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[仿真讨论] 使用示波器测量DDR3信号时应该注意什么?如何处理探头的负载效应?

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  • TA的每日心情
    慵懒
    2020-4-14 15:52
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    [LV.1]初来乍到

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    1#
    发表于 2020-4-10 10:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    一、! ?6 [5 V; l/ q8 b  B4 C/ O) P
    之前一直在做一些嵌入式板子,所涉及的接口,像SPI、UART,速率多在50Mhz以内,之前开发时候,是直接用无源探头和350MHZ示波器,通过接地环测试,可以很好反映信号本来的面貌。如今打算进一步往前发展,做SOC的硬件开发,不可避免地要接触到,DDR内存,并且在PCB设计中有阻抗要求、等长要求;; h) N% A+ `9 X$ ]) V; m
    假如我想直接测试目标板子上的DDR内存信号(非间接),DDR时钟和数据,或者数据和数据,两两之间的时序关系,以及波形质量时,需要注意些什么?  这么高的速率,探头的负载效应应该影响很严重吧?    可以照抄之前的方法,换一个高带宽示波器,还是无源探头,就近找接地点,然后用接地环测试?
    0 ?  b- V9 n6 u7 \: C6 s! Y7 G现在行业内,一般采用什么样的测量方案?
      _; X7 G# H+ U( n7 I0 e9 G
    ! G5 M  T4 g! Z: e6 e! z' S1 F这个问题疑惑了很久,望各位慷慨赐教。% \0 e+ }2 |& g/ A4 h
    & `5 {. t4 C9 r) _
    % T" z( u! j* O7 ?
    二、
    4 S3 I% `# {% c1 T8 t通过电巢课堂,毛忠宇老师的"常见Topology介绍与仿真",的学习。$ ]7 d- L1 _: g7 A
    给我启发,想到这么一些思路:. T& k. @% F! ^: m/ `* _1 x7 d+ U
    ①像DDR3的时钟信号的波形、地址信号、数据信号,当只有一片DDR3内存时,可以在终端电阻的地方,先摘掉终端电阻,然后再通过50Ω同轴电缆接示波器;(这里有一个问题,同轴电缆怎么接到板子上,直接焊上去?)- i3 y# Q" `- u
    有一些内存是内部端接,那好像就用不了这个办法9 J, E7 C1 R# }$ \3 k

    & V0 d9 t- l) a3 l/ O) z$ M②像测量两两数据信号、两两地址信号的同步性时,当只有一片DDR3内存时,只要①是可行的,两个信号同时测,即可看出时序是否存在问题;
    ) {# t% x7 p7 R8 R6 P# ^- Y
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    [LV.9]以坛为家II

    2#
    发表于 2020-4-10 13:51 | 只看该作者
    Tektronix/Keysight都有對應的探棒/轉接板
      Z5 T* B" ^* y2 K( c  l/ t8 Ghttps://www.keysight.com/en/pc-1000000130%3Aepsg%3Apgr/microprocessor-and-bus-support?nid=-536902512.0.00&cc=US&lc=eng& G) I+ x( D- j, i
    9 d* i3 v3 w, ?% {6 m# M1 @
    - V+ k' Y, j3 r/ ]; Z9 R

    点评

    感谢,好像很少看到有人使用。  详情 回复 发表于 2020-4-10 22:24
  • TA的每日心情
    慵懒
    2020-4-14 15:52
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
     楼主| 发表于 2020-4-10 22:24 | 只看该作者
    briantseng 发表于 2020-4-10 13:51
    9 U) w/ E7 ]) g9 fTektronix/Keysight都有對應的探棒/轉接板
    ) D) L3 }+ o0 o. Q! ohttps://www.keysight.com/en/pc-1000000130%3Aepsg%3Apgr/micr ...

    1 A3 m6 E, h8 l; v( M" b+ G感谢,好像很少看到有人使用。 6 v- G% o7 F, k% o& I
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