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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑 2 {# S+ T; c& A/ A: } t( P6 y
% o# D, F$ D J$ x' Z) {+ Q目录
) @- k: m e4 d7 X% {1 DDRx的差异
& j8 }" L$ p8 ?0 I& o$ F! x0 I2 电源
; A$ U1 c `' K2.2 参考电源 Vref5 u8 i4 m/ `& b5 _" N
2.3 用于匹配的电压 Vtt( X9 D& q+ |, W; O4 V! m- V
2.4 DDRx电源设计小结
; S( C" J9 b' ]5 ^3 时钟' J3 a5 J x# M: f% h( Z
4 数据 DQ和 DQS 0 G8 \7 ]3 ^/ D6 b
5 地址和控制
8 G% s. n9 ^9 q6 PCB 布局注意事项
" ~" b4 q$ a* o6 o7 EMI 问题
# D, J: `& Z2 H6 T8 测试方法
* a% Y9 z& @* Q, J& o# o0 b. E/ U
( s4 {5 i0 H& _- f参考链接：
- r! p+ y B3 ?1 A: o# B& M4 J
. n4 Q: \/ O# ]/ a9 M+ u
|2 {6 q# o# ^1 \2 A' Z% }" G9 H: N
9 V( r1 {0 ~7 p0 L/ u$ N: y, p 内存设计，作为硬件系统中核心的部分，越来越受到重视。规范的硬件设计，能在系统方案设计之初，就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。
# h+ W$ b) c& Y: w0 z- _' S1 k* g) R# T; S& F
1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表
6 V l) h4 J) c7 u. c' j* b" ? 7 O! O+ E9 S3 v* o- H6 K
- DDRx 工作电压越来越低，功耗和发热量越来越小，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT，ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率，测试的时候关注时钟频率。 如下图所示：
1 A0 Z5 ^3 u3 V/ p5 h
# q) x4 Z! A0 N; t' I# p4 ^( w$ ]9 \. _
图1 DDRx 频率特征
# d- L) Q6 y1 l) V- 点对点连接，这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。3 @# k% Y/ ]) {- {$ R
- j$ e( a9 u# [% j2 N0 o1 h
3 \! G/ g. `3 i7 g4 N5 W! I4 X4 B6 b& w
* m1 g. @5 h( @) p% I5 c9 B
, D3 k' ]6 E& U o9 ?& E
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