高集成度RF IC是什么？

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ADI最新推出设计用于LTE(长期演进)和第四代(4G)蜂窝基站的高集成度RF IC(射频集成电路)系列。LTE是UMTS(通用移动电信系统)标准的增强版，它被视为迈向蜂窝网络中第四代射频技术的终极阶段。
; ~- v9 n3 ^" k当今社会，移动通信已逐渐成为人类生活不可缺少的部分，人们需要利用移动通信来进行随时随地沟通。同时，随着手机用户数与全球无线基础设施建设的快速增长，这就要求基站必须提升数据流容量(蜂窝容量)，因此对射频电路的集成化以及成本都提出了更高的要求。为解决射频卡的高密度集成问题， ADI公司推出的新型ADRF660x系列混频器与ADRF670x系列调制器将多个分立功能模块集成到单个器件，并能满足更高容量基站所需要的严苛性能，实现了这些高密度射频卡。通过这种前所未有的集成度，基站制造商可以将电路板空间显著缩小60%，并大幅降低材料清单成本。
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随着全球移动运营商向4G技术演进，需要具有小外形尺寸的更高密度射频卡，以支持提供连续语音和高数据速率服务。如果说中国3G牌照的发放是一个令人振奋的机会，那么，我国在4G技术的部署和研发也必将大大加快射频集成电路产品供应商迈向4G的步伐。我国启动4G研发已经有5年的时间，为了达到4G网络所需要达到的速率要求， 4G至少需要3倍于现有基站的数量。如上海已经启动了研发4G的科研项目， 2010年世博会前预计可新建近千个基站。以目前国内3G运行的状况，也有专家建议中国有跨过3G直接上4G的可能性。因此，可以预测4G将拥有庞大的用户市场。4G市场的发展及潜在需求需要有可实现高密度射频卡的新型高集成度RF混频器和调制器，从而提升LTE和4G基站的容量和速度。ADI公司为迎合该契机，推出了用于4G蜂窝基站的突破性射频集成电路产品系列。ADI一直秉承设计创新的理念，同时非常期待继续为这个快速成长且充满活力的市场服务。

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我国在4G技术的部署和研发也必将大大加快射频集成电路产品供应商迈向4G的步伐