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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑 ! G0 S( F- a; V/ q3 b
4 u- \; l( D1 R* z. [6 |
目录
3 V H0 ~7 X8 T: L: w6 ?1 DDRx的差异
3 U# O2 |8 ^, {& }1 o1 r3 k2 电源, [8 t2 b3 F2 c- Z H( a4 T
2.2 参考电源 Vref# `6 v5 ^% i, g, h) P: f3 Y
2.3 用于匹配的电压 Vtt/ P6 a1 r2 W+ k1 C4 ?# T$ b' m5 E: R
2.4 DDRx电源设计小结& g( V9 u* d& B8 ]6 Y
3 时钟
6 t+ L b$ j7 Z* K& h. ?0 G4 数据 DQ和 DQS
4 n$ c- W# g2 }8 n. b& c1 Y5 地址和控制 - \; W8 u7 a5 q* w& P& T
6 PCB 布局注意事项
0 t) [* }( ^. j( y, I9 b7 EMI 问题
+ w: n$ K% I. [) O8 测试方法
' o# {0 V# [) g* z, P* G6 ~
3 S, u' H- y H0 |" z7 p
0 L3 h( M8 V# g6 i7 L7 }, g4 X5 V* v
1 D t' U9 X0 Y8 P. d& \4 k- I6 J* M1 h0 K4 V, {. |
; `, E, F a! ]+ z$ C7 f 内存设计，作为硬件系统中核心的部分，越来越受到重视。规范的硬件设计，能在系统方案设计之初，就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。
# D5 t# b/ C5 |) v+ {3 \/ ]! @
- {" T( j9 v! w- B4 h+ E" I& l1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表# n) h; m5 @# B' z
7 K% S& l& O6 h, p; V: L- DDRx 工作电压越来越低，功耗和发热量越来越小，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT，ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率，测试的时候关注时钟频率。 如下图所示：
* ]4 H6 e, Z& [- V
" N/ T8 G; m9 T L+ C
图1 DDRx 频率特征
. q& @6 g* S L# T( X- 点对点连接，这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。0 E9 \* k/ F4 w6 i
+ ~0 d% Q+ A8 L, e- v+ A: S" z
; e/ Y t# I0 J8 p2 O7 d7 U
7 \$ w$ B' ]/ m
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