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本帖最后由 jacky401 于 2020-12-20 20:32 编辑
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目录3 w4 M5 }" \9 w$ Z4 K
1、NMOS、PMOS基本特性
% H( _& F& O" ^. o2、NMOS管用于上下管特征比较
/ r1 T4 j, V: C* M$ A4 m. c3、PMOS管用于上下管特征比较
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MOS管设计参考. h2 n. t- H+ h( ]( t/ [5 W
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# m8 e: [* I8 X6 [$ wMOS管当开关控制时，为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管？
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6 t o3 f5 m" T* c. A& H! M# R+ k1、NMOS、PMOS基本特性5 r5 N# _& W/ H7 ]. g/ r
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。 下面先了解MOS管的开通/关断原理，请看下图：
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NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为 -5 ~ -10V（S电位比G电位高）。( a0 }6 q' F5 \
6 Q9 g0 n: H$ n! z; u# I9 v' C! c, G& e9 U& K+ t3 x; `
2、NMOS管用于上下管特征比较
9 w- m1 I0 y M' X2 D 使用NMOS当下管，S极直接接地（为固定值），只需将G极电压高于固定的 VGS(th) 即可导通；若使用NMOS当上管，D极接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，MOS管截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的，只是控制电路复杂，这种情况必须使用隔离电源控制，使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干，明显增加电路难度。: m# l: L+ ?* Z8 l
; B4 ?9 E; \. {: `3、PMOS管用于上下管特征比较4 n J$ s( p, K( e3 v! L
使用PMOS当上管，S极直接接电源VCC，S极电压固定，只需G极电压比S极低固定的 VGS(th) 即可导通，使用方便；同理若使用PMOS当下管，D极接地，S极的电压不固定（0V或VCC），无法确定控制极G极的电压，使用较麻烦，需采用隔离电压设计。6 l X H$ N) F: d8 e4 K1 z
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发表于 2020-8-16 21:44
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