DDR仿真第8期从power si提取参数到system si仿真波形差别那么大？

hyxs714154

杜老师DDR 第八期:自己从Power si提取参数到，ystem si PCB导入.CKT文件。其他IBIS模型,VRM,VTT都不变。仿真的数据波形幅度很低，明显有问题;模型参数文件名字:531_power_si_save
对比模型参数和课程上的也差别不大，求大神帮忙看看？
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dzkcool

2 T, R5 R: q7 u& n: ?十有八九是S参数提取的问题，或者是SystemSI中设置不正确，可以对照公众号中的操作指引查一下哪个步骤不对，或者回头看下回放公众号文章链接：https://mp.weixin.qq.com/s/VWf9M7njmRgY3EaJQGPo5A
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hyxs714154

dzkcool 发表于 2020-6-2 08:28
十有八九是S参数提取的问题，或者是SystemSI中设置不正确，可以对照公众号中的操作指引查一下哪个步骤不对 ...

3 c- d3 a# u1 t8 k8 a6 G, xSystem SI换成您那边提供的PCB S参数模型就是正确的。我觉得设置应该没问题，提取S参数可能有点问题，昨晚提取了很多次都是错误的。也没发现提取那里有问题，并且SPD我都没改，直接用的您设置的，跑完了直接保存。老师可以看看附件S参数那里有问题嘛，谢谢!
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dzkcool

我看你用的是2018，换成2019试试

hyxs714154

dzkcool 发表于 2020-6-2 11:18
我看你用的是2018，换成2019试试

, t! A6 m% |. Z2 C, V跟版本无关，解决了。很久之前就卡这里了。
* F, C3 Z+ i( s; E! \

bingshuihuo

hyxs714154 发表于 2020-6-2 23:09
3 q! e5 r/ h; Q4 J跟版本无关，解决了。很久之前就卡这里了。

咋解决的  也谢谢心得，帮助后面的人解决问题

wgdxzbl

您好，请问DDR3仿真怎么加上VTT上拉电阻，谢谢！