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本帖最后由 jacky401 于 2020-8-30 21:01 编辑 ; Q: S2 j9 ^: L% e- z6 N: E
0 Z1 S) |# S, Y& U目录7 S% M7 g7 g5 z4 U+ U* {3 s( L& f
1 DDRx的差异
* w% x2 q4 ^' ~2 电源
6 B$ T- j" v/ \) k) ]9 l' n2.2 参考电源 Vref0 ~8 O0 q w. b6 X/ l% a
2.3 用于匹配的电压 Vtt
1 {) Y( Z& p/ [/ U2.4 DDRx电源设计小结; I. g0 M8 O; e$ T- D
3 时钟9 }1 @' Z' W) C* ~; i/ E; A
4 数据 DQ和 DQS
) ?8 L3 S1 L$ ~! ]) [1 y/ X5 地址和控制 2 F9 A) S1 \* Z8 M% Z m( S' _
6 PCB 布局注意事项 ; f* T/ n! Z/ Q4 j {" v; n$ {
7 EMI 问题
/ u# M. x: H5 y4 a# F \" B) s3 |5 _8 测试方法
- `- J! p. b# q l( C- W4 @( d0 p _4 J* K$ x l( z! i f+ W
参考链接：& N) A1 v. H. @4 n9 e, ^9 ]
* B+ m) @: h& S% P+ m+ E$ f* Z( Y( Q2 W5 i
9 I2 ?. |9 M: o2 P
3 t& f! i ?+ i j( Y, n& l 内存设计，作为硬件系统中核心的部分，越来越受到重视。规范的硬件设计，能在系统方案设计之初，就能避免诸如量产后EMC、高低温下不稳定、容易死机、蓝屏等一些列的问题。
4 I' m- H( n9 E' m% Z; r1 P: y6 p( T! ]) ] z, S$ X* \- c
1 DDRx的差异表1 DDRx 内存关键参数对比表( c7 ^8 n2 ]2 W5 `
; n2 L( O: h2 K: |( B& Z1 d- DDRx 工作电压越来越低，功耗和发热量越来越小，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得后续的DDR更易于被用户和厂家接受。
- DDR1/2/3/4 内存最关键的技术就是分别采用了 2/4/8/16bit 数据预取技术（Prefetch），由此得以将带宽翻倍。
- 自DDR2引入了ODT，ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射。
- DDR3新增ZQ功能。ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露可编程化温度控制存储器时钟频率功能。
- 内存有三种不同的频率指标，它们分别是核心频率、时钟频率和有效数据传输频率。我们通常比较关注有效数据传输频率，测试的时候关注时钟频率。 如下图所示：
, i* Q* Y: j7 {( B
' X9 {! R5 ]7 a% Q+ Y
图1 DDRx 频率特征 & K3 ]4 M7 B2 @6 R$ W
- 点对点连接，这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
- DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级。% O/ o0 v. t) O1 U# f9 e8 v, M
- |9 S) k4 V) f
& [! t a! I+ l# n" u+ G& L7 K7 T! D% d( u0 Z
2 y) I F6 G) x& p) y6 o9 T/ y
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