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一、原理不同
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8 Y/ b! I' t: M1、不可控器件—电力二极管:为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。& Z0 m% y8 l. s2 e% ^7 X4 }8 m' H
; I' `/ p+ W4 |' `9 Z" U2、半控型器件:通过控制信号过可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。' Y6 M) I# D$ ~ ?; `$ J. n# |
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3、全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。; O+ s( @" } A: I: c
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二、特点不同' P2 p4 n6 t9 g
- L9 _+ Q7 ~! |3 z0 G1 \6 R! Y9 m- Q1、电力二极管:单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。/ @ H2 \2 x {$ M! E: a$ ^
) G' q0 D2 Q1 i+ M2、半控型器件:其伏安特性类似二极管的反向特性;晶闸管处于反向阻断状态时,只有极小的反向漏电流通过。# Z d: B) ?5 d$ T0 l/ g
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3、全控型器件:输入阻抗高,驱动电路简单,需要的驱动功率小;开关速度快,工作频率高。
: |3 A1 N, w; e! p1 r9 @, j三、分类不同
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8 L; x7 c% m: f) X5 v+ T1、电力二极管:有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
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; f C' k Q) Z% ^2、半控型器件:主要是晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件。
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$ e, o* L# l$ z5 T' ?2 c1 @3、全控型器件:门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor—GTO),电力场效应晶体管(Power MOSFET),绝缘栅双极晶体管。- g$ T# _$ g l8 i
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