限制主MOS管最大反峰和RCD吸收回路功耗最小可以同时实现吗？

Colbie

限制主MOS管最大反峰和RCD吸收回路功耗最小可以同时实现吗？

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【导读】在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小）
　　
# U2 g  ^! a0 s( A" F: A在讨论前我们先做几个假设：

① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；
② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）；
③ 在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。

+ f- W0 b, a8 z( g& u图题：MOS管　　

有了以上几个假设我们就可以先进行计算：

首先对MOS管的VD进行分段：
　　
, e5 Z! ?! H+ E  d" |* l( hⅰ，输入的直流电压VDC；
ⅱ，次级反射初级的VOR；
+ @0 b/ P/ N& |% O1 Z) ^! o$ Y* M' {ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
, x( R& ]0 A$ L# Z: U. q9 w' @ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
" m& }- D7 Z" T　
, w0 T. j0 H( \对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
0 k- \9 y) t4 z　　
* l$ k: v4 B" p! z% uⅰ，输入的直流电压VDC。
　　
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC＝VAC *√2
& o( T% Q$ H8 o1 R1 h4 ?1 L　　
, F: h6 |9 Q7 P0 S* a6 m- rⅱ，次级反射初级的VOR。
! t+ a2 e- Q1 l2 ^9 w　　
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．
+ B+ G$ ^. s0 u; {4 b# qVOR＝(VF　 Vo)*Np/Ns
　　
ⅲ，主MOS管VD的余量VDS。
- Y. j" u* O8 \( c  E+ Z; B  i- k3 m- N　　
VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．
. o) |& \/ l5 G1 @: ZVDC＝VD* 10%
　　
ⅳ，RCD吸收VRCD。

MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%
　　
注意：

* B8 }0 x# G/ D2 G+ M' r① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合。
& D- x% H6 }8 _/ y② MOS管VD应当小于VDC的2倍．（如果大于2倍，则主MOS管的VD值就过大了）。
③ VRCD是由VRCD1和VOR组成的。
④ VRCD必须大于VOR的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择就太低了）。
⑤ 如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍，那么RCD吸收回路就影响电源效率。
& q  M* s5 O9 g0 q+ {- b　　
ⅴ，RC时间常数τ确定。
　　
τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。

试验调整VRCD值
' t4 j7 S, a6 O% x: R) P　　
首先假设一个RC参数，R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC元件上的电压值，务必使VRCD小于计算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R值减小后，重复以上试验。（RC元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC一点上，测试点接到RC另一点上）。一个合适的RC值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD的试验值等于理论计算值。
　
试验中值得注意的现象
　　
& d# X+ W" }" }9 W. A- u输入电网电压越低VRCD就越高，负载越重VRCD也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
# A3 L' z6 z! O( p+ j　　
( c% c8 M& S2 s0 W/ E' M' I$ W4 HRCD吸收电路中R值的功率选择
　　
R的功率选择是依实测VRCD的最大值，计算而得。实际选择的功率应大于计算功率的两倍。
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RCD吸收电路中的R值如果过小，就会降低开关电源的效率。然而，如果R值如果过大，MOS管就存在着被击穿的危险。

bow

在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小）

haohaoge

学习学习了，楼主可否写成一个WORD文档，若是能加上示波器的图片那就更好了
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