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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑 ( v g/ `0 G6 j, z4 d* O7 ^& l
6 T% A( r- ?0 g9 q3 k! C目录
% j& n: w9 | y5 E: b1 DDRx的差异' W' t2 a" l9 A e
2 电源
0 ^+ N' K& Z) i/ s/ d& N2.2 参考电源 Vref! ~- {* }8 ~3 `
2.3 用于匹配的电压 Vtt
# o' Y! G% Y9 B. ]+ y2.4 DDRx电源设计小结. Y* p% q. |8 `
3 时钟
3 ]& B# D& Z8 B. S1 d0 K4 数据 DQ和 DQS
! K p& ]( P+ v* {' y: s5 地址和控制
/ m' w4 |7 e7 W( t- u9 f: Y$ r6 PCB 布局注意事项
0 n3 X5 M5 g* L: k9 x) u7 EMI 问题- \7 s6 x# p7 i' s7 _; e
8 测试方法
% u- s: o0 T' T- K9 i+ Y" k( u& `4 F" o' m$ V X% w$ H7 H
参考链接：
& Y& j( z: M/ V1 `( y
* _/ v3 Q+ N) z0 Z( Z7 h, j8 p4 F) P) H" @1 _. i
8 {9 T, l1 `# n/ r; f. y% e$ ?3 i
4 V& O. R, ?; k4 X2 a4 u5 C 内存设计，作为硬件系统中核心的部分，越来越受到重视。规范的硬件设计，能在系统方案设计之初，就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。0 F0 p& i. {- e# L* V, o% k4 V
# l8 y& b# w' T. X
1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表
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1 a. O+ }9 s( [! j0 ~: Y6 i- DDRx 工作电压越来越低，功耗和发热量越来越小，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT，ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率，测试的时候关注时钟频率。 如下图所示：3 B# L' E! s8 ~
. {: y8 r% z/ L2 E) k) A- W
图1 DDRx 频率特征 5 |$ u8 I- U4 m1 o
- 点对点连接，这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。
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