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[Ansys仿真] SIWAVE 仿真遇到的疑惑

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1#
发表于 2010-2-25 16:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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我在对一块8层PCB 上的一组微带线进行S参数的仿真,发现与实际网分的测试结果相差较大,线宽,叠层和材质都是按照PCB板厂提供的设置的,而且有两根射频线的插损和回损完全与测试结果相反,不知道什么原因。另外板上过孔在仿真过程中怎样设置。请哪位高人指点一下。

该用户从未签到

2#
发表于 2010-2-25 21:08 | 只看该作者
首先你说的仿真与测试结果有很大差异% r1 a) P, t  K& K
Siwave进行微带线的S参数提取,得到SnP文件
( G6 q) y/ X0 g$ b, f但是你的测试环境是怎么样的呢?
: F4 \2 A" {: D! V用VNA么,微带线端口有SMA接口么?
, A4 S6 l2 U% E6 R2 Z: A# o
1 o' j2 F3 _# T9 o不介意的话8 l' O1 t2 O. ?' U. E/ S- E5 B5 Q
把插入损耗和回报损耗的测试波形发上来看看就明白了
- |1 N  ?. \$ J$ \- a  C2 Y完全相反倒不会

该用户从未签到

3#
发表于 2010-2-26 10:14 | 只看该作者
应该是科学可以解决的问题!

该用户从未签到

4#
发表于 2010-2-26 23:12 | 只看该作者
我會比較相信网分的测试结果。
# s, I" v, @/ q2 Z$ Y5 s且有两根射频线的插损和回损完全与测试结果相反 ==> 會不會是 Port 看錯或設錯?
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    5#
    发表于 2020-9-17 07:35 | 只看该作者
    谢谢分享

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