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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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该用户从未签到

16#
发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

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17#
发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了
/ U1 Y, ^* v. {% W& v: Z

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18#
发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

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19#
发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

该用户从未签到

20#
发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

该用户从未签到

21#
发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:
- p; P6 y( d, K5 U9 Q133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号' `. y. W8 D# e# I# ~) R& `
因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;9 M0 {: Y  g# o8 Y- q; B" Q) E4 S
产生原因可能有:
2 m$ H$ S  l7 G8 k7 R+ M& g6 r! W( s3 G3 d; h( `
1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个
( c# U4 t) d6 @/ {6 c3 T9 S5 [和负载大小,走线长度相关;
4 R3 j4 m% E. c5 a+ T2 \* T
& y/ |6 ?' T8 odq_full             Full-Strength IO Driver. K+ o$ k3 W; l; z9 P$ z. }
dq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
; a1 z) T, G1 r5 X* y
% ]8 o4 A& o. f0 e" b2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号6 @% t4 L# U6 ]. F6 B
如果存在多负载也需要端接;
  r% E1 W; V% k& L& S$ |- T7 i8 {+ k! z# q, `4 A* \- ]* r
3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;8 A: f3 {4 S+ p1 ?1 y# k( p8 |

9 W7 f1 s2 Z7 J- N! y( x! |4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;6 k9 q% W3 u& U! p# t" ]  i

) L. Q% r  H: i0 I, X解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

该用户从未签到

22#
发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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