33A特征
•异步XRAM芯片内存
/ z, ^9 g: D5 w. l# S/ ~) Z2 X•高速访问时间
) Y( t' z2 m1 _; y$ Q' [" ]•tAA = 10/12纳秒
•低有功功率
7 ?' r/ L& E2 i2 A& d•ICC = 80 MHz时为75 mA
/ G* P! j/ E8 a2 B- q8 R. w•低CMOS待机电流
8 K; ~/ S& r/ K+ T. s5 ]' B•ISB2 = 40 mA（典型值）
8 |1 U9 `3 q% @( c6 Y, L; u•工作电压范围：2.2 V至3.6 V
•取消选择时自动掉电
# a7 Y' |  g3 X/ D! s7 j" h: L•TTL兼容的输入和输出
•提供44引脚TSOP II，48引脚TSOP I封装和48焊球FBGA封装