Everspin MR2A16Axxx35可替换赛普拉斯CY14B104NA-BA

英尚微电子

* p. s# l9 d! E0 ~2 w* y' ]
. z6 I8 N, V4 [9 k, }
. M$ a. [) Z: k8 p用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替换赛普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM

9 T/ [. |* Q& d- H! ]# w
; D: f( F' e+ D# j$ E用MRAM替换nvSRAM的一般注意事项
每次使用MRAM进行写操作都会立即保持至少20年的非易失性。没有数据从易失性存储单元传输到非易失性存储单元，也没有外部电容器或备用电池。消除了外部组件，高度可靠的数据保留以及35ns SRAM兼容的读/写访问时间，使Everspin MRAM成为替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行选择，而不会影响系统性能。


EVERSPIN内存
Everspin是商业上可行的MRAM技术的全球领导者，Everspin MRAM产品出现在数百个需要高速，可靠，非易失性存储器的应用中。
- k7 u7 m% z, F/ ?' J
: ], l& B- Z. q% n0 t$ N
MR2A16A与CY14B104NA的比较
Everspin MRAM解决方案提供：
•始终非易失。没有不可靠的电容器相关备用周期
•不需要Vcap或Vbatt
•立即断电（<1ns），无数据丢失
•没有复杂的软件存储/调用例程
( F: p- ?2 O) B: x# M2 [( @•快速启动时间（2ms和20ms）
" c4 l7 U0 ]! Z) G% P•无限的读写周期-无磨损问题
' n# T! }; k6 M4 q•20年数据保留，无循环依赖
) `+ D3 n1 ?5 B# W7 Q: Z. P! G2 F•更少的组件意味着更小的设计尺寸和更低的BOM成本
( K+ x' L2 C2 K2 e' F* I# z" l•直接替代赛普拉斯NV-SRAM


兼容性
6 Z5 G) E: v7 Z* x0 r3 E! ]# PEverspin MR2A16AxYS35（44-TSOP2）和MR2A16AxMA35（FBGA）存储器的引脚，时序和封装分别与CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。


! |: |- ]; z( N7 I: z* B' y时序兼容性
Everspin MRAM和nvSRAM都具有标准的兼容异步SRAM时序。但是MRAM即使在断电后无限制的时间和整个温度循环中也可以保留数据。 MRAM具有35 ns的读/写周期时间，与类似的nvSRAM速度等级选项兼容。
! ?8 z# [6 s; }2 [. k& w7 v6 _/ g1 ~

5 D& \- K7 I+ }! S% i" Y$ e- J请务必注意，Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持时间，从写使能（和芯片使能）高到地址无效。大多数微处理器可以容纳这个保持时间。
/ j" ^. w- W* o* @

+ h7 l5 }4 c- h1 M. `3 X! UEverspin MR2A16Axxx35x系列型号表格

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	2,000

, C9 Q4 A8 O$ j4 R/ x1 [0 @
: I: G. [: C$ y

英尚微电子

每次使用MRAM进行写操作都会立即保持至少20年的非易失性。没有数据从易失性存储单元传输到非易失性存储单元，也没有外部电容器或备用电池。