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单片机器件选型错误案例

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发表于 2020-3-9 15:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1、TVS管的误用   

9 D5 ~) Y8 k* H" M6 G- e* F

        

8 L8 U# y% a3 K$ B4 B

& D  U7 l+ q0 c; M' e9 q/ j: Q( y$ p上图是一个USB口的防护电路,这个电路中首先误用的就是TVS管。TVS管作为一种防护: F5 n; d* v  q* e5 w4 N- E' |
器件被广泛应用于防止过电压保护。此处的的设计思想也是想用TVS管来作为放静电的一种器
0 ^% g, z) E2 D' Z; A件。但是这里用错了.
8 o) c8 i5 ~, R4 \! x2 [- U6 D5 A, ]此处设计要求为使用USB2.0作为设备配置口用。对于USB2.0而言其传输速率为& v. d7 i3 v- Q0 m
480Mbps。通讯速率是比较高的。而TVS中除 了要考虑动作电压外,在通讯中使用时还需要- Q/ {3 u. p. r' `2 |) g8 z
考虑结电容。SMBJ6.0CA的结电容高达上千pf,这么高的结电容在兆级通讯中会严重影响通
; y. D  s( C& X7 O讯。因此不能使用SMBJ6.0CA这种TVS管。实SMB6.0CA是-种中等功率的TVS管,- 般
% `. r  c0 N9 o0 U1 `" Z% \1 B. ?5 Z2 W用作设备末端的防雷,放浪涌。放静电其实并不需要600W这么大的TVS管。正确的方法为使2 L" u' z8 s6 p7 V, D, O
用传用的USB防护器件,比如:使用SEMTECH的RCLamp3624T.就可以满足USB2.0的保
7 `5 Y5 k5 X" W2 V/ G5 Q8 Q8 V护,结电容不到1pf,以拥到2GHz。; l7 H  r5 C: ~2 q; s( a4 @: c
2、磁珠的误用
! G& {2 B/ e& n0 I; d& k$ Y还是看上面的那个USB口的防护电路图。在TVS后面还有2个磁珠。磁珠主要用于抑制高
) E/ c& ^9 J7 L5 \$ u频干扰。但是当看到这个磁珠时,我们需要问设计者,这2个磁珠是什么型号的,得知型号
9 D8 Z8 k' {! P1 q后,发现这两个磁珠的谐振频率为100MHz。那么在USB2.0的480Mbs通讯时,这两个磁珠
3 Q6 v8 B0 U# v已经不再适用了。磁珠不是加了一定好,磁珠要根据要抑制的频率选择,其谐振频率一定要
! w6 U/ R3 n) s' o高于至少5倍工作频率。在这个基础上再看阻抗等参数。2 R: ^8 f" x1 z4 k/ Y% q

) f1 D3 C9 l8 e$ H8 [        " u8 A: T% }& c1 G# B) R; Z, K

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发表于 2020-3-9 18:08 | 只看该作者
很典型的案例                        
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