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➢内核
' |, l0 D7 ^. W; T6 j n+ H" T! yv超高速16位8051内核(1T)， 比传统8051约快70倍以上.
6 K- Z! f3 W* PV 24个中断源，4级中断优先级( `! m& v9 F7 R2 ?" B4 l
v支持在线仿真
6 T9 U/ g. N# }4 V6 M7 x& A➢工作电压
, l' \4 R. }0 _, s: bV 1.9V~5.5V: F) z. _4 ^: m; B- s% S
V内建LDO0 l5 B0 N$ g4 w) j- G( d: i
➢工作温度
" W, R: n% l" `3 h R6 p0 f5 xV -40C~85C; O, n z" v' O7 v: X& v
➢Flash 存储器
! G8 y6 s8 Q. E$ A- w Q1最大128K字节FLASH程序存储器(ROM)，用于存储用户代码; r' V/ |/ W# `4 j: w/ i( n
V支持用户配置EEPROM大小，512字节单页擦除，擦写次数可达10万次I" e# L# K% b$ j, V' o
v支持在系统编程方式(ISP) 更新用户应用程序，无需专用编程器
' x" m0 r e5 ~6 Z( U8 Qv支持单芯片仿真，无需专用仿真器，理论断点个数无限制
# t4 g" x3 @5 G2 Y4 p U# L➢SRAM$ r, f9 d1 t) } w+ A% P2 c3 ^# h
V 8K字节内部SRAM (EDATA)
# ?3 g7 |; w% ~+ PV 32K字节内部扩展RAM (内部XDATA)
& @5 \# m9 P' N* R6 z, \0 b: J9 D& w5 }) }4 D9 K) L
- {' ~- G' D& p& N
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发表于 2020-3-4 17:43
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