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使用示波器测量DDR3信号时应该注意什么?如何处理探头的负载效应?

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  • TA的每日心情
    慵懒
    2020-4-14 15:52
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2020-4-10 10:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    一、6 \, |1 l* ?8 S# U2 M  B+ y
    之前一直在做一些单片机板子,所涉及的接口,像SPI、UART,速率多在50Mhz以内,之前开发时候,是直接用无源探头和350MHZ示波器,通过接地环测试,可以很好反映信号本来的面貌。如今打算进一步往前发展,做SOC、MPU的硬件开发,不可避免地要接触到,DDR内存,并且在PCB设计中有阻抗要求、等长要求;8 w: C/ l& X! m& b- F2 z
    假如我想直接测试目标板子上的DDR内存信号(非间接),DDR时钟和数据,或者数据和数据,两两之间的时序关系,以及波形质量时,需要注意些什么?  这么高的速率,探头的负载效应应该影响很严重吧?    可以照抄之前的方法,换一个高带宽示波器,还是无源探头,就近找接地点,然后用接地环测试?- z  i$ c9 v( ]) s# s8 ~
    现在行业内,一般采用什么样的测量方案?
    $ b; U& T* ]% `4 @9 H7 |0 Q
    3 r% K9 o  i' Y- ]8 |  f1 K8 s这个问题疑惑了很久,望各位慷慨赐教。
    ! T9 I$ t! G! {$ P
    0 d/ Z- s- ]% a' @% g( m
    , @$ t- W; g5 F% T- S: I二、
    1 I' P$ W+ L3 b( v. P2 [通过电巢课堂,毛忠宇老师的"常见Topology介绍与仿真",的学习。
    ( ]7 d( f- b1 {给我启发,想到这么一些思路:
    / e1 O3 \. m8 j# G% E5 S% z. {. R①像DDR3的时钟信号的波形、地址信号、数据信号,当只有一片DDR3内存时,可以在终端电阻的地方,先摘掉终端电阻,然后再通过50Ω同轴电缆接示波器;(这里有一个问题,同轴电缆怎么接到板子上,直接焊上去?)# z" E9 X+ m) w4 _/ E8 U
    有一些内存是内部端接,那好像就用不了这个办法
    . e' A, Y; n5 {2 g  l; Y; W" o. d# J
    ; e! }  `( M! g: k②像测量两两数据信号、两两地址信号的同步性时,当只有一片DDR3内存时,只要①是可行的,两个信号同时测,即可看出时序是否存在问题;8 Y& W5 Z& Q) u' {$ _: J4 G
    - b9 ]" x+ I& _$ m( B; a% }

    ( x3 Z9 M( x( e8 V
  • TA的每日心情
    开心
    2020-5-14 15:50
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    [LV.5]常住居民I

    2#
    发表于 2020-4-15 17:19 | 只看该作者
    怎么没有人回答呢?

    点评

    https://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=350754&page=1#pid1824894 在这个版块,有个朋友给出一个答案。  详情 回复 发表于 2020-4-15 22:17
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    2020-4-14 15:52
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    [LV.1]初来乍到

    3#
     楼主| 发表于 2020-4-15 22:17 | 只看该作者
    流川枫 发表于 2020-4-15 17:192 ?( d5 O% C: V: d5 U
    怎么没有人回答呢?

    4 n7 `9 K9 N- t2 P& [https://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=350754&page=1#pid1824894
    ) ]( w, a" \9 v- _  m7 B! X0 L& }- y- g, o
    在这个版块,有个朋友给出一个答案。
    6 g6 |2 N4 ]& N( f( J1 W
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