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请教,在多片DDR布线中,Vref应该使用何种拓扑结构

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1#
发表于 2010-9-9 19:13 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 h2feo4 于 2010-9-9 19:18 编辑 % T0 z1 \6 x: I8 ]
! j4 g1 [4 a/ d1 Z2 D
请教,在多片DDR布线中,Vref应该使用何种拓扑结构& s# U$ R5 y+ [

2 B( k) W8 J2 M7 u4 o# q我在画的板子是6层,最小线宽/间距是6mil: u1 y5 Z  P% ]% J5 F; x9 B6 o3 H
TopLayer6 d8 l) {# Q7 T- ]* z" ~5 [
GND-Plane
  r) K9 H1 @9 E- n9 ?: o5 oPower-Plane 3.3V/1.8V
" u* W9 Z- `$ V4 B5 X2 c. SMidLayer-1 (布线剩余空间铺铜GND)
& K; k2 ]6 ^% RPower-Plane 2.5V4 ]- E9 B: |, u% @8 t
BottomLayer0 k- O! j; z% |7 J1 d
4 E+ p$ o4 x7 \9 s4 J# j( k' {
FPGA 带4片DDR,两片在正面,两片在背面,背对背% V* Y# Q9 ?' g" z: N" U
数据线走Top/Bottom,平均长度约 1 inch,每条线上最多有两个过孔
- ]% M2 l  V3 a, Q地址和控制线走MidLayer-1,平均长度约 2.5 inch,每条线上最多有三个过孔- ?% s* e5 O8 I$ {7 R
受限于空间,所有DDR信号线只有Rs没有Rp
' J1 W( V" u* o" }0 l& i8 h* P占用FPGA的3个IO Bank(每个IO Bank有约10个Vref脚)) f' p; N4 I" y; w
所以一共有34个Vref脚,请教下该连成什么拓扑结构
5 p/ e# O/ s$ C9 l! J( Y5 h- J从布线状来看树状最方便,但不知道是否会有不良影响,是否需要在每个树杈终点放电容?
$ C3 p2 L# _  g8 j% ~: f$ W0 ~; H) r7 ]- p& n& K4 d  _3 |
另外,请教下,Vref用多少线宽合适呢?8 `- ?6 Y& o/ f6 G! M( i) K3 G
谢谢!

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2#
发表于 2010-9-9 22:18 | 只看该作者
VREF有这么多吗一个BANK,基本上就1-2个管脚,直接铺一个平面就是了,这个是电源

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3#
 楼主| 发表于 2010-9-10 16:43 | 只看该作者
补图来了
, h5 [) }; e" h. x' I, b$ T; w
5 ~9 s# g6 g; D板子总体 中间是FPGA,右边是4片DDR(两正两反背对背)
  W+ V! I- H: ~; G: C" A: w数据线走Top/Bottom,地址和控制还没画,黄色线表示其大致趋势2 c* {2 u" g5 C  j4 v! m# V

$ b* X5 T6 C* Y
; T4 i# O! z2 M( [设计的层结构
$ |5 N' B: p; j, _6 Q5 z - S. X3 r1 W! Q% v! U; r3 N6 ^& U" C
: M% |+ q; }  `" c) z$ n1 n) N1 U
DDR附近正面走线8 `/ \* o- B3 \

/ J4 b" e+ u$ @+ f8 B3 U  n
, R: h: F+ P/ X+ q0 Y- z/ z8 eDDR附近背面走线3 g' S) L9 }& u. u

; ], g+ H8 e7 `3 M& K$ M. o# n) A! b: P6 w! y: p- H8 u
2.5V电源区域
6 Z" E4 E/ M1 X+ W + H/ s- Z! f0 n

6 H& n. U9 N7 s. }, PFPGA确实每个Bank有10个Verf,老型号就这样,没办法, p% m4 c) C$ h! r
板子上没有空间给Vref一个整平面,最多能容忍40mil粗的一条线" r  F' M" w3 J0 Z
我看了一些主板和内存条的PCB,好像从来没哪个板子把Vref搞成平面的,都是一条挺细的线
. t8 v. r& g& A7 i& Y
% J1 b& q5 q& o! S! C* e哪位能指导下,感激不尽

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4#
发表于 2010-9-10 18:26 | 只看该作者
vref没必要搞那么粗的,只是提供一个参考电压而已,粗了反而不好,容易受干扰。保护好vref就行了

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5#
发表于 2010-9-11 21:52 | 只看该作者
那最后你决定用什么拓扑?

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6#
 楼主| 发表于 2010-9-12 16:22 | 只看该作者
回复 5# dw4736
; v3 x' V) T; B6 [* z
% t0 V: ^# ]/ g5 [* R) a- c7 A, Z2 t- c$ M, N
    没决定呢,还没搞清楚

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7#
发表于 2010-12-23 09:16 | 只看该作者
这叠层有点...............
  • TA的每日心情
    郁闷
    2025-4-28 15:02
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    [LV.3]偶尔看看II

    8#
    发表于 2010-12-23 14:13 | 只看该作者
    如果DDR跑的快,楼上叠层结构需要重新考虑一下,可以参看一些叠层资料好好消化一下,再重新叠层,如果EMI这些要求是有的建议top与bom不走线,只走一小段线然后打孔进内层。
  • TA的每日心情
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    [LV.3]偶尔看看II

    9#
    发表于 2010-12-23 14:17 | 只看该作者
    还有VREF的电流很小,芯片里面应该是比较器的输入端电阻很大,一般需要的电流是nA级的,不过这个电压要求跟随VDDQ的电压变化而变化,需要满足这个要求才能跑得快,稳定。这么小的电流所以一般不需要很粗的线,只要保护好它不受干扰就行。

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2010-12-23 15:50 | 只看该作者
    布线很有特色!!
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