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关于DDR2终端电阻的添加?

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1#
发表于 2010-8-2 10:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
如题:
5 i& v1 r9 F9 ~DDR2到底需要添加终端电阻不?: }) f: z7 O. i. s, n
( K! `1 P, P+ M8 _: o* C3 P* o. Z/ E

% a  [; Y5 {: G! z: _" c) |DDR2中有个ODTPIN,  是内建核心的终结电阻器,资料上显示DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。作用:DDRII内建了终结电阻器,在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻,减少信号的反射。
- v+ ~  L% o' n0 Z
+ y- ?% g' m3 M* I但是一些DDR2的实例显示要使能跑起来需要在外部添加终端电阻。
- ?& N8 \4 Q  b6 l  m6 P) w2 ^3 o  x  _6 t: N; L4 K  e' L% B. O  N
那么DDR2到底需要添加终端电阻不?或者是什么情况下需要?什么情况下不需要?

该用户从未签到

2#
发表于 2010-8-2 16:28 | 只看该作者
回复 1# 忘顰
: \- P, s2 \+ ~$ e  p' h
7 E6 c, S  `. g" C- s3 K  ?$ O/ v  Y  l5 M
    帮你顶起,这个问题我也想知道,如果使用了odt,那读ddr2的数据,要不要匹配电阻,怎么匹配?

该用户从未签到

3#
发表于 2010-8-5 09:28 | 只看该作者
首先明确ODT是针对数据线的,还要明确数据线是大多数1对1的(不过也有通过/CS来区分1:2的情况)。: ~6 b5 W4 \% ?. |) q% j% [$ h
DDRII数据线可以不用外部上拉电阻。但是地址/控制线在颗粒多于2的情况下,需要增加上拉电阻,因为地址/控制线没有ODT功能。6 ?5 [( {, j/ j* U
“DDRII内建了终结电阻器,在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻,减少信号的反射。”
4 ^* F$ w5 M- SQiang:个人解释一下,就是说明数据线是处于1:2的情况下,这个时候不工作的DRAM相当于工作DRAM的远端节点,而打开远端结点的ODT功能,工作的确没打开,这个是菊花链匹配的效果(可以研究一下菊花链匹配的反射计算)。如果打开工作的ODT,而未工作的ODT没打开,就是一段线的反射(影响的效果跟速率与线长有关,此时是线太长了)。如果同时打开,相当于端接电阻变小49.9/2 = 25 Ohm,端接不匹配。

该用户从未签到

4#
发表于 2010-8-5 11:32 | 只看该作者
回复 3# liqiangln % v) q0 {/ \  B- {; _' Z
1 {# L* K! }9 H9 H

- Z7 s, R+ V  f1 o4 q. n    版主,ODT就相当于是内部并行端接吧。那是不是应该就是相对于ddr2那一端的,也就是谢数据的时候进行的匹配。但如果读数据的时候,就是ddr2作为驱动端呢?odt还有用吗?

该用户从未签到

5#
发表于 2010-8-5 12:34 | 只看该作者
读数据的时候ODT是关闭的。
! S# H; ?# N% n: ~是在写数据的时候,才会开启的,看看手册的时序图。

该用户从未签到

6#
发表于 2010-8-5 12:54 | 只看该作者
那么DDR2到底需要添加终端电阻不?% I! n" d; N. `& Y2 b: e
---肯定要加,防止信号反射,详细查阅有关资料。
  l* x5 k, C. N或者是什么情况下需要?
) A  B& R* X; ^5 p* H1 s1 G) G$ i---工作就需要
6 [9 Q1 p3 d7 V; p# o0 p& J3 Q. l/ I9 y5 ^) x# x# K
什么情况下不需要?
; s# E& L" W! Z1 a3 \---为什希望不要加上了?

该用户从未签到

7#
发表于 2010-8-5 14:11 | 只看该作者
回复 5# liqiangln % q3 A8 w6 j) j% p. Z. y8 I

$ }- x. B" G3 v7 M% D$ n7 t- y2 S2 N# d; {
    这个我知道,那读数据的时候,岂不是要外部匹配?

该用户从未签到

8#
发表于 2011-9-9 13:34 | 只看该作者
很想知道这个问题的答案,因为公司做了一款,软件上可以把ODT关掉,降低功耗,求详解。
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