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如何降低PCB激光打孔的不良率

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    2019-11-20 15:22
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2020-4-9 10:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    激光钻孔过程中,产生的质量问题比较多,不准备全面讲述,只将最易出现的质量问题提出供同行参考。
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    ! E. u: `; g# J. v$ W
    实际生产中激光钻孔会遇到的质量问题如下:5 w0 N" x; B; i2 S6 E
    * c- p/ B2 h* r( L. J/ L4 C. l9 d0 T/ D1 }
    3 o) A0 v: B; W) f) J2 @* `* U3 R- k, W. ?/ o
    ( I- x5 T, \" A. s8 M一、开铜窗法的CO2激光钻孔位置与底靶标位置失准( z4 e6 h* X) Q! S

    & a# \& f- F/ {* L+ S6 A! k" h  `在激光钻孔中,光束定位系统对孔径成型的准确性极为重要。即使是采用光束定位系统进行精确定位,但是往往会有其他因素而造成孔变形的缺陷,其原因如下:! q6 L4 r8 S  \/ _0 G2 r* i$ X8 z
    5 A; i, E" r/ S/ t- k  N! z: O" T7 |
    ; w( m1 ]" ^7 w+ y7 |8 p% |; X2 r, T  m6 h1 H5 h
    1.制作内层芯板焊盘与导线图形的底片,与涂树脂铜箔(RCC)增层后开窗口用的底片,由于两者都会因为湿度与温度的影响尺寸增大与缩小的潜在因素。   D4 I3 @4 r1 V9 M' n+ f& `& A. a" E3 i/ K& D
    ( k7 O# A, n& Q7 Y8 A7 @0 A" Y
    ' `6 w7 h; v) |$ W  z! T4 a. ^2.芯板制作导线焊盘图形时基材本身的尺寸的涨缩,以及高温压贴涂树脂铜箔(RCC)增层后,内外层基板材料又出现尺寸的涨缩因素存在所至。
      q0 ]; m$ @8 f9 M7 L/ b- k
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    3.蚀刻所开铜窗口尺寸大小与位置也都会产生误差。

    ; D! H1 q% W, v, ?$ ?: @- {6 ~- X, E, r
    4.激光机本身的光点与台面位移之间的所造成的误差。
    $ W. y' H7 Z# R2 q# r2 C0 U
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    5.二阶盲孔对准度难度就更大,更易引起位置误差。

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    ! [1 o7 w- M3 R7 r7 E8 e6 c- ?/ P& M: C  f( [6 l
    2 @# G' j6 D! r. O( u9 K
    . |- V& y2 ^" [# V$ I
    - y- |1 S" f, K1 X5 i1 D7 |" n/ j
    解决措施有以下:- A2 h0 ?0 M: k' n
    8 V; a0 c$ J: C! y/ H! g4 p* ?) l* c7 i2 s) T$ C) o. b
      `1 `' V0 }8 Y  \. a
    1.采取缩小排版尺寸,多数厂家制作多层板排版采取450×600或525×600(mm)。但对于加工导线宽度为0.10mm与盲孔孔径为0.15mm的手机板,最好采用排版尺寸为350×450(mm)上限。6 j$ K8 j+ w2 F5 c! ^& L! C

    . O+ O. H. I: `* D& J) G8 Z; e; F! i
    . P. C% a+ _, v, X! ~2.加大激光直径:目的就是增加对铜窗口被罩住的范围。其具体的做法采取“光束直径=孔直径+90~100μm”。能量密度不足时可多打一两枪加以解决。0 H( U( R9 U# b3 E, E5 `' @
    1 W% \  m4 A( u! B7 Y6 _1 @% N5 X) k) W

    8 t6 w, ]  r/ x2 S3 N# x- t4 k/ e, l3.采取开大铜窗口工艺方法:这时只是铜窗口尺寸变大而孔径却未改动,因此激光成孔的直径已不再完全由窗口位置来决定,使得孔位可直接根据芯板的上的底垫靶标位置去烧孔。! S( [% r1 U3 m$ ^$ g  n9 `7 s* l" J' |4 O+ K! s/ I! y! \- Y

    ! e" ?2 T( W2 C# t* A+ {4 ]; N6 ^: g( m6 r7 W
    4.由光化学成像与蚀刻开窗口改成YAG激光开窗法:就是采用YAG激光光点按芯板的基准孔首先开窗口,然后再用CO2激光就其窗位去烧出孔来,解决成像所造成的误差。3 @9 Z  [6 g- T/ u8 Y; v! p5 Z( J% _0 J# S& X4 y6 I

    3 ~) _. x" ~+ b8 ^: Q6 O- ^* [1 `8 ^  L' ~6 ~5 M* `. G* S! n1 {- B
    5.积层两次再制作二阶微盲孔法:当芯板两面各积层一层涂树脂铜箔(RCC)后,若还需再积层一次RCC与制作出二阶盲孔(即积二)者,其“积二”的盲孔的对位,就必须按照瞄准“积一”去成孔。而无法再利用芯板的原始靶标。也就是当“积一”成孔与成垫时,其板边也会制作出靶标。所以,“积二”的RCC压贴上后,即可通过X—射线机对“积一”上的靶标而另钻出“积二”的四个机械基准孔,然后再成孔成线,采取此法可使“积二”尽量对准“积一”。% B* ~2 n3 p& d8 R& |3 F$ J9 ^5 ?2 r# [# d

    6 x( t5 G2 z7 K. w' z# C) B6 E6 J# {6 @- G/ I
    二、孔型不正确
    + J% F3 M5 X' w2 X1 K# m' O7 c7 \9 [$ F# e& b/ J
      g- ^8 g6 V2 c
    由于基材成型的质量问题(主要为涂树脂铜箔经压贴后介质层的厚度产生差异),在相同能量的激光下,介质较薄的部分垫片不仅承受的能量较大,反射的能量也更多,会造成孔壁被打成向外扩张的壶形。这种孔型不正确会对积层多层板间的电气互连造成较大影响。9 z) t, b4 n2 c6 T$ q4 Y; k0 k" T4 g9 v9 J6 J% ?$ n( F
    . |- j% M! a+ v  Z3 P/ O! i6 t$ l

    - x5 F! Q" {) Z解决措施有以下:) V8 Y0 ~0 t3 B5 F( G+ C

    5 I- ]) d4 N, G5 _+ A1.严格控制涂树脂铜箔压贴时介质层厚度差异在5—10μm之间。
    7 Y3 k3 ?: _- Q2 ~- n% M9 T2 j  ^/ A7 C: P0 k
    2.改变激光的能量密度与脉冲数(枪数),可通过试验方法找出批量生产的工艺条件。

    . V4 y) ~6 s3 K  ~: u( n8 Y$ L; C, r1 ~# k" j* z! m0 P( h2 S' K
    3 u& @0 s6 Z* t) F. `! E0 v
    三、.孔底胶渣与孔壁的破渣的清除不良! [- W( ^& J% G8 c" o
    $ ]0 n+ K  A* u% N8 k4 R2 N: O8 n8 D) M# v. K
    - z6 q% m" t& S7 Q. Z- m0 j9 ^4 X  s3 v. n' G
    这类质量问题比较常见,特别是常见于处理大拼板上多孔类型的积层板。这是因为所加工的大排板上的微盲孔数量太多(平均约6~9万个孔),介质层厚度不同,采取同一能量的激光钻孔时,底垫上所残留下的胶渣的厚薄也就不相同。经除钻污处理就不可能确保全部残留物彻底干净,再加上检查手段比较差,一旦有缺陷时,常会造成后续镀铜层与底垫与孔壁的结合力降低。8 a, K2 G; X2 C# k
    + w! c% g( k, d
    - m- b- X2 D; d% k6 d6 [1 |- ^# h
    # i( i* ~( W6 u2 [9 c# K" J解决措施有以下:4 _7 V) w( B) ^* b8 t
    6 U* [+ ]6 H/ L- ]
    % j$ B8 N8 X# t$ _
    7 D: p$ n# q9 C. r0 g2 e! P1.严格控制RCC压贴后其介质厚度差异在5-10um之间。( w+ g0 y, E1 x: k, N( e  N

    - t# U; ^7 ?3 ?2.采用工艺试验方法找出最佳的除钻污工艺条件。
    2 [9 n; C1 x% T: Q9 s4 q

    / Z, q: L. ?  A( p# h; V3.经除胶渣与干燥后,采用立体显微镜全面进行检查。
    9 C; h: j( Z, z  F; c5 t$ n: O) E
    3 D+ A& ]! s" y; Y& ^
    2 a6 u! [& b) j% O& J
    8 m) B3 e& ~) \# |5 K# U四、关于其它CO2激光与铜窗的成孔问题原因分析:. n) y! E$ B( S) ^! \
    ! `4 I2 i. _1 W0 T. G) N# R# G# ]
    / v" @9 i* [4 i; X0 H# a/ z  v5 e$ l1 C3 L  I" X% D! o# }9 v* d! h1 y& D7 X; b  X
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    ) q! i) u0 S: B8 r& R4 M0 Y$ i3 A' _6 }5 N. L' R  n8 q3 d0 y9 {* U3 t
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