TA的每日心情 | 慵懒 2020-4-14 15:52 |
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签到天数: 1 天 [LV.1]初来乍到
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一、6 \, |1 l* ?8 S# U2 M B+ y
之前一直在做一些单片机板子,所涉及的接口,像SPI、UART,速率多在50Mhz以内,之前开发时候,是直接用无源探头和350MHZ示波器,通过接地环测试,可以很好反映信号本来的面貌。如今打算进一步往前发展,做SOC、MPU的硬件开发,不可避免地要接触到,DDR内存,并且在PCB设计中有阻抗要求、等长要求;8 w: C/ l& X! m& b- F2 z
假如我想直接测试目标板子上的DDR内存信号(非间接),DDR时钟和数据,或者数据和数据,两两之间的时序关系,以及波形质量时,需要注意些什么? 这么高的速率,探头的负载效应应该影响很严重吧? 可以照抄之前的方法,换一个高带宽示波器,还是无源探头,就近找接地点,然后用接地环测试?- z i$ c9 v( ]) s# s8 ~
现在行业内,一般采用什么样的测量方案?
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3 r% K9 o i' Y- ]8 | f1 K8 s这个问题疑惑了很久,望各位慷慨赐教。
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, @$ t- W; g5 F% T- S: I二、
1 I' P$ W+ L3 b( v. P2 [通过电巢课堂,毛忠宇老师的"常见Topology介绍与仿真",的学习。
( ]7 d( f- b1 {给我启发,想到这么一些思路:
/ e1 O3 \. m8 j# G% E5 S% z. {. R①像DDR3的时钟信号的波形、地址信号、数据信号,当只有一片DDR3内存时,可以在终端电阻的地方,先摘掉终端电阻,然后再通过50Ω同轴电缆接示波器;(这里有一个问题,同轴电缆怎么接到板子上,直接焊上去?)# z" E9 X+ m) w4 _/ E8 U
有一些内存是内部端接,那好像就用不了这个办法
. e' A, Y; n5 {2 g l; Y; W" o. d# J
; e! } `( M! g: k②像测量两两数据信号、两两地址信号的同步性时,当只有一片DDR3内存时,只要①是可行的,两个信号同时测,即可看出时序是否存在问题;8 Y& W5 Z& Q) u' {$ _: J4 G
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