PDN 中自阻抗和转移阻抗怎么理解？高手指教

neuneins

PDN 中自阻抗和转移阻抗怎么理解？高手指教

gonethewind

自阻抗就是 你这个端口加个1A的电流引起的端口压降大小。互阻抗就是在在该端口加1A电流时其他端口上引起的压降大小。比如Z21，1端口加1A电流，2端口测到的电压大小就是Z21的大小。以上都是频域的，每次1个频点。

neuneins

那我们做PI仿真时候，阻抗——频率曲线是自阻抗还是转移阻抗呢？

fenghaili

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5 Y) @1 W8 c4 M$ m( x; L# {8 }我也想知道答案

gonethewind

neuneins 发表于 2010-7-9 17:11
, X- O! a. L. M& o3 j& s1 t. B那我们做PI仿真时候，阻抗——频率曲线是自阻抗还是转移阻抗呢？

0 e$ `5 j" C$ Z* W5 [) o都有.都需要. 如果没明确指,一般是自阻抗,从 pin看过去, 往pcb那端看过去的阻抗. vrm模型要接或者短路.

fenghaili

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% U* `$ p! Z4 z8 k, C
对于lumped仿真，可以对目标阻抗有一个很好的分析。解决电容数量，容值等问题。这个阻抗很容易理解。这个阻抗反映了整个平面（包含电容等）与电压电流的关系，影响因素主要是是电容和电感。
: w/ K9 w  P: s8 b4 j; L4 C
' X/ X8 B# Z( I4 z9 o9 D对于distribute仿真，则是自阻抗和转移阻抗，这两个概念我一直没有理解。反映了什么？影响速度是什么？物理意义是什么？曲线的高低代表了什么？


; f- J1 O- T4 i9 f

fenghaili

# N4 V4 M# C5 m! J" i; ^/ P
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* M% R5 E7 v$ I5 _( K
$ G$ d7 a: v  }: R  l. v
3 Z. e- e( C; A; E& _* i; r9 h8 `' }通过目标阻抗曲线，可以分析得知电容容值是否合适，数量是否够，

2 l8 u' R( T5 ]* Z( ]1 E% P通过自阻抗和转移阻抗曲线，可以分析什么呢？
% g3 K8 e1 z5 R2 X) W
! u# B# j. E/ Y5 {
, B3 ~# U/ W, U, C# |

gonethewind

fenghaili 发表于 2010-11-9 15:27
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实际上，lumped分析是个大致的评估标准。
distributed的模型，定义了各信号线之间由于共电源/地网络而导致的SSN噪声。从噪声的角度出发，对于某个signal模型，它总是接在power 和ground之间的，2个pin。那么它所引起的噪声就是自身的电流与这两个pin之间的阻抗的乘积。 对于其他signal net，道理是一样的。所以，理论上精确定power noise分析需要把所有signal net接在不同的power/ground pin上。这样就需要电源网络模型有足够多的pin来连接最近的signal net模型。这才符合实际情况。这就是distributed模型的作用。
3 y8 f# K2 V1 ?   lumped模型是一种近似。它假设所有的signal net的电流从同一点流入power/ground net，所以得出的是个近似的噪声，自阻抗也是个大致的评估模型。 不能具体分析某个signal net所连接的power/ground pin的噪声。
  distributed的模型提取比较慢，仿真也慢。S参数模型瞬态仿真收敛不够好。
0 Q3 L" F# U$ K- d: g/ N* Z

cindy0924

gonethewind 发表于 2010-11-9 23:18
( u- [- x2 \! K4 c, B实际上，lumped分析是个大致的评估标准。
distributed的模型，定义了各信号线之间由于共电源/地网络而导 ...

" A- d" f8 @8 ]- k: |9 E+ u+ I还是没能理解离散模型的作用。