有个开关电源问题需要请教大神。

hpucq

开关电源中100~200KHz的PWM信号能否经过模拟开关后直接驱动MOS管？有什么需要注意的地方吗？

Balata

PWM是逻辑信号，用驱动器就可以满足；用的哪门子开关？更重要的是；一旦开关断开；就等着炸管吧。

House

如果是2N7002这类MOS，且用的模拟开关至少达到CD4066这个级别，没问题！如果是驱动100A1000V等级的MOS；估计无动于衷。

hpucq

PWM信号来自开关电源IC，驱动普通的150V，30A左右的NMOS

怕4066不行，选了一个下面这个
1 }. P5 p4 d0 q& L) g, S* H+ |

TS12A12511 5-Ω Single-Channel SPDT Analog Switch With Negative Signaling Capability

IRESSEMT

PWM是逻辑信号，用驱动器就可以满足；用的哪门子开关？更重要的是；一旦开关断开；就等着炸管吧。

limopcb

模拟开关里面也是MOS管，你也可以理解成他就是一个驱动但是你选这一款驱动能力比较小，开关速度也有点慢
很大可能用着看不出来问题，但是超限使用存在风险。

hpucq

Balata 发表于 2020-5-6 16:47
; W  x5 ]+ p$ B+ \2 D$ iPWM是逻辑信号，用驱动器就可以满足；用的哪门子开关？更重要的是；一旦开关断开；就等着炸管吧。

) Z4 Q( m) j; J3 K$ A本来PWM信号直接驱动MOS，现在中间加个模拟开关控制，模拟开关会不会影响驱动能力？

hpucq

limopcb 发表于 2020-5-7 15:36
模拟开关里面也是MOS管，你也可以理解成他就是一个驱动但是你选这一款驱动能力比较小，开关速度也有点慢
. }5 z3 [  m7 A$ j0 ]; b ...

) [; Y9 p- s$ d9 l: ?模拟开关开通以后就是MOS直接导通了，PWM直接通过啊，应该不存在驱动能力啊。

limopcb

hpucq 发表于 2020-5-7 15:38
模拟开关开通以后就是MOS直接导通了，PWM直接通过啊，应该不存在驱动能力啊。

一旦开关断开，MOSFET栅极就会处于开路状态，外界干扰就会让MOSFET进入线性区，MOSFET就会过热。