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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑
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# w; U6 ]. i6 f4 C0 b1 ?/ Q目录* {* T& N: I# @4 j6 G: `/ n% [ ?
1 DDRx的差异+ I ]7 p! n6 I/ r
2 电源
. o4 Y+ S. U4 i* c: d2.2 参考电源 Vref( m7 v5 z. `2 A% D. s
2.3 用于匹配的电压 Vtt; D5 x! l% i2 F* y
2.4 DDRx电源设计小结# D$ N5 e' `! G/ }" x3 P
3 时钟# e5 _" }$ S' P1 |
4 数据 DQ和 DQS ( R( i6 N$ ^2 } @
5 地址和控制
5 e- Y* F5 o& h- `5 y6 PCB 布局注意事项
! d7 z" ~+ G, [2 F* X7 D7 EMI 问题
# Y9 |$ ~9 n5 @/ \0 w- p8 测试方法% I: @% G# E% u& V
! {0 Q1 N* N4 a. Y4 j; R( Z/ W) R
参考链接:
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+ J* ^9 i8 o' D1 V0 s' \' S 内存设计,作为硬件系统中核心的部分,越来越受到重视。规范的硬件设计,能在系统方案设计之初,就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。
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* l; V3 S1 v) X; o+ q1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表
* K) |9 F9 p! O& @- Z 3 s7 T5 ?$ A4 j' D* r" A
- DDRx 工作电压越来越低,功耗和发热量越来越小,在控制成本的基础上减小了能耗和发热量,使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术(Prefetch),由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT,ODT是内建核心的终结电阻,它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完,防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚,在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻,新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标,它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率,测试的时候关注时钟频率。 如下图所示:$ F" a, D: i0 X2 `$ z
7 B3 O4 n* S* J2 T4 |: y
图1 DDRx 频率特征
8 s7 z; S# N4 s0 F7 \- 点对点连接,这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。$ N% ~ L- N; l6 p, L
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