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关于DDR2终端电阻的添加?

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1#
发表于 2010-8-2 10:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如题:% _& {, ]! X# F& j* q% j
DDR2到底需要添加终端电阻不?$ v5 O: b; j& o1 Z+ K9 k! N

+ n6 P! i' V5 q1 g4 `& d1 M% x) H2 {$ E& q6 s* j! j
DDR2中有个ODTPIN,  是内建核心的终结电阻器,资料上显示DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。作用:DDRII内建了终结电阻器,在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻,减少信号的反射。" v) D! I2 L+ d6 r! j
7 k: I% S5 V' S2 o; m
但是一些DDR2的实例显示要使能跑起来需要在外部添加终端电阻。6 x9 w' n# `& j: D
% B/ v' n4 ^0 t/ C
那么DDR2到底需要添加终端电阻不?或者是什么情况下需要?什么情况下不需要?

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2#
发表于 2010-8-2 16:28 | 只看该作者
回复 1# 忘顰
' ]' G/ q4 ^3 B/ A" J
0 I% I' K$ [$ k" }, Z( r/ i* C3 ~! q, a2 j
    帮你顶起,这个问题我也想知道,如果使用了odt,那读ddr2的数据,要不要匹配电阻,怎么匹配?

该用户从未签到

3#
发表于 2010-8-5 09:28 | 只看该作者
首先明确ODT是针对数据线的,还要明确数据线是大多数1对1的(不过也有通过/CS来区分1:2的情况)。3 |: u2 ~% n& P/ {0 M
DDRII数据线可以不用外部上拉电阻。但是地址/控制线在颗粒多于2的情况下,需要增加上拉电阻,因为地址/控制线没有ODT功能。
. |+ s5 b5 I. K  i* B“DDRII内建了终结电阻器,在DRAM颗粒工作时把终结电阻器关掉,而对于不工作的DRAM颗粒则打开终结电阻,减少信号的反射。”& X* E& k$ \0 D" f1 Z9 G8 q, w
Qiang:个人解释一下,就是说明数据线是处于1:2的情况下,这个时候不工作的DRAM相当于工作DRAM的远端节点,而打开远端结点的ODT功能,工作的确没打开,这个是菊花链匹配的效果(可以研究一下菊花链匹配的反射计算)。如果打开工作的ODT,而未工作的ODT没打开,就是一段线的反射(影响的效果跟速率与线长有关,此时是线太长了)。如果同时打开,相当于端接电阻变小49.9/2 = 25 Ohm,端接不匹配。

该用户从未签到

4#
发表于 2010-8-5 11:32 | 只看该作者
回复 3# liqiangln
0 W) q- U+ s3 p3 I5 {" P' Y
: l2 S& f$ [/ e% Q- l" j# r9 u0 B! T" p, [7 U
    版主,ODT就相当于是内部并行端接吧。那是不是应该就是相对于ddr2那一端的,也就是谢数据的时候进行的匹配。但如果读数据的时候,就是ddr2作为驱动端呢?odt还有用吗?

该用户从未签到

5#
发表于 2010-8-5 12:34 | 只看该作者
读数据的时候ODT是关闭的。4 H) Q* o8 s4 r$ Q7 ^
是在写数据的时候,才会开启的,看看手册的时序图。

该用户从未签到

6#
发表于 2010-8-5 12:54 | 只看该作者
那么DDR2到底需要添加终端电阻不?
/ y/ a2 Y1 f9 Z---肯定要加,防止信号反射,详细查阅有关资料。1 a! D2 }, W8 {, e" ]1 ?& i- j4 J
或者是什么情况下需要?" `# S1 F# r# h9 P- @
---工作就需要/ Y- v* ]/ h  ]; v4 v3 s

# Y" k" b% F1 u% O- Q+ S7 l什么情况下不需要?% ?5 k! ^: a: d6 `0 g0 G! W% u
---为什希望不要加上了?

该用户从未签到

7#
发表于 2010-8-5 14:11 | 只看该作者
回复 5# liqiangln
7 F6 Y9 _# U+ z' J; b! x, d! Y: ^4 X2 `6 O5 N7 `
! e2 v7 @8 O3 e7 }' c- o4 h
    这个我知道,那读数据的时候,岂不是要外部匹配?

该用户从未签到

8#
发表于 2011-9-9 13:34 | 只看该作者
很想知道这个问题的答案,因为公司做了一款,软件上可以把ODT关掉,降低功耗,求详解。
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