解析SRAM存储容量及基本特点

英尚微电子

SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM存储器具有较高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺点，即它的集成度较低，功耗较DRAM大。SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存.SRAM也有许多种，如Async SRAM(异步SRAM）、Sync SRAM(同步SRAM)等。下面英尚微电子解析关于SRAM存储容量及基本特点。
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5 t& _! v" V9 ^; N5 B  F: F; H半导体随机存储器芯片内集成有记忆功能的存储矩阵，译码驱动电路和读/写电路等等。
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下面介绍几个重要的概念：
读写电路：包括读出放大器和写入电路，用来完成读/写操作。
/ w/ G: M6 a- g  E8 n" p) S地址线：单向输入，其位数与芯片的容量有关
片选线：确定哪个芯片被选中（用来选择芯片）
数据线：双向输入，其位数与芯片可读出或者写入的位数有关，也与芯片容量有关。

0 O, ^  `8 f2 y' @" y/ j" K- t" R存储容量

& j2 `& q' ~* P# Q& C3 o通常我们将存储容量表示为：字数X位数，比如64KX8位，其含义为，以8位构成一个字，一共有64个字。这个概念要相当熟悉，后面理解题目很有用。

下面我们来看一道例题：

9 R8 F6 H- F9 e, g( a- I4 G2 y一个64Kx8位的存储器，可以由（）个16kx1位的存储芯片构成？

9 e& [) j, }+ s# ?& S分析：64Kx8位，说明该存储器是以8位构成一个字，因此，每读出一个字，需要选中8片16kx1位的存储芯片，而一片能表示16k，因此一共需要64/16=4片，根据组合的原理，一共需要4x8=32片。
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从图中我们可以看出，相当于把32个芯片分成了4组，每组8片（表示8位）。于是得出这样的结论：
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7 x+ Q; Z4 C+ V6 \
SRAM存储器原件所使用的mos管多，占用硅片面积大，集成度低，但是采用触发器工作原理存储信息，因此即使信息读出之后，它仍然保持原状，不需要再生，但是电源掉电时，原存有的信息就会消失，因此它属于易失性存储器。因为这个比较的简单。

4 c4 J+ C. s  |7 n+ ^基本特点

+ {! Z5 B5 n# B3 a9 A- a7 p现将它的特点归纳如下：
8 z" {% o/ I3 Y8 T2 u1 Q工作原理：触发器
◎优点，速度快，不必配合内存刷新电路，可提高整体的工作效率。
, |3 {- ~$ x/ }! D3 A◎缺点，集成度低，功耗较大，相同的容量体积较大，而且价格较高，少量用于关键性系统以提高效率。
* \2 [/ N. t& ^/ F+ k◎SRAM使用的系统：
8 r, h: h5 ]9 UCPU与主存之间的高速缓存。
CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
CMOS146818芯片（RT&CMOS SRAM）。

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◎SRAM使用的系统：
CPU与主存之间的高速缓存。
/ Y1 k( @' N& N+ V' mCPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存。
CPU外部扩充用的COAST高速缓存。
: ^% i0 o9 g' z2 e8 [/ ~" k2 lCMOS146818芯片（RT&CMOS SRAM）。