DDR仿真第8期从power si提取参数到system si仿真波形差别那么大？

hyxs714154

杜老师DDR 第八期:自己从Power si提取参数到，ystem si PCB导入.CKT文件。其他IBIS模型,VRM,VTT都不变。仿真的数据波形幅度很低，明显有问题;模型参数文件名字:531_power_si_save
/ ^. U4 M+ v5 t' @对比模型参数和课程上的也差别不大，求大神帮忙看看？




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dzkcool

4 e1 j5 {/ \) {) k4 C6 c3 i; B1 Z0 k十有八九是S参数提取的问题，或者是SystemSI中设置不正确，可以对照公众号中的操作指引查一下哪个步骤不对，或者回头看下回放公众号文章链接：https://mp.weixin.qq.com/s/VWf9M7njmRgY3EaJQGPo5A

hyxs714154

dzkcool 发表于 2020-6-2 08:28
十有八九是S参数提取的问题，或者是SystemSI中设置不正确，可以对照公众号中的操作指引查一下哪个步骤不对 ...

System SI换成您那边提供的PCB S参数模型就是正确的。我觉得设置应该没问题，提取S参数可能有点问题，昨晚提取了很多次都是错误的。也没发现提取那里有问题，并且SPD我都没改，直接用的您设置的，跑完了直接保存。老师可以看看附件S参数那里有问题嘛，谢谢!

dzkcool

我看你用的是2018，换成2019试试

hyxs714154

dzkcool 发表于 2020-6-2 11:18
! a) S. q1 A# p. L. W2 B% |- @2 b* g: R5 }我看你用的是2018，换成2019试试

跟版本无关，解决了。很久之前就卡这里了。

bingshuihuo

hyxs714154 发表于 2020-6-2 23:09
$ y) @" C8 x6 M4 h9 Z跟版本无关，解决了。很久之前就卡这里了。

: J/ E  q/ Y! C# J8 [咋解决的  也谢谢心得，帮助后面的人解决问题

wgdxzbl

您好，请问DDR3仿真怎么加上VTT上拉电阻，谢谢！