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基于80C196MC 单片机的DC-DC双模块并联控制
* c) v: w6 u0 Z: F5 o/ X摘要:从主电路的选择出发，提出采用输入串联输出并联的2个半桥电路双模块DC-DC8 ~0 a9 u7 L) b% [3 K0 B7 _, D4 e
变流器来实现主从控制方式.描述了DC-DC控制系统框图，并对控制部分如何用微机产生2个1 {5 H& I; m9 G
半桥的驱动波形.如何解决均压及移相问题进行了具体阐述.试验表明系统具有较好的动态性
# D n" _: v" f. p/ s能.,输出纹波小.。- K+ ^$ I% `3 s: y3 c" L; C
关键词:直流变流器.;单片机_;移相.;均流控制.;微机控制.;双模块* `- n- x* A4 J. q: z1 d: Q
/ Z( D2 E. ~! N" @8 L' ?
) X! P% {7 B8 Z- ]# n# ?0引言3 s% L8 l% v7 r: l
微机控制技术与模拟控制技术相比,具有控制
. b5 t( C$ O& Z5 y9 G$ [, N逻辑灵活,故障诊断功能强，, 可通信.上网等特点.。近.
/ v7 P b9 f: \2 Y4 S几年随着列车通信网络技术的发展和应用，对集中' M5 B* `) o6 N* w$ J; | y9 Z
控制和查询的要求也越来越高，所以采用微机控制: ?% R6 m2 n& @# p7 j8 `. K
取代模拟控制在直流变流器中的运用已成为必然.。* _3 F: T( { r) u r
. W0 |+ b: m" N- Y' G1主电路的选择+ e# _% p! `1 @) x" U$ Q
在考虑浪涌、过电压以及安全系数条件下，如果
# z. O" @+ {; D" t8 z9 ^# u& g采用1个半桥式电路作为主电路. ,就必须采用3300 V# [# u0 V3 s0 _. o
的IGBT元件，而这种电压等级的IGBT其开通压降较
! _# \) x5 I! |( L9 M高.。如果采用较高的开关频率. , 则损耗较大。为了充
( U/ M" `; ^6 B$ u分利用高频开关电源的优点,我们采用了200A/4 N. H; h+ P3 N8 T
1700V的IGBT开关元件.，并采用输入串联、输出并. J* ]: S1 F) _ P
联的2个半桥电路的双模块DC-DC电路形式,其主
4 Q) R- v, N+ h6 j+ w: B4 `# G电路如图1所示.DC 1 500V直流电压经RO对电容进 E" p# @9 P: g; W# r
- Y+ s' j+ s8 ?8 v: b行充电.,K为接触器. ,R1-~R4为均压电阻,C1.、C2
3 x: T! U; |6 Z* Z" r为分压电容将DC 1 500V分成2个DC 750 V分别提( L R' n' H0 h6 {3 ^. G. U; _
供给2个逆变桥，),C3-C6为换相电容,VD1-~VD42 Z: H7 s: s- }0 X; O- v0 |* o
为IGBT.2个逆变桥将DC 750 V逆变成20 kHz的高
2 _+ n3 \4 B- V( J2 c; p3 v频方波，再分别经T1、T2高频变压器隔离降压，然
C$ _: E; N: N! G. ?后经全波整流后,由L1.、L2、C7滤波后输出。
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0 V. |8 s" c3 L; j1 Y' P$ ?
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发表于 2020-3-18 10:30
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