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在现当今所有的电子产品当中,都离不开电源。然而,由于开关电源效率高、体积小的压倒性优势,在这所有的产品的电源有近百分之90以上都是采用开关电源进行电压适配,当然另外也有一些LDO。这样的话效率、体积或者是功能是达到了开发者的要求,但是在过认证(EN55022、FCC part 15、GB9254)的时候就会发现EMC会带来很多的困扰,例如,空间辐射测试不过,传导辐射测试不过、雷击浪涌、脉冲群……往往会因为这些问题的存在导致认证过程的延误,致产品延缓上市却不能抢占市场。鉴于此,特收集整理了一些开关电源EMI整改中,关于不同骚扰源频段干扰原因及抑制办法,供各位工程师参考学习。这也是我在工作中遇到的一些问题的整理吧,如有任何问题或者疑问,大家都可以来信一起讨论。! h/ {/ t# }# \1 G+ T7 |( u
1MHz以内以差模干扰为主
" X I5 Q: p k: B5 f 1.增大X电容量;6 V) {8 _' O/ ^: y# T3 `& B
2.添加差模电感;0 e6 N5 N: L/ _5 ]$ }$ `
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
! i( l/ B D" C R9 I9 ~
' W3 |" H, |& g2 B. L# |, } 1MHz~5MHz差模共模混合9 [- d/ l7 w% n4 }5 j
采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决,
4 p5 C# F8 q. `' R 1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器,调差模电感量;; W) ^9 u/ v7 J) K0 L; Y% O k
2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制;( G* f/ H) J0 |3 U3 |: v
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。! H9 m8 H# E- b5 b% R
5M以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。: L& P3 I8 B4 [! @
对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;4 ~$ A7 W; r$ }. u' W3 s0 l
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔,铜箔闭环。
% Z. m4 s7 D$ g: L 处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
0 H! `1 p! ~1 S! A1 K/ f$ e6 d0 j- g$ F) z
20~30MHz# g. C+ P8 m5 H3 A
1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置;, R3 \1 H3 q# x
2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值;( m) m; w0 B) J
3.在变压器外面包铜箔;变压器最里层加屏蔽层;调整变压器的各绕组的排布。7 X) I* m; }4 t8 W4 a; a& i. ^9 C
4.改变PCBLAYOUT;; L; v0 F; |& B3 x; a; x
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感;
: G+ A# X/ p% c5 m& e 6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数;6 i; @8 F$ c0 U* K( r; ?- [1 l
7.在变压器与MOSFET之间加BeadCORE;; y+ b9 ]# r2 m& |
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容;
; ?/ F, x. m0 L' H. M- d$ g0 m 9.可以用增大MOS驱动电阻。9 ?" t6 _0 x+ p7 x K
/ J" p" k9 Z( K/ s* b0 o5 H 30~50MHz 普遍是MOS管高速开通关断引起
x4 t l7 p8 J" \4 |9 r 1.可以用增大MOS驱动电阻;
6 Q) x! F3 R4 e; Z9 W 2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管;6 e" F6 F6 m7 k, O, s+ a0 h
3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决; U- L( A2 |6 V" M, Z- `5 v8 U9 i
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感;
6 Q' R a# u7 ^ 5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路;) e, \0 {1 a/ O0 h
6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE;
. W# G6 ]/ u) E3 F 7.在变压器的输入电压脚加一个小电容;. x1 w) m* U0 Y9 k
8.PCB心LAYOUT时大电解电容,变压器,MOS构成的电路环尽可能的小;
0 i, n8 ^) V8 |/ I. }0 W! A$ F
4 p' g. V- O0 l! H2 l9 T 9.变压器,输出二极管,输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
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