光耦在开关采集中的应用及出现烧限流电阻问题

bow

之前做了几次类似电路，但是在实际应用中出现烧限流电阻及光耦的问题，结合在网上查的资料，自己修改了一下，请各位大师给指点一下。
A_IN是一个幅值在12V的方波信号，经过光耦送到STM32单片机的引脚，选择5V兼容的引脚。

rural

感谢您的回复，这里R3的作用是否可以当作一个过电流后的分流电阻，目的就是保护光耦不被烧毁，C1的作用是这个电路同时兼容交流220输入，当然要增加限流电阻。  如果R2增加到3倍就是3.6K，这样光耦电流=12V-1.2V(光耦压降)/3.6K=3mA，是不是太小了。  如果R2增加到2.4K，光耦电流大约在4.5mA，按照电流传输比50%计算，IC=4.5mA *50%=2.25mA，（5V-0.2V）/2.25mA=2.1K，R2取值不小于2.1K，这里我改成4.7K。  请问以上的分析方法是否正确，是否可取。

jinlinqianshui

你指的限流电阻是R2，R13,R1?电阻烧坏基本上是电阻上的功率过大导致，无论是过压还是过流，最后导致烧毁的都是功率过大，座椅你需要确认电阻的功率，看是否可以调整阻值或加大功率。