SRAM芯片is62wv51216

英尚微电子

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。

当CS1为HIGH（取消选择）或CS2为LOW（取消选择）或CS1为LOW，CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时，器件将处于待机模式，在该模式下，可通过CMOS输入降低功耗水平。

$ K5 o  h5 @( b- e) T! d, I$ C使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。

IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引脚TSOP（TYPE II）中。

SRAM芯片型号IS62WV51216，管脚图如下：

. a, q# G( f( ]0 C: }IS62WV51216的管脚总的来说大致分为：电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。
: W: A/ T+ w2 ?- M- \. O
特征
+ N* g( u/ d/ f8 d' ~- G! a* ]•高速访问时间：45ns，55ns
•CMOS低功耗运行
7 v* X7 J8 n1 m8 b–36mW（典型值）运行
–12μW（典型值）CMOS待机
•TTL兼容接口级别
. K/ P7 _5 Q  D+ K•单电源
% m) P1 |- ~" ?  {2 t–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
•完全静态操作：无时钟或刷新需要
•三态输出
% d: `- U- s7 [0 F) W•高低字节数据控制
•可提供工业温度
# Y7 s5 j* L. P. K2 o4 t•无铅

ISSI  

8Mb LP SRAM芯片

Density	Org.	Part Number	Vcc.	Speed(ns)	Pkg(Pins)
8Mb	1Mx8	IS62C10248AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	1Mx8	IS62WV10248DALL/BLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	512Kx16	IS62WV51216ALL/BLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	512Kx16	IS62C51216AL	5V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)
8Mb	512Kx16	IS62/65WV51216EALL/EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS62WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EALL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS65WV10248EBLL	1.65-3.6V	35,45,55	sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb	1Mx8	IS62/65WV10248EALL/EBLL	1.65-3.6V	45,55	TSOP2(44),BGA(48)

+ S0 |4 z, k7 `, A

英尚微电子

- k% q) S8 l9 K/ r5 ~2 }ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM，组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗的设备。

英尚微电子

使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节（UB）和低字节（LB）。

英尚微电子

IS62WV51216的管脚总的来说大致分为：电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。

英尚微电子

特征
•高速访问时间：45ns，55ns
1 V6 x8 R; T7 _/ {$ k& K) f1 i•CMOS低功耗运行
! U/ h3 Z# I* W. T- N–36mW（典型值）运行
7 A* c) G  u; C% H8 N5 i–12μW（典型值）CMOS待机
•TTL兼容接口级别
•单电源
–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
+ G4 S! q1 }( q) }•完全静态操作：无时钟或刷新需要
0 A! \5 m- w2 X( h) S•三态输出
- I: n7 y1 A9 r# A" q•高低字节数据控制
2 U9 y& g/ k  V& ]•可提供工业温度
0 v  ~3 I# {: E; [2 t9 Z1 C' c•无铅